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公开(公告)号：CN112448267B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202011329497.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明实施例提供一种出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该阵列包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的电阻大于第二垂直腔面发射激光器单元的电阻；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，小于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，在垂直腔面发射激光器单元高度集成、不增大阵列的面积和不改变台面排布设计的基础上，能有效改善阵列的结温分布不均，并且能提高出光功率的均匀性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112583356A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011198939.5
申请日：2020-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/02
Abstract: 一种能对性能进行多种重构的高频压控有源电感，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，第一反馈单元(5)，第二反馈单元(6)，第一偏置单元(7)。第一跨导单元(1)、第二跨导单元(2)和第一反馈单元(5)构成第一回路，第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)和第二反馈单元(6)构成第二回路。协同调节第一回路和第二回路的不同电压调制端，可实现在高频下大电感值、高Q值以及Q值相对于电感值可大范围独立调节；可对电感值进行大范围调谐且同时能保持Q值有较大值；可在不同频率下，同时保持Q峰值和电感值基本不变以及工作频带相对于电感值峰值可大范围独立调节的综合性能。
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公开(公告)号：CN111988016A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010695354.8
申请日：2020-07-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/36
Abstract: 高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，带有电阻和电阻-电容双重反馈的第二跨导单元(2)，带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3)，以及带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)组成。其中，第一跨导单元(1)，一方面，与第二跨导单元一起构成第一阻抗转换回路，另一方面，与偏置单元(4)一起构成第二阻抗转换回路，且第一阻抗转换回路与第二阻抗转换回路并联，增大了电感值；电阻损耗抵消单元提高了Q值；通过联合协同调谐偏置单元中的两个偏压可调节端和电阻损耗抵消单元中的一个偏压可调节端的偏压，可实现对有源电感在同一高频下Q峰值的独立调谐。
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公开(公告)号：CN106301237B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610589332.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源‑共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。
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公开(公告)号：CN108768342A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810555716.6
申请日：2018-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/46
CPC classification number: H03H11/46
Abstract: 本发明提供了一种射频集成有源电感包括：输入单元，频带调节单元，第一及第二偏置单元，第一及第二跨导单元。第一偏置单元为第一跨导单元提供直流偏置，第二偏置单元为第二跨导单元提供直流偏置。在有源电感的输入端，输入单元和第一跨导单元串联，使有源电感具有小的等效输入电容，进而有宽的工作频带；频带调节单元既与输入单元串联，也与第一跨导单元并联，通过调节频带调节单元，实现对有源电感工作频带的独立调节；第一跨导单元中MOS晶体管并联，使有源电感具有大的等效回转电容，进而有大的电感值；协同调节第一跨导单元和频带调节单元，实现有源电感在宽工作频带内电感值的调节。本发明适用于对电感有宽频带要求和在宽频带内对电感值有调节要求的电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104242830B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410484497.9
申请日：2014-09-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于有源电感的可重配置超宽带低噪声放大器，具有高增益且增益可调，小面积，低噪声等特点。该低噪声放大器包括并联反馈放大器，Cascode放大器，基于全差分浮地有源电感反馈的共源放大器和输出缓冲级。所述并联反馈放大器，采用电阻替代传统的螺旋电感来实现宽带输入阻抗匹配，减小了芯片的面积，并且这种结构增大了跨导，使跨导由原来的gmN或gmP变为gmN+gmP，降低了放大器的噪声。Cascode放大器和共源放大器级联组成了中间放大级，增大了整个放大器的增益。所述有源电感为全差分浮地有源电感，整个放大器只采用了一个有源电感，极大地减小了芯片的面积，并且通过调节其偏置电压可以改变电感值的大小，进而改变低噪声放大器的增益，实现增益的可调。
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公开(公告)号：CN104091825B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410331788.4
申请日：2014-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种超结集电区SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用由n型半导体柱和p型半导体柱交替排列的超结集电区结构，引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。基区Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯形分布结构，引入少子加速电场，有效减小基区渡越时间，从而提高器件特征频率。器件电流增益和特征频率的温度敏感性也得到改善，有效避免了器件静态工作点的漂移，有利于器件稳定工作。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管既具有高击穿电压特性，又具有优异的频率特性，且器件静态工作点不易随工作偏置及工作温度的变化而发生漂移，可实现器件在亚太赫兹功率应用领域的稳定工作。
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公开(公告)号：CN106301237A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610589332.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03F1/0216 , H03F1/26 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F2200/372 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供了一种低功耗三频带低噪声放大器，包括：带有源极电感和栅极电感的共源-共栅拓扑结构的输入级，能够进行三频带信号放大的电路模块和采用三重电流复用技术的放大输出级，分别实现本发明低噪声放大器的输入阻抗匹配和低的噪声，在三个频带下产生高阻抗进而对三个频带信号进行放大和实现低功耗、高增益、输出阻抗匹配。本发明低噪声放大器，能够在0.9GHz、2.0GHz和2.6GHz三个频带下工作，增益S21分别为19.76dB、22.67dB和23.07dB，在2.5V的静态工作电压下，功耗仅为13.3mW。
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公开(公告)号：CN103943670A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410146902.6
申请日：2014-04-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/165
Abstract: 本发明公开了一种应变硅异质结双极晶体管，尤其是同时具有大电流增益和高击穿电压的超结集电区应变硅异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，并在弛豫SiGe集电区中引入n型柱区和p型柱区交替排列的超结结构，其上分别外延生长应变SiGe基区和应变Si发射区。所述晶体管在弛豫SiGe集电区上外延生长应变SiGe基区可有效提高SiGe基区内Ge含量，增大发射区和基区间的带隙差，从而达到提高发射效率、增大器件电流增益的目的。同时，所述晶体管在集电区采用超结结构，可引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管在保持优异高频特性的同时电流增益更大，击穿电压更高，可有效拓展异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
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公开(公告)号：CN103546104A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310503791.5
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供一种小面积、线性度可调谐的高线性Cascode低噪声放大器，涉及射频集成电路领域，以解决现有低噪声放大器线性度不具有可调谐性，芯片面积过大的问题。该发明包括由共射级晶体管的集电极连接共基极晶体管的发射极构成的Cascode结构和创新的失真抵消通路，其中，所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管集电极和共基极晶体管的发射极相连接，所述失真抵消通路包括并联了电容的共基极晶体管和集电极-基极短路连接的晶体管，所述低噪声放大器的阻抗匹配通过电阻串联电容的并联负反馈实现。本发明采用失真抵消通路，实现了宽带的高线性和线性度的可调谐；芯片面积有了极大的减小。
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