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公开(公告)号：CN112458543B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202011281223.1
申请日：2020-11-16
摘要： 本发明涉及一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法，配置专用的粗抛液和细抛液，对薄膜材料采用外8字磨抛法磨粗抛和细抛薄膜表面，配置专用的腐蚀液，按照腐蚀30s后取出，然后用甲醇超声清洗30s，再用丙酮、酒精和蒸馏水超声波清洗20min，最后用氮气吹干的工艺完成腐蚀；再进行氧离子和氩气刻蚀完成对薄膜材料的表面。本方法通过对CZT多晶厚膜表面进行抛光、腐蚀和刻蚀表面处理，使得CZT多晶膜表面度提高，大幅度提高了厚膜探测器的光电性能。
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公开(公告)号：CN112458543A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011281223.1
申请日：2020-11-16
摘要： 本发明涉及一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法，配置专用的粗抛液和细抛液，对薄膜材料采用外8字磨抛法磨粗抛和细抛薄膜表面，配置专用的腐蚀液，按照腐蚀30s后取出，然后用甲醇超声清洗30s，再用丙酮、酒精和蒸馏水超声波清洗20min，最后用氮气吹干的工艺完成腐蚀；再进行氧离子和氩气刻蚀完成对薄膜材料的表面。本方法通过对CZT多晶厚膜表面进行抛光、腐蚀和刻蚀表面处理，使得CZT多晶膜表面度提高，大幅度提高了厚膜探测器的光电性能。
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公开(公告)号：CN110473771B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910696261.4
申请日：2019-07-30
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种直接转换X射线探测材料的制备方法，用于解决现有方法难以直接在TFT直接沉积CdZnTe多晶薄膜的技术问题。技术方案是采用布里奇曼法生长Cd1‑xZnxTe多晶锭切片作为生长源。将TFT衬底和生长源放入生长腔室，通过石英柱子调整好生长源与衬底之间的距离，关闭炉门，先开启机械泵抽真空，使腔室内真空度小于10pa，开启分子泵调节室内气压。开启水冷和温度控制系统，缓慢升温到设定温度，低温形核，采取重复生长方式，防止TFT衬底损坏，生长结束后，缓慢降温到一定温度然后自然冷却，由于采用了低温形核和重复生长方式，解决了背景技术方法难以直接在TFT衬底上真空沉积CdZnTe多晶薄膜问题。
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公开(公告)号：CN110591114A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910876631.2
申请日：2019-09-17
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C08J3/00 , C09D125/06 , B82Y40/00 , C08L25/06
摘要： 本发明公开了一种在碲化锌表面制备聚苯乙烯微球阵列的方法，用于解决现有方法在碲化锌表面制备的聚苯乙烯微球阵列覆盖率低的技术问题。技术方案是首先将旋涂基底置于偏离旋涂中心的位置，以达到减小基底材料上各处所受离心力差异的目的，从宏观角度改善聚苯乙烯微球的分布形貌；再利用SDS作为表面活性剂，利用SDS在水溶液中电离所产生的离子基团使得聚苯乙烯微球表面带负电荷，从而增大聚苯乙烯微球之间的斥力，使得在旋涂过程中能够较好的发生自组装，调控SDS浓度参数，获得适合于制备ZnTe材料表面规则聚苯乙烯微球阵列的浓度参数；最后调控旋涂参数，获得更大面积的规则聚苯乙烯微球阵列的制备。
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公开(公告)号：CN110591114B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910876631.2
申请日：2019-09-17
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C08J3/00 , C09D125/06 , B82Y40/00 , C08L25/06
摘要： 本发明公开了一种在碲化锌表面制备聚苯乙烯微球阵列的方法，用于解决现有方法在碲化锌表面制备的聚苯乙烯微球阵列覆盖率低的技术问题。技术方案是首先将旋涂基底置于偏离旋涂中心的位置，以达到减小基底材料上各处所受离心力差异的目的，从宏观角度改善聚苯乙烯微球的分布形貌；再利用SDS作为表面活性剂，利用SDS在水溶液中电离所产生的离子基团使得聚苯乙烯微球表面带负电荷，从而增大聚苯乙烯微球之间的斥力，使得在旋涂过程中能够较好的发生自组装，调控SDS浓度参数，获得适合于制备ZnTe材料表面规则聚苯乙烯微球阵列的浓度参数；最后调控旋涂参数，获得更大面积的规则聚苯乙烯微球阵列的制备。
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公开(公告)号：CN110473771A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910696261.4
申请日：2019-07-30
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种直接转换X射线探测材料的制备方法，用于解决现有方法难以直接在TFT直接沉积CdZnTe多晶薄膜的技术问题。技术方案是采用布里奇曼法生长Cd1-xZnxTe多晶锭切片作为生长源。将TFT衬底和生长源放入生长腔室，通过石英柱子调整好生长源与衬底之间的距离，关闭炉门，先开启机械泵抽真空，使腔室内真空度小于10pa，开启分子泵调节室内气压。开启水冷和温度控制系统，缓慢升温到设定温度，低温形核，采取重复生长方式，防止TFT衬底损坏，生长结束后，缓慢降温到一定温度然后自然冷却，由于采用了低温形核和重复生长方式，解决了背景技术方法难以直接在TFT衬底上真空沉积CdZnTe多晶薄膜问题。
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公开(公告)号：CN110471100A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910721676.2
申请日：2019-08-06
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： G01T1/24
摘要： 本发明公开了一种叉指电极结构的碲锌镉脉冲探测器及其制备方法，用于解决现有双平面型电极结构的碲锌镉脉冲探测器响应速度慢的技术问题。技术方案是碲锌镉脉冲探测器以碲锌镉晶片作为基底，金电极是单表面叉指结构，两者形成欧姆接触。碲锌镉脉冲探测器的制备方法，首先对碲锌镉晶片表面进行预处理，通过光刻刻蚀手段制备出符合要求的电极结构掩膜版，然后蒸镀金电极，最后通过氧离子刻蚀完成探测器的钝化，减小漏电流。本发明采用叉指电极结构代替传统的平面型电极结构，叉指电极结构的碲锌镉脉冲探测器内部载流子输运路径为横向输运，内部电场强度更大，载流子运动产生的电信号强度更强，同时载流子的输运距离便于调控，探测器的响应速度更快。
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