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公开(公告)号：CN102575160A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080038773.9
申请日：2010-08-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C09K11/62
CPC classification number: C09K11/628
Abstract: 闪烁体材料含有通式[Cs1-zRbz][I1-x-yBrxCly]:In所示的化合物。通式中，x、y和z满足下述条件(1)、(2)和(3)的任一个。(1)0＜x+y＜1并且z＝0时，满足数学式1和数学式2的至少一个。(2)0＜x+y＜1并且0＜z＜1时，满足数学式3和0＜y＜1的至少一个。(3)x＝y＝0时，满足关系0＜z＜1。铟(In)的含量为0.00010摩尔％-1.0摩尔％，相对于[Cs1-zRbz][I1-x-yBrxCly]。[数学式1]0＜x≤0.7；[数学式2]0＜y≤0.8；[数学式3]0＜x≤0.8。
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公开(公告)号：CN101506986B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780031168.7
申请日：2007-07-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包含有源层，所述有源层包含非晶氧化物半导体膜，所述非晶氧化物半导体膜包括In和Zn中的至少一种元素，所述制造方法包含如下步骤序列：第一步骤，形成所述非晶氧化物半导体膜；第二步骤，在氧化气氛中对所述非晶氧化物半导体膜进行退火；以及第三步骤，在所述非晶氧化物半导体膜上形成绝缘氧化物层。其特征在于：在氧化气氛中使用溅射来形成所述绝缘氧化物层。
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公开(公告)号：CN102385063A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110244310.4
申请日：2011-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01T1/202
CPC classification number: G01T1/1642 , A61B6/037 , G01T1/1644
Abstract: 本发明涉及三维放射线位置检测器。所述位置检测器包括：具有光检测元件的光检测器；和具有单轴光学各向异性的闪烁体晶体。闪烁体晶体在单轴方向上是连续的，并且被设置在光检测器上，使得所述单轴方向不与光检测表面的法线垂直，并且具有为光检测元件的节距的至少三倍的长度。单轴各向异性允许从在光检测表面上方并且最远离光检测表面的区域发射的闪烁光的至少4％到达光检测元件，并且允许从最接近光检测表面的区域发射的闪烁光的4％～35％到达光检测元件。
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公开(公告)号：CN101548388B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200780043183.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包含具有氧化铟的沟道层(11)，该方法包括形成氧化铟膜作为沟道层，并在氧化气氛中使形成的氧化铟膜进行退火。
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公开(公告)号：CN101548388A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780043183.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包含具有氧化铟的沟道层(11)，该方法包括形成氧化铟膜作为沟道层，并在氧化气氛中使形成的氧化铟膜进行退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101013261A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710007972.3
申请日：2007-02-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03F7/0017 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 一种用于压印的模具，其能够在衬底表面形成具有比模具更大面积的接缝减少或无缝的图案，它包括：第一图案区域，包括多个第一凹陷；以及第二图案区域，包括多个第二凹陷，用于用作对准标记。第一图案区域和第二图案区域在其最外侧表面具有相等的高度。第一凹陷和第二凹陷具有不同的深度。第一图案区域和第二图案区域具有相等的循环间隔。
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公开(公告)号：CN104659105B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201410317457.5
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/26 , H01L29/78 , H01L29/7869
Abstract: 这里公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。
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公开(公告)号：CN105700002A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510901200.9
申请日：2015-12-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2002 , G01T1/20 , G01T1/2008 , G01T1/2018
Abstract: 本发明涉及放射线检测装置及放射线检测片。该放射线检测装置包括：被配置为将放射线转换为光的闪烁体层；包括被配置为检测从闪烁体层发射的光的多个光传感器的光传感器层；以及被配置为反射从闪烁体层发射的光的反射层。闪烁体层被布置在光传感器层和反射层之间。以下条件被满足：0.375≤(100-x)/(100-y(％))＜3.75，其中从反射层侧起的闪烁体层厚度的25％的区域中的平均转换效率被设定为100作为基准，x是从光传感器层侧起的闪烁体层厚度的25％的区域中的平均转换效率，并且y(％)是反射层的反射率。
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公开(公告)号：CN103876761B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410089754.9
申请日：2009-10-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G06T7/0002 , A61B6/4291 , A61B6/484 , G01J9/02 , G01N23/04 , G01N23/20075 , G01N2223/401 , G21K1/06 , G21K2201/06 , G21K2201/067
Abstract: 公开了能够至少通过单个成像操作获取被检体的微分相位图像或相位图像的X射线成像装置和X射线成像方法。X射线成像装置包括相位光栅（130）、吸收光栅（150）、检测器（170）和算术单元（180）。算术单元（180）执行通过对于由检测器获取的波纹图案的强度分布的傅立叶变换来获取空间频率谱的傅立叶变换处理。算术单元还执行使与载波频率对应的谱与由傅立叶变换处理获取的空间频率谱分离并然后使用逆傅立叶变换来获取微分相位图像的相位恢复处理。
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公开(公告)号：CN104659105A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410317457.5
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/26 , H01L29/78 , H01L29/7869
Abstract: 这里公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。
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