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公开(公告)号：CN107479834A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710749269.3
申请日：2017-08-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
CPC分类号： G06F3/0622 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G06F11/1004
摘要： 本发明涉及一种基于COS的文件存储方法及装置，方法包括：接收文件的存储请求，其中，所述存储请求中包括待存储的数据以及待存储文件的文件名；根据所述待存储文件的文件名在索引表中查找对应的数据存储扇区，其中，索引表中存储有文件名与数据存储扇区间的对应关系，一个文件名对应至少两个数据存储扇区；将所述待存储的数据存储至第一数据存储扇区，其中，所述第一数据存储扇区为上一次执行文件的存储请求时，未进行数据存储的一个数据存储扇区。本发明提供的基于COS的文件存储方法及装置，以扇区划分存储空间，可以避免现有技术中的存储方法造成系统的浪费，提高安全芯片的存储性能；并且在不增加写入次数的情况下实现了芯片掉电保护的需求。
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公开(公告)号：CN118275508A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410193825.3
申请日：2024-02-21
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 厦门大学
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本申请公开一种湿度传感器和湿度传感器的制备方法。湿度传感器包括晶圆及湿敏膜。晶圆包括基底和设置在基底上的电极。湿敏膜位于电极的表面，湿敏膜包括第一湿敏膜和第二湿敏膜，第一湿敏膜由未完全亚胺化的聚酰亚胺制成，第二湿敏膜由氟化聚酰亚胺制成，第二湿敏膜位于电极与第一湿敏膜之间。一方面使得在低湿度的情况下，可利用第一湿敏膜实现对水分敏感，实现低湿度感知。另一方面利用第二湿敏膜中的含氟官能团来提高第二湿敏膜的高湿稳定性和降低第二湿敏膜的迟滞性。如此，基于第一湿敏膜和第二湿敏膜的湿度传感器可在全湿度范围内完成检测，即实现宽量程，且在全湿度范围内可实现低迟滞性和高湿稳定性，从而减少湿度传感器的使用限制。
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公开(公告)号：CN117560316A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311507624.8
申请日：2023-11-13
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H04L45/28 , H04L41/0654
摘要： 本申请公开了一种网络系统，网络系统包括多个子交换网，每个子交换网中包括多个端口，每个子交换网中的多个端口两两之间通信连接；网络系统中的多个子交换网被配置为多个层级，其中分属于相邻层级的子交换网间直接连接，以在通信路由出现故障的情况下切换通信路由途经的端口，使通信路由恢复正常运行。本申请提供了一种多层级拓扑结构的交换网络，通过在每个子交换网内部的各个端口间设置两两连接的通信连接方式，实现了在跨子交换网的通信路由或者单个子交换网内部的通信路由上途经的端口出现故障时，能够直接利用端口间的两两连接进行通信端口的切换，同时还能通过端口间两两连接的关系避免路径的重叠，降低网络拥塞的概率，提升网络通信质量。
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公开(公告)号：CN106788662A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710200490.3
申请日：2017-03-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
CPC分类号： H04B7/155 , G04R20/02 , H04B7/22 , H04B2203/5441
摘要： 本发明涉及一种基于低频时码技术的中继授时装置，包括：中继发送模块；所述中继发送模块用于接收低频时码的无线信号，对接收的所述低频时码的无线信号进行功率放大处理，将处理后的信号作为载波信号，并通过电力线进行发送。本发明提供的基于低频时码技术的中继授时装置，避免了现有的授时技术在室内，由于无线信号衰减很难进行授时的问题，可以提高授时成功率。
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公开(公告)号：CN118367897A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410528783.4
申请日：2024-04-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种时钟信号产生电路方法、DC‑DC控制器、芯片及装置，所述电路包括：电流偏置模块，用于生成偏置电流，并向电容充放电模块提供偏置电流；电容充放电模块，用于在所述偏置电流下产生锯齿波；施密特触发器模块，用于检测电容充放电模块中目标电容的上极板的电压，并在上极板的电压大于或等于额定电压阈值时进行输出翻转，以得到翻转信号；整形分频模块，用于在输入翻转信号的情况下，对翻转信号进行整形并分频，以得到目标占空比的方波信号，并输出所述方波信号，方波信号为时钟信号。该电路可以使用施密特触发器模块进行电压翻转，从而极大程度地降低了电路的匹配要求，并降低了电路的功耗和面积开销。
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公开(公告)号：CN106912056B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710232393.2
申请日：2017-04-11
申请人： 国网新疆电力公司昌吉供电公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本发明公开了一种230MHz微基站及其组网方法，其中，该微基站包括：RF芯片、中频处理电路和基带芯片；RF芯片用于将230MHz信号搬移到中频段，生成中频信号并将中频信号发送至中频处理电路；中频处理电路用于对中频信号进行采样，将采样后的中频信号转换为基带信号，并将基带信号发送至基带芯片；基带芯片用于对基带信号进行调制解调处理。该230MHz微基站通过加入中频处理电路，实现在230MHz频段下传统RF芯片与基带芯片的衔接工作，实现了230MHz微基站的设计，使得该230MHz微基站适用于电力业务。
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公开(公告)号：CN108365847B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711483390.2
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03M1/14
摘要： 本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl＇并联组成，通过调节第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L‑1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl＇。所述针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度，特别适合高精度ADC的设计。
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公开(公告)号：CN108365847A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201711483390.2
申请日：2017-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03M1/14
摘要： 本发明公开了一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cd＇l并联组成，通过调节第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L-1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L-1)·Cu+Cdl+Cd＇l。所述针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度，特别适合高精度ADC的设计。
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公开(公告)号：CN118399958A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410416881.9
申请日：2024-04-08
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 复旦大学
摘要： 本发明公开了一种可重构模数转换器及其控制方法以及芯片，包括：采样电路，包括多个采样支路，采样支路对相应通道的外接信号进行差分采样，得到差分信号；电容阵列，对差分信号进行逐次逼近转换，得到转换信号；积分电路，包括多个积分子电路，用于对相应通道对应的转换信号进行无源积分，得到积分信号；比较电路，与多个积分电路分别连接，用于对转换信号和积分信号进行比较，并根据比较结果输出比较信号；第一控制电路，与比较电路、电容阵列分别连接，用于控制比较电路进行比较和电容阵列进行逼近转换，并生成数字信号。该重构模数转换器实现了转换速率与转换通道数的可重构配置，可以利用单个模数转换器对多路输入信号进行连续转换。
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公开(公告)号：CN115113680B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210869349.3
申请日：2022-07-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种频率补偿电路、稳压电路、电路的工作方法、装置及芯片，所述频率补偿电路包括：第一电流镜、第二电流镜以及补偿电阻R1和补偿电容C1，所述第二电流镜包括第一晶体管Q1A和第二晶体管Q1B，所述补偿电阻R1连接在所述第一晶体管Q1A的第二极和第二晶体管Q1B的第二极之间，所述补偿电容C1的第一端连接于所述第一晶体管Q1A的第二极，第二端连接于电源地。本公开的技术方案，通过补偿电阻和补偿电容引入一个位于稳压电路第二极点附近的零点，增加了所述稳压电路的相位裕度，提高了电路稳定性。
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