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公开(公告)号:CN102496393A
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201110367565.X
申请日:2011-11-18
Applicant: 中广核工程有限公司 , 中国广东核电集团有限公司
IPC: G21C17/00
Abstract: 本发明涉及核电技术领域,并公开了一种核电站反应堆压力容器的监测系统和方法。其中,该监测系统包括:监测终端,设置在所监测的反应堆压力容器的监测点处、用于采集并发送反应堆压力容器的温度信息;监测装置,与监测终端电连接、用于接收所述监测终端发送的温度信息并据此对反应堆压力容器的状态进行监测。根据本发明,由于无需接触高温熔融物可降低监测终端的成本,其安装位置易于确定且采集的温度信息有效可靠;依据该温度信息可对反应堆压力容器的状态进行有效监测。本发明的核电站反应堆压力容器监测系统结构简单且成本低,本发明的监测方法实施方便且精确度高。
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公开(公告)号:CN102269606A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201110179530.3
申请日:2011-06-29
Applicant: 中广核工程有限公司 , 中国广东核电集团有限公司
IPC: G01F1/36
Abstract: 本发明公开了一种核电站放射性气体排出流流量监测方法,其利用EUF系统中的压力计测量扼流孔板前的压力值p1,根据获得的扼流孔板前压力值p1,从EUF系统管线设计文件获得扼流孔板前排出流的质量流量再利用公式:计算出放射性气体排出流的体积流量,式中的p2为监测点处的气体绝对压;T2为监测点处的气体绝对温度;RMix为监测点处气体排出流的混合气体常数。与现有技术相比,本发明利用EUF系统中压力计测量到的压力数据和EUF系统管线的设计数据,计算出放射性气体排出流的体积流量,因此不需增加额外的设备,巧妙地解决了核电站放射性气体排出流流量的监测问题。
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公开(公告)号:CN102157209A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201110003868.3
申请日:2011-01-10
Applicant: 中广核工程有限公司 , 中国广东核电集团有限公司
CPC classification number: Y02E30/39
Abstract: 本发明涉及一种核电站棒控系统的在线监测方法,其中包括步骤:S1、接收操作员的监测请求;S2、基于操作员的授权等级处理监测请求以监测棒控系统;所述操作员的授权等级根据操作员的操作权限至少设置为两级。本发明还涉及一种核电站棒控系统的在线监测系统,其中包括接收模块用于接收操作员的监测请求;处理模块用于基于操作员的授权等级处理监测请求以监测棒控系统;操作员的授权等级根据操作员的操作权限至少设置为两级。本发明的核电站棒控系统的在线监测方法和系统通过授权对棒控系统实施实时监控、系统诊断、参数修改等控制,进而提高核电站运行的经济性,避免了核电站的棒控系统工作效率低下且容易产生误操作的缺陷。
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公开(公告)号:CN113151901B
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202110307620.X
申请日:2021-03-23
Applicant: 中广核工程有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法,包括如下步骤:采用移动加热器法生长CZT晶体;将CZT晶体先在870℃~930℃下进行原位退火处理50h~70h,然后在50h~80h内将温度降至400℃~420℃,最后在400℃~420℃下保温40h~50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀,获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小,最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。
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公开(公告)号:CN112458543B
公开(公告)日:2023-05-19
申请号:CN202011281223.1
申请日:2020-11-16
Abstract: 本发明涉及一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法,配置专用的粗抛液和细抛液,对薄膜材料采用外8字磨抛法磨粗抛和细抛薄膜表面,配置专用的腐蚀液,按照腐蚀30s后取出,然后用甲醇超声清洗30s,再用丙酮、酒精和蒸馏水超声波清洗20min,最后用氮气吹干的工艺完成腐蚀;再进行氧离子和氩气刻蚀完成对薄膜材料的表面。本方法通过对CZT多晶厚膜表面进行抛光、腐蚀和刻蚀表面处理,使得CZT多晶膜表面度提高,大幅度提高了厚膜探测器的光电性能。
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公开(公告)号:CN112436062B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202011382658.5
申请日:2020-12-01
