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公开(公告)号：CN114012538A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111400806.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种能够控制一维线性对接焊点尺寸的方法，包括：对待焊接的两根铜棒进行焊前预处理，得到两根待焊铜棒；按照预设的空间位置对两根待焊铜棒进行焊接操作，得到一维线性对接焊棒；使用定制树脂制作打磨平台，对一维线性对接焊棒进行打磨处理，得到初始线性对接焊点；对初始线性对接焊点进行抛磨处理，得到成品线性对接焊点。本申请能够实现精确控制一维线性对接焊点的尺寸，同时获得的对接接头能够满足拉伸、蠕变、时效、电迁移测试的各种要求。
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公开(公告)号：CN114211067B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111660435.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法，属于材料制备与连接技术领域，本发明通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点，关键步骤在于焊球在预制的IMC焊盘进行重熔、冷却，可以改善Sn基钎料焊点中由于Sn的各向异性降低焊点可靠性和使用寿命的情况，通过EBSD技术确定为多晶结构焊点。因此，多晶结构焊点可以有效降低Sn晶粒取向不利的情况；工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控、晶粒取向不同的多晶焊点。
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公开(公告)号：CN114211070A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111681898.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及钎焊技术领域，具体涉及一种Sn基钎料焊点重熔晶体取向制备方法，具体提供一种Sn/Ag/Bi/In钎料，其成份及重量百分比为：Ag：3.5，Bi：0.5，In：8.0，Sn：余量；所述钎料为膏状钎料；本发明钎料中的合金元素增多，可使Sn基钎料焊点的熔点降低至193～209℃，能够在更低的温度参数下进行软钎焊，保证芯片焊接损耗率更低；本发明钎料在重熔后形成焊点，Sn焊点的硬度的各向异性影响降低，焊点的力学性能提高，强度变得均匀。
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公开(公告)号：CN114211067A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111660435.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法，属于材料制备与连接技术领域，本发明通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点，关键步骤在于焊球在预制的IMC焊盘进行重熔、冷却，可以改善Sn基钎料焊点中由于Sn的各向异性降低焊点可靠性和使用寿命的情况，通过EBSD技术确定为多晶结构焊点。因此，多晶结构焊点可以有效降低Sn晶粒取向不利的情况；工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控、晶粒取向不同的多晶焊点。
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公开(公告)号：CN114325505A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111665303.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种微焊点原位电迁移测试系统和方法，本系统包括：金相探测装置、测试仓体、热感装置、干燥物质和直流电源；直流电源用于对微焊点通入直流电流，金相探测装置用于获取微焊点的形貌表征和尺寸，并计算得到直流电流值，热感装置用于监测微焊点温度，干燥物质用于对测试仓体内的空气进行干燥处理；本方法包括：获取微焊点形貌表征和焊点尺寸，计算得到直流电流值；向微焊点通入直流电流，对微焊点进行疲劳测试，得到微焊点的原位电迁移数据图，完成微焊点原位电迁移测试。本申请能够使微焊点不产生氧化反应，从而实现微焊点电迁移的原位表征测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113953730A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111400740.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K37/00 , B24B41/06 , B23K101/42
Abstract: 本申请公开了一种能够精确控制一维线性对接焊点抛光质量的抛光组件，包括一维线性对接焊棒和焊棒载体；一维线性对接焊棒的截面为正方形；一维线性对接焊棒由第一铜棒、第二铜棒和对接焊点组成，对接焊点将第一铜棒和第二铜棒对接焊接；焊棒载体用于承载一维线性对接焊棒，并且包裹一维线性对接焊棒的三个侧面，一维线性对接焊棒只有一个侧面可见。本申请通过对抛光组件进行改良组装，使得线性焊点的抛光表面在抛光时既能充分得到抛光处理，又能很大程度减少由于施力不均而产生曲面的影响，满足焊点表面在进行扫面电镜和电子背散射衍射测试时尺寸完整、图像清晰的要求。
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公开(公告)号：CN114211070B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111681898.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及钎焊技术领域，具体涉及一种Sn基钎料焊点重熔晶体取向制备方法，具体提供一种Sn/Ag/Bi/In钎料，其成份及重量百分比为：Ag：3.5，Bi：0.5，In：8.0，Sn：余量；所述钎料为膏状钎料；本发明钎料中的合金元素增多，可使Sn基钎料焊点的熔点降低至193～209℃，能够在更低的温度参数下进行软钎焊，保证芯片焊接损耗率更低；本发明钎料在重熔后形成焊点，Sn焊点的硬度的各向异性影响降低，焊点的力学性能提高，强度变得均匀。
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公开(公告)号：CN114226901B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111667742.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法，包括：对预制的多系焊球进行处理，得到备用焊球；对PCB板进行焊前预处理，得到备用PCB板；对备用焊球进行第一次焊接处理，使备用焊球与备用PCB板上的铜结合，得到凸焊点；对凸焊点进行去锡操作，得到IMC焊盘；对IMC焊盘和备用焊球进行第二次焊接处理，得到IMC凸焊点；对IMC凸焊点进行第三次焊接处理，得到多晶结构焊点。本申请通过形成多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点，降低焊点内部Sn取向不利的现象，延长焊点可靠性和使用寿命。本申请方法工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控。
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公开(公告)号：CN114012538B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111400806.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种能够控制一维线性对接焊点尺寸的方法，包括：对待焊接的两根铜棒进行焊前预处理，得到两根待焊铜棒；按照预设的空间位置对两根待焊铜棒进行焊接操作，得到一维线性对接焊棒；使用定制树脂制作打磨平台，对一维线性对接焊棒进行打磨处理，得到初始线性对接焊点；对初始线性对接焊点进行抛磨处理，得到成品线性对接焊点。本申请能够实现精确控制一维线性对接焊点的尺寸，同时获得的对接接头能够满足拉伸、蠕变、时效、电迁移测试的各种要求。
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公开(公告)号：CN114211075A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111659851.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法，涉及材料制备与连接技术领域，以SABI钎料为原料，重熔温度为245℃～310℃，可应用于基体材料主要为Cu/Ni UBM的电子封装元器件的低温钎焊，通过工艺参数设定，得到的焊点晶体取向与普通钎料如SAC305的晶体取向不同，焊点内部晶向彼此交互交叉相互掺杂，且晶向碎且乱，形成交叉晶和多双孪晶，交叉晶和多双孪晶的存在使Sn基焊点的各向异性程度大大降低，性能均匀。
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