芯片封装结构及封装方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117038599A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311285989.0

    申请日:2023-10-07

    Abstract: 本申请提供一种芯片封装结构及封装方法。其中,该芯片封装结构包括基板、第一重布线层、填充层、第二重布线层和金属凸点。基板包括相对的第一面和第二面,基板的第一面与外围芯片电连接。第一重布线层设置于基板的第二面上。填充层设置于第一重布线层远离基板的一侧,填充层内设有依次层叠的第一芯片和第二芯片以及至少部分包围第一芯片和第二芯片的填充体。第二重布线层设置于填充层远离基板的一侧。第一芯片通过第一重布线层、基板与外围芯片电连接。金属凸点设置于第二重布线层远离填充层的一侧,用于将电性引出。可实现适用于多功能或不同尺寸、且I/O数较多的芯片,因此可在减小封装尺寸、节约成本的基础上实现更多的端口互连和通信。

    光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法

    公开(公告)号:CN116859522A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202311107122.6

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请涉及一种光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法。其中,光栅耦合器包括:衬底与耦合波导。耦合波导位于衬底上。耦合波导包括光栅波导部与包覆部,光栅波导部位于包覆部内。光栅波导部包括光栅栅齿,光栅栅齿的开口方向背向衬底。衬底包括衬底部、导光部与隔离槽。在衬底所在的平面上,衬底部与隔离槽相邻,隔离槽与导光部相邻,隔离槽位于导光部与衬底部之间,且衬底部围绕隔离槽,隔离槽围绕导光部。导光部用于将入射至导光部的光以无发散的形式引导至光栅栅齿。根据本申请实施例,可以在具备制备工艺简单且制备成本低的优点,及避免对衬底强度造成较大影响的前提下,提升光栅耦合器的耦合效率。

    一种用于硅光子芯片的光封装平台和方法

    公开(公告)号:CN116224504A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202211570971.0

    申请日:2022-12-08

    Abstract: 本发明公开了一种用于硅光子芯片的光封装平台和方法,该光封装平台包括基板、龙门架、滑轨、观察镜组、两个电控位移台、用于固定光纤阵列的夹具、曲杆和PCB板,其中,龙门架和两个电控位移台安装在基板上,滑轨安装在龙门架上,观察镜组包括第一光学放大镜头、第二光学放大镜头、第三光学放大镜头和第四光学放大镜头,第一光学放大镜头和第四光学放大镜头安装在滑轨上,第二光学放大镜头和第三光学放大镜头相对设置安装在基板上,曲杆用于连接电控位移台和夹具,PCB板通过支架安装在基板上,PCB板上安装有芯片、陶瓷片和转接板,芯片位于转接板的下方。本发明的操作更加简单,能够使光封装过程更加自动化和稳定,有利于缩短封装时间。

    一种锥形波导及其设计方法、装置以及光纤耦合系统

    公开(公告)号:CN116125592A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211630834.1

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本申请涉及一种锥形波导及其设计方法、装置以及光纤耦合系统,其中,该锥形波导包括:第一端和第二端,第一端的横截面小于第二端的横截面;锥形波导中设置有多个通孔,通孔用于降低锥形波导的有效折射率;锥形波导的有效折射率由第一端至第二端逐渐降低。本发明通过在锥形波导中设置通孔,可以使得锥形波导的有效折射率由第一端至第二端逐渐降低,或者说使得锥形波导的光斑由第一端至第二端逐渐增大。具有直接将小尺寸光纤与大尺寸光纤进行耦合的效果,解决了现有的耦合器件可以耦合的光纤尺寸不容易放大的问题。

    一种端面耦合器中反向锥形波导线型的设计方法及装置

    公开(公告)号:CN114895462A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210823414.9

    申请日:2022-07-14

    Inventor: 王震 储涛

    Abstract: 本发明公开了一种端面耦合器中反向锥形波导线型的设计方法及装置,基于波导模式的等效折射率和模场等效面积,通过设计两者的变化趋势,反推得到反向锥形波导的线型。与抛物线型相比,此线型设计方法能够使端面耦合器在更短的长度下,实现更高的耦合效率,从而减短端面耦合器的长度,提高光芯片的集成度。

    偏振无关的模斑转换器
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116931172B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311199267.3

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本申请涉及一种偏振无关的模斑转换器,该模斑转换器包括:上层波导和下层波导,上层波导设置于下层波导的上方,上层波导和下层波导之间设有绝缘层;在上层波导和下层波导上下重叠的部分处,上层波导设置至少两段波导;下层波导设置至少两段与上层波导对应的波导;其中,一段波导的参数基于第一模式光而设置,另一段波导的参数基于第二模式光而设置。采用上述结构的模斑转换器能够将不同模式的光分别耦合,使模斑转换器具备偏振无关特性,改善模场失配问题。

    光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法

    公开(公告)号:CN116859522B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311107122.6

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请涉及一种光栅耦合器、光芯片系统及光栅耦合器的制备方法。其中,光栅耦合器包括:衬底与耦合波导。耦合波导位于衬底上。耦合波导包括光栅波导部与包覆部,光栅波导部位于包覆部内。光栅波导部包括光栅栅齿,光栅栅齿的开口方向背向衬底。衬底包括衬底部、导光部与隔离槽。在衬底所在的平面上,衬底部与隔离槽相邻,隔离槽与导光部相邻,隔离槽位于导光部与衬底部之间,且衬底部围绕隔离槽,隔离槽围绕导光部。导光部用于将入射至导光部的光以无发散的形式引导至光栅栅齿。根据本申请实施例,可以在具备制备工艺简单且制备成本低的优点,及避免对衬底强度造成较大影响的前提下,提升光栅耦合器的耦合效率。

    光栅耦合器及其制备方法
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116859521A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202311107119.4

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器及其制备方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的第一反射层、形成于第一反射层上的下埋层、形成于下埋层上的波导层、形成于波导层上的上包层、以及形成于上包层上的第二反射层,波导层包括多个二维光栅,多个二维光栅沿着光路传播路径方向设置。其中,沿着光路传播路径方向,从一个二维光栅进入的入射光中的部分光透过该二维光栅后会在第一反射层和第二反射层的反射作用下进入到下一个二维光栅。本申请能够同时兼顾对偏振的不敏感性以及高耦合效率。

    硅光子芯片光耦合结构及其设计方法

    公开(公告)号:CN116840973A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202311124527.0

    申请日:2023-09-01

    Abstract: 本申请提供一种硅光子芯片光耦合结构及其设计方法。硅光子芯片光耦合结构包括第一光栅耦合器和第二光栅耦合器。第一光栅耦合器包括在第一方向上依次设置的第一包层、第一波导层、第一埋氧层和第一反射层,第一波导层包括第一光栅。第二光栅耦合器和第一光栅耦合器在第一方向上相对设置,包括在第一方向上依次设置的第二包层、第二波导层、第二埋氧层和第二反射层,第二包层和第一包层连接。本申请提供的硅光子芯片光耦合结构通过设置第一反射层和第二反射层,使光耦合结构中衍射的光被限制在第一反射层和第二反射层之间并沿光栅的长度方向传播,最大程度地减少光泄露,从而实现较高的耦合效率并提升对准容差,且构造简单,易于优化及加工。

Patent Agency Ranking