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公开(公告)号：CN116140866A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310227613.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种新型低熔点VC均热板用铜基钎料焊膏，涉及材料制备与连接领域，该焊膏中的铜基钎料成分质量占比为Cu67.5～67.9％，Sn22.6～23.0％，Ni3.7～3.9％，P5.6～5.8％，本发明利用金属锡对PH600铜基钎料进行成分调整，在保证使用性能良好的前提下，使得焊膏的熔点相对较低，同时克服了铜基钎料作为硬钎料熔点高且容易氧化的缺陷，具有节约能源、降低成本的优点。
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公开(公告)号：CN114280408A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111665620.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请公开了一种多温度环境下微焊点原位电迁移数据测试系统和方法，本系统包括：金相探测装置、密闭仓体、热感装置、干燥物质、直流电源和热影响环境设备；金相探测装置用于得到微焊点初始状态表征和测试状态表征，热感装置用于监测微焊点的温度；干燥物质用于对密闭仓体进行干燥处理；直流电源用于向微焊点通入直流电流；热影响环境设备用于向密闭仓体提供热疲劳环境或热时效环境。本方法包括：获取微焊点的初始状态表征；向微焊点通入直流电流；将微焊点置于密闭且干燥的密闭仓体中；将密闭仓体置于热疲劳环境或热时效环境中；完成微焊点原位电迁移测试。本申请能够有效隔绝空气中的水分、灰尘等影响，顺利进行焊点的原位表征。
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公开(公告)号：CN114211075B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111659851.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法，涉及材料制备与连接技术领域，以SABI钎料为原料，重熔温度为245℃～310℃，可应用于基体材料主要为Cu/Ni UBM的电子封装元器件的低温钎焊，通过工艺参数设定，得到的焊点晶体取向与普通钎料如SAC305的晶体取向不同，焊点内部晶向彼此交互交叉相互掺杂，且晶向碎且乱，形成交叉晶和多双孪晶，交叉晶和多双孪晶的存在使Sn基焊点的各向异性程度大大降低，性能均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114226901A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111667742.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法，包括：对预制的多系焊球进行处理，得到备用焊球；对PCB板进行焊前预处理，得到备用PCB板；对备用焊球进行第一次焊接处理，使备用焊球与备用PCB板上的铜结合，得到凸焊点；对凸焊点进行去锡操作，得到IMC焊盘；对IMC焊盘和备用焊球进行第二次焊接处理，得到IMC凸焊点；对IMC凸焊点进行第三次焊接处理，得到多晶结构焊点。本申请通过形成多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点，降低焊点内部Sn取向不利的现象，延长焊点可靠性和使用寿命。本申请方法工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控。
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公开(公告)号：CN117250374A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310227683.3
申请日：2023-03-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种用于烧结银大面积互连接头的电迁移实验装置，包括：导体板、绝缘板以及连接件；导体板的数量为偶数，且导体板不少于两块；两块对应设置的导体板组成为一个实验组，同一实验组内的两块导体板之间设置有用于夹持试验样品的空隙，且两块导体板分别与电源的正极、负极连接；绝缘板安装在导体板的一侧，同一实验组内的两块导体板位于两块绝缘板之间；连接件设置于绝缘板上；连接件用于连接同一实验组内的两块绝缘板，并使两块导体板之间形成电流回路。本发明克服了大面积烧结银三明治结构互连接头样品装卡困难的问题，可以对试验样品进行自由更换和拆卸，从而满足了不同规格试样的实验需求，实现接头高效的完成电迁移实验。
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公开(公告)号：CN114226901B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111667742.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法，包括：对预制的多系焊球进行处理，得到备用焊球；对PCB板进行焊前预处理，得到备用PCB板；对备用焊球进行第一次焊接处理，使备用焊球与备用PCB板上的铜结合，得到凸焊点；对凸焊点进行去锡操作，得到IMC焊盘；对IMC焊盘和备用焊球进行第二次焊接处理，得到IMC凸焊点；对IMC凸焊点进行第三次焊接处理，得到多晶结构焊点。本申请通过形成多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点，降低焊点内部Sn取向不利的现象，延长焊点可靠性和使用寿命。本申请方法工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控。
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公开(公告)号：CN114211075A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111659851.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法，涉及材料制备与连接技术领域，以SABI钎料为原料，重熔温度为245℃～310℃，可应用于基体材料主要为Cu/Ni UBM的电子封装元器件的低温钎焊，通过工艺参数设定，得到的焊点晶体取向与普通钎料如SAC305的晶体取向不同，焊点内部晶向彼此交互交叉相互掺杂，且晶向碎且乱，形成交叉晶和多双孪晶，交叉晶和多双孪晶的存在使Sn基焊点的各向异性程度大大降低，性能均匀。
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公开(公告)号：CN219475675U
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202320446426.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型公开一种用于烧结银大面积互连接头的电迁移实验装置，包括：导体板、绝缘板以及连接件；导体板的数量为偶数，且导体板不少于两块；两块对应设置的导体板组成为一个实验组，同一实验组内的两块导体板之间设置有用于夹持试验样品的空隙，且两块导体板分别与电源的正极、负极连接；绝缘板安装在导体板的一侧，同一实验组内的两块导体板位于两块绝缘板之间；连接件设置于绝缘板上；连接件用于连接同一实验组内的两块绝缘板，并使两块导体板之间形成电流回路。本实用新型克服了大面积烧结银三明治结构互连接头样品装卡困难的问题，可以对试验样品进行自由更换和拆卸，从而满足了不同规格试样的实验需求，实现接头高效的完成电迁移实验。
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