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公开(公告)号：CN103078251B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210358596.3
申请日：2012-09-25
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: H01S5/18386 , B41J2/471 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/18391 , H01S5/34326 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
Abstract: 本发明公开了表面发光激光器和图像形成装置。被配置为施加反射率差的第一阶梯结构和被配置为改变远视野光强度分布的第二阶梯结构被设置。在其中形成第一阶梯结构的级差的区域与在其中形成第二阶梯结构的级差的区域具有预定的关系。
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公开(公告)号：CN102545039B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110409245.6
申请日：2011-12-09
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: G03G15/04072 , H01S5/18313 , H01S5/18391 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及面发射激光器。所述面发射激光器包括台阶状结构，所述台阶状结构包含具有不同厚度的部分。在台阶状结构的所述部分中的每一个中，从在台阶状结构之上限定的并且与基板平行地延伸的平面到上部反射镜与台阶状结构之间的界面的光路长度被设为特定的值。
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公开(公告)号：CN101986487B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010243717.0
申请日：2010-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0286 , H01S5/18313 , H01S5/18316 , H01S5/18333 , H01S5/18347 , Y10S257/918
Abstract: 本发明涉及一种表面发射激光器、其制造方法以及图像形成装置。表面发射激光器包括层叠于基板上的下部多层反射镜、活性层和上部多层反射镜。通过使用第一沟槽结构在活性层上面或下面形成具有第一导电区域和第一绝缘区域的第一电流限制层。通过使用第二沟槽结构在第一电流限制层上面或下面形成具有第二导电区域和第二绝缘区域的第二电流限制层。第一和第二沟槽结构从上部多层反射镜的顶面向基板延伸，使得第二沟槽结构包围第一沟槽结构。当沿基板的面内方向观察表面发射激光器时，第一导电区域和第一绝缘区域之间的边界被设置在第二导电区域内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101821917B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880110570.9
申请日：2008-10-08
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: H01S5/18 , H01S5/105 , H01S5/187 , H01S5/2004 , H01S5/2027
Abstract: 当由不能大量提取折射率差的半导体材料配置表面发射激光器(100)时，提供使用能够形成波导的光子晶体(160)的表面发射激光器。
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公开(公告)号：CN101986488A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010243718.5
申请日：2010-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: H01S5/18333 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S2301/166
Abstract: 本申请涉及表面发射激光器及其制造方法和图像形成装置。表面发射激光器包括设置在基板上的下部多层反射镜和上部多层反射镜。第一可氧化层被部分氧化，以形成包含第一导电区域和第一绝缘区域的第一电流限制层。第二可氧化层被部分氧化以形成包含第二导电区域和第二绝缘区域的第二电流限制层，第一导电区域和第一绝缘区域之间的边界沿基板的面内方向被布置在第二电流限制层内侧。第一可氧化层和第二可氧化层或邻近各可氧化层的层被调整，使得当两个层在相同的氧化条件下被氧化时，第一可氧化层的氧化速度比第二可氧化层的氧化速度低。
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公开(公告)号：CN101359808B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810129466.6
申请日：2008-07-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: H01S5/18372 , B82Y20/00 , G02B2006/1213 , H01S5/105 , H01S5/18358 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/34326 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供一种能够高度精确地且容易地在半导体内形成光子晶体结构而不用直接接合的制造表面发射激光器的方法。它是通过在基板上层叠包括活性层和其中形成有光子晶体结构的半导体层的多个半导体层的方法，所述方法包括步骤：在第一半导体层上形成第二半导体层以形成光子晶体结构，在第二半导体层中形成多个微孔，经由所述多个微孔在第一半导体层的一部分中形成低折射率部分，从而给第一半导体层提供在平行于基板的方向上具有一维或二维折射率分布的光子晶体结构，以及通过从第二半导体层的表面晶体再生长而形成第三半导体层。
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公开(公告)号：CN101359808A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810129466.6
申请日：2008-07-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: H01S5/18372 , B82Y20/00 , G02B2006/1213 , H01S5/105 , H01S5/18358 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/34326 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供一种能够高度精确地且容易地在半导体内形成光子晶体结构而不用直接接合的制造表面发射激光器的方法。它是通过在基板上层叠包括活性层和其中形成有光子晶体结构的半导体层的多个半导体层的方法，所述方法包括步骤：在第一半导体层上形成第二半导体层以形成光子晶体结构，在第二半导体层中形成多个微孔，经由所述多个微孔在第一半导体层的一部分中形成低折射率部分，从而给第一半导体层提供在平行于基板的方向上具有一维或二维折射率分布的光子晶体结构，以及通过从第二半导体层的表面晶体再生长而形成第三半导体层。
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公开(公告)号：CN101359807A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810129459.6
申请日：2008-07-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/105 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18372 , H01S5/2086 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供了一种能够在单横模下减小对上部反射镜的反射率的影响的高输出的表面发射激光器。该表面发射激光器包括在衬底上层叠的多个半导体层，包括下部半导体多层反射镜、活性层，以及上部半导体多层反射镜，其中，下或上部半导体多层反射镜包括具有二维光子晶体结构的第一半导体层，该二维光子晶体结构由高折射率部分和低折射率部分构成，高折射率部分和低折射率部分被布置在平行于衬底的方向，以及其中，层叠在所述第一半导体层上的第二半导体层包括到达所述低折射率部分的微孔，所述微孔在平行于所述衬底的所述方向的截面小于在所述第一半导体层中形成的所述低折射率部分的截面。
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