公开(公告)号：CN109212903B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201810721204.2

申请日：2018-07-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 铃木贵大 ,  土门大将 ,  小竹正晃 ,  增永惠一 ,  渡边聪

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种在以高能量射线为光源的照相平版印刷中，缺陷少、且通过抑制酸扩散而具有优异平版印刷性能的抗蚀剂组合物，以及使用了该抗蚀剂组合物的抗蚀图案形成方法。所述抗蚀剂组合物的特征在于，包括：(A)包含阴离子及阳离子、且在所述阳离子中具有下述通式(A1)表示的局部结构的锍盐；以及(B)包含下述通式(B1)表示的重复单元的高分子化合物。[化学式1][化学式2]

公开(公告)号：CN111665684A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010148552.2

申请日：2020-03-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 松井良宪 ,  提箸正义 ,  金子达志 ,  关明宽 ,  渡边聪

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及正型光阻抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供PED稳定性优异、DOF特性优异、LWR良好、可形成拖尾受到抑制的形状的图案的正型抗蚀剂组成物、及使用该正型抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种正型抗蚀剂组成物，含有：(A)下式(1)表示的第1鎓盐化合物；(B)下式(2)表示的第2鎓盐化合物；(C)基础聚合物，该基础聚合物含有下式(a)表示的含酸不稳定基团的重复单元、及视需要的下式(b)表示的含酸不稳定基团的重复单元，且其碱溶解性会因酸而改善(但是，含有下式(b)表示的含酸不稳定基团的重复单元时，酸不稳定基团的碳数为14以上者在全部重复单元中为5摩尔％以下的话，则亦可含有。)；及(D)有机溶剂。

公开(公告)号：CN106054521B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201610212742.X

申请日：2016-04-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 土门大将 ,  增永恵一 ,  渡边聪

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: 提供了负型抗蚀剂组合物，其包含(A)包含具有酸能消除的基团的重复单元和能够在曝光时产生酸的重复单元的聚合物，和(B)羧酸鎓盐。当该负型抗蚀剂组合物通过微加工技术、特别是EB光刻法处理时，它形成具有非常高的分辨率和最小LER的图案。

公开(公告)号：CN110531580A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910439482.3

申请日：2019-05-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小竹正晃 ,  渡边聪 ,  增永惠一

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明为化学增幅负型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法。提供了包含具有含桥接的环的基团的芳烃磺酸的鎓盐和基础聚合物的负型抗蚀剂组合物，该鎓盐能够产生具有适当的强度和扩散受控的大体积酸。当该抗蚀剂组合物通过光刻法处理时，形成具有高分辨率和降低的LER的矩形轮廓的点图案。

公开(公告)号：CN110526841A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910438807.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 井上直也 ,  渡边聪 ,  土门大将

IPC: C07C309/73 ,  C07C303/32 ,  C07C381/12 ,  C07C51/41 ,  C07C63/04 ,  C07C309/31 ,  C07D279/20 ,  C07D327/08 ,  C07D519/00 ,  C07D215/48 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: 具有含桥接环的基团的芳烃磺酸的鎓盐产生了具有适当强度和受控的扩散的大体积酸。当包含该鎓盐和基础聚合物的正型抗蚀剂组合物通过光刻法加工时，形成了具有高分辨率和降低的LER的矩形轮廓的图案。

公开(公告)号：CN105629664B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201510827923.9

申请日：2015-11-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 阿达铁平 ,  渡边聪 ,  土门大将 ,  增永惠一

IPC: G03F7/039 ,  G03F1/76

Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型正型抗蚀剂膜，该化学增幅型正型抗蚀剂膜包含：(A)包含在芳环上具有特定的取代基的重复单元和具有至少一个氟原子的重复单元的聚合物；(B)在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性的基础树脂；(C)产酸剂；和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜在时效稳定性和抗静电膜接受性上得到改善。

公开(公告)号：CN108594593A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810596424.7

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  吉井崇 ,  桜田豊久 ,  池田显 ,  金子英雄 ,  渡边聪 ,  河合义夫

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

公开(公告)号：CN104199255B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201410471281.9

申请日：2011-02-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 增永恵一 ,  渡边聪 ,  田中启顺 ,  土门大将

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/038

Abstract: 提供一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)碱可溶性聚合物，(B)酸产生剂，和(C)作为碱性组分的含氮化合物，该聚合物(A)在酸催化剂存在下变为碱不溶性。在侧链上具有仲或叔胺结构的碱性聚合物用作组分(A)和(C)。由EB或EUV平版印刷方法处理负性抗蚀剂组合物可以形成精细尺寸的抗蚀剂图案，优点包括碱均匀扩散、LER改善、酸在基材界面的钝化受控和咬边程度降低。

公开(公告)号：CN106054529A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610212743.4

申请日：2016-04-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 阿达铁平 ,  渡边聪 ,  土门大将 ,  增永恵一

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/40

Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型负型抗蚀剂膜，该化学增幅型负型抗蚀剂膜包括(A)包含特定结构的重复单元和具有氟的重复单元的聚合物，(B)适于在酸的作用下降低其在碱显影剂中的溶解性的基础树脂，(C)产酸剂，和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜对于抗静电膜的接受性得到改善。

公开(公告)号：CN104520383B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201380029643.2

申请日：2013-06-21

Applicant: 国际商业机器公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： R.索里亚库马兰 ,  L.D.博扎诺 ,  L.K.森德伯格 ,  M.H.舍伍德 ,  长泽贤幸 ,  渡边聪

IPC: C08L79/02

CPC classification number: G03F7/2059 ,  C08G73/0266 ,  C08L25/18 ,  C08L79/02 ,  C08L79/08 ,  C09D179/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  H01B1/128

Abstract: 水分散性组合物包括：具有至少30,000的重均分子量的聚苯胺共聚物，和包含磺酸基团的聚合物型酸。所述聚苯胺共聚物包括i)基于所述聚苯胺共聚物中的重复单元的总摩尔数的约10摩尔％‑约15摩尔％的含氟第一苯胺重复单元，和ii)不含氟的第二苯胺重复单元。所述聚合物型酸的磺酸基团以大于或等于所述聚苯胺共聚物的重复单元的总摩尔数的摩尔量存在。所述组合物具有至少0.0001S/cm的电导率。