Applicant: 上海大学 , 中广核工程有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极,其包括:生长在碲锌镉晶体材料表面的NiTe基薄膜电极、生长在NiTe基薄膜电极表面的Ni薄膜电极,以及生长在Ni薄膜电极表面的Au薄膜电极。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极可在碲锌镉晶体材料表面形成更好的欧姆接触、接触电阻更低,显著提高了碲锌镉辐射探测器的电荷收集性能。此外,本发明还公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法采用磁控溅射技术制备NiTe基薄膜电极,结晶质量好、附着力强、电导率高、速度快、质量稳定,且磁控溅射技术批量生长的成本低。
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公开(公告)号:CN110580965B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201910833412.6
申请日:2019-09-04
Applicant: 中广核工程有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司 , 中国广核集团有限公司 , 中国广核电力股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于执行核电站安全功能的安全自动化系统及方法,该安全自动化系统包括:SPC子系统、SAC子系统和CIC子系统,SPC子系统包括多个独立的SPC控制列,每个SPC控制列与一个对应的核电工艺设备列连接;SAC子系统包括多个独立的SAC控制列,每个SAC控制列均与一个对应的SPC控制列连接;CIC子系统包括多个独立的CIC控制列,每个CIC控制列均分别与一个对应的SAC控制列和一个对应的核电工艺设备列的执行机构连接,用于实现在对应的SAC控制列的控制下,对所对应的核电工艺设备列的执行机构进行安全控制。本发明实现了安全自动化系统与保护系统控制路径的独立性设计,满足国际标准中有关不同安全级仪控系统间的独立性要求,安全功能满足单一故障原则。
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公开(公告)号:CN112458543A
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN202011281223.1
申请日:2020-11-16
Abstract: 本发明涉及一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法,配置专用的粗抛液和细抛液,对薄膜材料采用外8字磨抛法磨粗抛和细抛薄膜表面,配置专用的腐蚀液,按照腐蚀30s后取出,然后用甲醇超声清洗30s,再用丙酮、酒精和蒸馏水超声波清洗20min,最后用氮气吹干的工艺完成腐蚀;再进行氧离子和氩气刻蚀完成对薄膜材料的表面。本方法通过对CZT多晶厚膜表面进行抛光、腐蚀和刻蚀表面处理,使得CZT多晶膜表面度提高,大幅度提高了厚膜探测器的光电性能。
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公开(公告)号:CN111883619A
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN202010771843.7
申请日:2020-08-04
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/08 , C30B33/10
Abstract: 一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法,采用移动加热器法完成晶体的生长,依次包括由生长炉温度场分布的设定、各组分化学计量比的配比完成、合料形成多晶料锭、建立回溶控制步序、单晶晶片的切割制成、制备电极阴阳极面的区分、晶体表面处理、电极制备、钝化处理构成的工序。本发明的一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法,通过上述步序形成的晶体生长控制与电极结构设置,完成了具有载流子迁移率高、表面光滑、成分均匀的晶体及高质量的欧姆接触特性的探测器用复合电极的制备,为探测器的优秀能谱响应提供了保障。
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公开(公告)号:CN111354165A
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201911126935.3
申请日:2019-11-18
Applicant: 中广核工程有限公司 , 中国广核集团有限公司 , 中国广核电力股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种核电厂地震预警与监测系统及方法。该系统包括用于在地震到达核电厂前发出地震预警的地震预警系统和用于反应核电厂结构及设备受到的地震动实际影响的地震监测系统;所述地震预警系统包括:预警信息接收模块,用于接收地震台网中心发出的地震预警信息;预警信息发送模块,用于将达到设防地震烈度的地震预警信息发送给主控室地震预警模块;主控室地震预警模块,用于在主控室内发出地震预警声光警报。与现有技术相比,本发明核电厂地震预警与监测系统可将地震预警信息和核电厂地震监测信息有效地融合在一起,两个系统相互独立,相互佐证,既为可能来临的地震提供预警,也避免了无谓的停堆停机操作。
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