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公开(公告)号：CN114226901A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111667742.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法，包括：对预制的多系焊球进行处理，得到备用焊球；对PCB板进行焊前预处理，得到备用PCB板；对备用焊球进行第一次焊接处理，使备用焊球与备用PCB板上的铜结合，得到凸焊点；对凸焊点进行去锡操作，得到IMC焊盘；对IMC焊盘和备用焊球进行第二次焊接处理，得到IMC凸焊点；对IMC凸焊点进行第三次焊接处理，得到多晶结构焊点。本申请通过形成多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点，降低焊点内部Sn取向不利的现象，延长焊点可靠性和使用寿命。本申请方法工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控。
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公开(公告)号：CN114211069A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111661614.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种基于IMC焊盘的多晶结构焊点制取方法，包括：获取多系焊球和待焊电路板；对多系焊球和待焊电路板进行焊球焊接操作，得到PCB凸焊点；对PCB凸焊点进行老化处理，得到改性凸焊点；对改性凸焊点进行腐蚀处理，得到IMC焊盘；对多系焊球和IMC焊盘进行焊球焊接操作，得到多晶结构焊点。本申请通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点，可以改善Sn基钎料焊点中由于Sn的各向异性降低焊点可靠性的情况，避免在电子产品使用过程中提前失效，进而提高电子产品的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114152862A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111400563.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了避免线性焊点电迁移过程热影响的测试组件及其制作方法，包括线性对接焊接铜棒、基底板和结构板；线性对接焊接铜棒包括线性焊点、第一铜棒和第二铜棒；线性焊点位于第一铜棒和第二铜棒之间，与第一铜棒和第二铜棒焊接连接；结构板包裹该线性对接焊接铜棒，线性对接焊接铜棒的截面为长方形，线性对接焊接铜棒只有一个侧面可见；基底板用于承载结构板。本申请克服了一维线性焊点在传统方法通电时产生的热应力不均的难点，有利于电迁移过程中对界面金属间化合物演变行为的表述，能够准确评价线性焊点对接接头可靠性；进一步的，大幅减少了由于热应力对焊点产生的实验误差，满足了电迁移测试时只需考虑通电时间的唯一变量要求。
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公开(公告)号：CN114211067B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111660435.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法，属于材料制备与连接技术领域，本发明通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点，关键步骤在于焊球在预制的IMC焊盘进行重熔、冷却，可以改善Sn基钎料焊点中由于Sn的各向异性降低焊点可靠性和使用寿命的情况，通过EBSD技术确定为多晶结构焊点。因此，多晶结构焊点可以有效降低Sn晶粒取向不利的情况；工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控、晶粒取向不同的多晶焊点。
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公开(公告)号：CN114211070A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111681898.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及钎焊技术领域，具体涉及一种Sn基钎料焊点重熔晶体取向制备方法，具体提供一种Sn/Ag/Bi/In钎料，其成份及重量百分比为：Ag：3.5，Bi：0.5，In：8.0，Sn：余量；所述钎料为膏状钎料；本发明钎料中的合金元素增多，可使Sn基钎料焊点的熔点降低至193～209℃，能够在更低的温度参数下进行软钎焊，保证芯片焊接损耗率更低；本发明钎料在重熔后形成焊点，Sn焊点的硬度的各向异性影响降低，焊点的力学性能提高，强度变得均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114211068A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111660949.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种通过预制IMCs焊盘形成全IMCs结构焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于制备全IMCs的微型钎焊对接接头，应用于微电子连接的力学、热学以及电学的可靠性研究，其通过以下步骤实现：焊料漏印；将焊料加热重熔形成焊球；依据尺寸要求挑选焊球；将焊球置于印制电路板表面的铜片上，加热重熔结合且形成凸点结构；腐蚀凸点结构；制成两个IMCs焊盘；加热重熔使IMCs焊盘结合；对IMCs焊盘的焊点进行研磨、精抛，最终获得全IMCs焊点。本发明能够避免Sn基焊料中Sn各向异性降低焊点可靠性的情况；工艺简单，成本低廉。本发明的关键步骤在于焊料涂覆在预制的IMCs焊盘进行重熔、冷却，通过EDS技术确定焊点成分为IMCs。
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公开(公告)号：CN114211067A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111660435.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法，属于材料制备与连接技术领域，本发明通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点，关键步骤在于焊球在预制的IMC焊盘进行重熔、冷却，可以改善Sn基钎料焊点中由于Sn的各向异性降低焊点可靠性和使用寿命的情况，通过EBSD技术确定为多晶结构焊点。因此，多晶结构焊点可以有效降低Sn晶粒取向不利的情况；工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控、晶粒取向不同的多晶焊点。
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公开(公告)号：CN114192918A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111660958.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种SnAgBiIn钎料在制备Sn基钎料互连焊点中的应用，属于材料制备与连接技术领域；所述SnAgBiIn钎料为Sn3.5Ag0.5Bi8.0In钎料焊膏。Sn基钎料互连焊点的制备步骤为：将钎料焊膏涂敷于两个焊盘之间，采用热风焊接在240℃‑300℃下重熔焊接30s‑10min，然后冷却，得到具有“交叉晶”结构的Sn基钎料互连焊点。这种呈现各向同性的“交叉晶”焊点结构，保证了焊接结构的一致性，并且交叉晶结构在一定程度上可以保证焊点服役寿命的一致性，达到提升电子封装产品整体质量水平的目的。
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公开(公告)号：CN219715134U
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202320800760.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型公开一种用于纳米银焊膏热疲劳测试结构，属于功率电子器件封装技术领域，包括基板，基板上方设置有阵列烧结层，阵列烧结层上方设置有芯片，基板与芯片通过阵列烧结层形成互联结构；阵列烧结层由若干个连续设置的纳米银层构成，相邻两纳米银层之间设置有间隙，若干个纳米银层围成正方形结构，且若干个纳米银层沿芯片的边缘设置。本实用新型能够保证互联结构在热疲劳载荷下具有更集中的应力，解决了传统结构在测试热疲劳可靠性高的纳米银焊膏时效果不明显的问题，缩短了测试时间。
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公开(公告)号：CN219475675U
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202320446426.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型公开一种用于烧结银大面积互连接头的电迁移实验装置，包括：导体板、绝缘板以及连接件；导体板的数量为偶数，且导体板不少于两块；两块对应设置的导体板组成为一个实验组，同一实验组内的两块导体板之间设置有用于夹持试验样品的空隙，且两块导体板分别与电源的正极、负极连接；绝缘板安装在导体板的一侧，同一实验组内的两块导体板位于两块绝缘板之间；连接件设置于绝缘板上；连接件用于连接同一实验组内的两块绝缘板，并使两块导体板之间形成电流回路。本实用新型克服了大面积烧结银三明治结构互连接头样品装卡困难的问题，可以对试验样品进行自由更换和拆卸，从而满足了不同规格试样的实验需求，实现接头高效的完成电迁移实验。
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