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公开(公告)号：CN107919371A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710912815.0
申请日：2017-09-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 一种光电转换装置和系统。该光电转换装置具有：光电转换基板，具有多个光电转换部分和布置在所述多个光电转换部分上方的微透镜阵列；透光板；布置在光电转换基板和透光板之间的第一构件；布置在第一构件和微透镜阵列之间的第二构件；以及布置在第一构件和第二构件之间的第三构件。满足第一构件的孔隙率
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公开(公告)号：CN102738201B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210090411.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L51/0017 , H01L51/0014 , H01L51/56
Abstract: 有机电致发光显示装置的制造方法，该有机电致发光显示装置包括设置在一对电极之间并且至少包括发光层的有机化合物层，将该有机化合物层两维配置，该方法包括：在基板上的整个发光区域中形成在水中不溶的有机化合物层；在该有机化合物层上的至少一部分区域中设置含有水溶性材料的掩模层；将设置有该掩模层的区域以外的区域中设置的有机化合物层的一部分除去；将该掩模层除去；和将该掩模层除去后，在至少包括发光区域的区域中形成至少含有碱金属或碱土金属的层。
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公开(公告)号：CN103137904B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210498618.6
申请日：2012-11-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/0002 , H01L51/0018 , H01L51/5012
Abstract: 有机电致发光装置的制造方法，包括：在第一有机化合物层上形成掩模层和中间层以使掩模层和中间层具有预定图案的步骤；利用掩模层和中间层将第一有机化合物层进行图案化的步骤；形成第二有机化合物层的步骤；和以使中间层与用于溶解中间层的溶解液接触的方式将中间层和其上形成的第二有机化合物层除去的步骤。该方法中，直至完成第一和第二有机化合物层的图案化，通过用牺牲层覆盖第一和第二有机化合物层来保护第一和第二有机化合物层。
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公开(公告)号：CN102760698B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210130431.0
申请日：2012-04-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3211
Abstract: 本申请公开了有机EL显示装置的制造方法，其中，在形成用于将有机化合物层图案化的层之后通过气相沉积形成该有机化合物层，使得有机化合物层在不受用于图案化的层的侧部的表面张力影响的状态下形成。
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公开(公告)号：CN102142450B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110042341.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76807 , H01L21/7681 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种光电转换装置的制造方法。该光电转换装置包括：半导体基板；光电转换元件和MOS晶体管，布置在基板中；多层配线结构，包括多个配线层的叠层和使配线层隔离的层间绝缘膜。该制造方法包括：形成MOS晶体管的栅极和有源区；在基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中形成第一孔；在第一孔中形成金属膜以形成第一插头，以在有源区之间、栅极之间或者有源区和栅极之间相互连接；在第一层间绝缘膜中形成第二孔；在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，以电连接至任一有源区；形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。通过此结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。
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公开(公告)号：CN103137652A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210490812.X
申请日：2012-11-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L51/5209 , H01L27/3244 , H01L51/5218 , H01L2251/5315 , H01L2251/5392
Abstract: 本发明提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基板；和在该基板上提供的多个像素，所述像素每个具有通过将在基板上提供的下电极、有机化合物层和上电极依次叠加而获得的有机EL元件，以及所述下电极包括对于每个像素独立地放置的电极，其中：所述下电极由在所述基板上提供的第一下电极层和在第一下电极层上提供的第二下电极层形成；所述有机化合物层和所述上电极覆盖第一下电极层和第二下电极层；以及从第二下电极层到有机化合物层中的电荷注入性质大于从第一下电极层的端部分到有机化合物层中的电荷注入性质。
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公开(公告)号：CN102740524A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210082678.X
申请日：2012-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/0016 , H01L27/3211 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造有机发光器件的方法。为了解决这样的问题：在使用通过溶解剥离层而剥离形成在剥离层上的层的步骤来制造有机发光器件的方法中，剥离的膜片在用于溶解剥离层的去除液中不溶解，因此可漂在去除液中，并且可在构图之后粘附到基板的表面，以导致有缺陷的构图，提供了一种制造有机发光器件的方法，该方法包括在多个发光部分上方连续地形成剥离层，以使剥离的膜片的尺寸大。这可降低剥离的膜片粘附到基板表面的可能性，并且即使当剥离的膜片一度粘附到基板的表面时，也可使得后来去除剥离的膜片便利，从而抑制有缺陷的构图。
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公开(公告)号：CN102738077A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210097660.7
申请日：2012-03-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/0003 , H01L51/0017
Abstract: 本发明提供包括发光区域的有机电致发光显示装置的制造方法，该发光区域包括其中配置的多个有机化合物层，该有机化合物层的每一个设置在一对电极之间并且至少包括发光层，该方法包括：在整个发光区域中形成在水中不溶的有机化合物层；以预定的图案在该有机化合物层上形成含有水溶性材料的掩模层；将没有被该掩模层覆盖的区域中形成的有机化合物层的一部分除去；将该掩模层除去；干燥该有机化合物层；和在该有机化合物层上形成共同层，其中从干燥该有机化合物层到形成共同层的步骤在真空中进行。
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公开(公告)号：CN102376744A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110221741.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5275
Abstract: 本发明涉及有机电致发光显示装置。所述有机电致发光显示装置包含多个像素和布置在其上面的透镜的阵列。各像素包含设置有透镜的发光区域和没有设置透镜的发光区域。各像素的发光区域包含有机电致发光材料。以交错的图案布置透镜。
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公开(公告)号：CN1250945A
公开(公告)日：2000-04-19
申请号：CN99122410.8
申请日：1999-09-03
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐藤信彦
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/76259
Abstract: 公开了一种具有非多孔单晶层的多孔硅层的晶体缺陷减少的半导体基片,及形成该基片的方法。该形成方法包括下列步骤:在不包含非多孔单晶层的源气体的气氛中对多孔硅层进行热处理,以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层,其中的热处理步骤在一定条件下进行,使得蚀去的硅厚度为2纳米或更小,且由(热处理后的表面孔密度)/(热处理前的表面孔密度)定义的多孔硅层的表面孔密度的变化率r满足关系式(1/10000)≤r≤1。
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