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公开(公告)号：CN117033280A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310760957.5
申请日：2023-06-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于I2C总线的热插拔保护电路、接口芯片及热插拔系统，属于热插拔技术领域。该电路热插拔保护电路包括控制电路、上拉电路和切断电路，控制电路的两个输入端分别接入I2C总线和次板电源VDD，输出端连接上拉电路的第一输入端，切断电路的输入端连接VDD，输出端连接上拉电路的第二输入端，上拉电路的输出端接入I2C总线。所述控制电路被配置为在VDD先插入的情况下，在设定时间导通上拉电路，以通过上拉电路来拉高悬空的I2C总线。所述切断电路被配置为在I2C总线先插入的情况下，切断VDD与I2C总线之间的电流流入通路。本发明实施例解决了由于插入顺序和上电顺序导致的不良热插拔的缺陷，减少了软硬件负担。
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公开(公告)号：CN116111849A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211326706.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，所述输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4；负载侧全桥电路，所述负载侧全桥电路包括第五开关管Q5、第六开关管Q6、第七开关管Q7和第八开关管Q8；高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧全桥电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧全桥电路的输入端；其中，Q1和Q3采用交叉耦合的方式连接，Q5和Q7采用交叉耦合的方式连接。本公开的技术方案，大幅减少了提供控制信号的驱动电路的损耗，降低了实现成本。
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公开(公告)号：CN115603588A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327230.X
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN) , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述桥变换电路包括：第一输入侧全桥电路，第二输入侧全桥电路、负载侧全桥电路以及高频变压器，本公开的技术方案，可以在确保电路整体工作效率较高的前提下，减少桥变换电路中开关单元切换导通状态时所产生的共模电流，从而降低共模电流流过印刷电路板时所产生的磁偶极子辐射，确保电路能够正常工作。
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公开(公告)号：CN115603587A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN116111990B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211326699.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器，包括：偏置电流电路和共栅极比较电路；所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置；所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1，所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同；其中，所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss，所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压，由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流，因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响，具有较好的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118449513A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410704148.7
申请日：2024-06-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K19/094 , H03K19/00 , H03K19/0185
Abstract: 本公开涉及芯片技术领域，具体涉及公开了一种发射电路、数字隔离器及芯片，该发射电路包括：唤醒电路，该唤醒电路的第一输入端连接稳压器的输出端，唤醒电路的第二输入端接入发射电路的输入信号；唤醒电路的电路输出端连接高频振荡器，电平移位电路和调制器，用于在检测到发射电路的输入信号为高电平时，生成窄脉冲信号，将窄脉冲信号与稳压器输出的稳压信号叠加生成叠加信号，并用叠加信号为高频振荡器，电平移位电路和调制器供电，使得进入调制器的待调制信号仅在由低电平变高电平的极短时间内增大，随后恢复为正常的高电平信号。该技术方案既维持了发射电路整体的功耗相对较低，又提升了发射电路的响应速度，减小信号传输延时。
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公开(公告)号：CN118331540A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410360868.6
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种真随机数发生器与芯片。所述真随机数发生器包括：第一随机源种子发生器，用于产生第一随机源种子信号；第一伪随机数发生器，用于在第一随机源种子信号作用下产生第一真随机数序列；第二随机源种子发生器，用于产生第二随机源种子信号；第二伪随机数发生器，用于在第二随机源种子信号作用下产生第二真随机数序列；以及重初始化控制器，用于根据第一真随机数序列产生一组控制信号，以重新初始化第二伪随机数发生器与以下三项中的一者或多者：第一随机源种子发生器、第一伪随机数发生器、第二随机源种子发生器。本发明可以隐身于数百万甚至数千万门的数字电路中，进而使得攻击者无从下手，提高了系统的安全性。
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公开(公告)号：CN117560316A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311507624.8
申请日：2023-11-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H04L45/28 , H04L41/0654
Abstract: 本申请公开了一种网络系统，网络系统包括多个子交换网，每个子交换网中包括多个端口，每个子交换网中的多个端口两两之间通信连接；网络系统中的多个子交换网被配置为多个层级，其中分属于相邻层级的子交换网间直接连接，以在通信路由出现故障的情况下切换通信路由途经的端口，使通信路由恢复正常运行。本申请提供了一种多层级拓扑结构的交换网络，通过在每个子交换网内部的各个端口间设置两两连接的通信连接方式，实现了在跨子交换网的通信路由或者单个子交换网内部的通信路由上途经的端口出现故障时，能够直接利用端口间的两两连接进行通信端口的切换，同时还能通过端口间两两连接的关系避免路径的重叠，降低网络拥塞的概率，提升网络通信质量。
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公开(公告)号：CN116773947A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310739240.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/00 , G01R27/26 , G01R19/165 , G01R1/30 , H04L25/02
Abstract: 本发明公开了一种电容衰减检测电路、方法以及电容隔离芯片，用于隔离电容器，隔离电容器连接在发送机的输出端和接收机的输入端之间，用于实现发送机与接收机之间的隔离通信，检测电路包括：比较子电路，比较子电路的输入端与接收机的输入端连接，比较子电路用于通过隔离电容器接收隔离通信信号，并将隔离通信信号与预设基准信号进行比较，输出比较结果，其中，比较结果用于判定隔离电容器是否发生衰减。该电路可对高压隔离电容隔离性能的衰减情况进行实时检测，并且该检测为非破坏性检测。
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公开(公告)号：CN115469703A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211326689.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本公开实施例公开了线性稳压电路、工作方法及电子设备。所述线性稳压电路包括：功率器件、误差放大器、反馈电阻网络、第一开关、第二开关、第三开关、第一电容和第二电容；所述误差放大器的第一输入端连接基准电压，误差放大器的第二输入端依次通过所述第一开关、第二开关与所述功率器件的栅极连接，误差放大器的输出端通过所述第二开关与所述功率器件的栅极连接；所述反馈电阻网络用于输出反馈电压至所述误差放大器的第二输入端；所述功率器件的源极与所述第三开关连接。上述技术方案通过在线性稳压电路上增设三个开关，利用三个开关的通断来调整线性稳压电路的输出电流，提高了线性稳压电路的响应速度。
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