一种系统级单粒子效应影响表征参数的评价方法

    公开(公告)号:CN105893664B

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201610192270.6

    申请日:2016-03-30

    Abstract: 本发明公开了一种系统级单粒子效应影响表征参数及评价方法:根据系统功能分析,建立以元器件为底事件的系统功能模型,结合元器件单粒子敏感性分析,建立系统单粒子效应影响功能模型;基于单粒子效应试验数据,计算分析敏感元器件的单粒子事件率,采用故障注入、重离子辐照试验法或系统历史数据分析方法确定系统各层次间单粒子效应影响传递因子;基于单粒子事件的叠加性原理,计算系统单粒子事件率;结合单粒子效应影响中断时间,计算系统单粒子效应危害度和可用性。本发明采用定量的方法表征单粒子效应对系统的影响,并评价系统单粒子效应的影响后果,该方法可用于指导系统级单粒子效应风险的量化控制。

    一种基于紫外LED的航天器表面充电防护方法

    公开(公告)号:CN104732094B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201510145191.5

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于紫外LED的表面充电防护方法,属于微电子技术领域、空间辐射技术领域。计算航天器表面材料的光电流与入射光频率和功率的关系;首先获取航天器表面材料的光电子发射系数,建立光电流与入射光光谱辐照度的关系;(2)根据步骤(1)得到的光电流与入射光光谱辐照度的关系,选择一种合适的入射光频率;计算航天器表面材料在轨充电电流密度I;计算足以抵消充电电流所需的入射光功率,令J=I,得到p(λ)。

    一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法

    公开(公告)号:CN104732031B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201510145019.X

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,步骤如下:确定质子能量;确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;确定器件敏感区的材料和厚度;分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱;将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱;计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响,使得该方法更适合现代工艺条件下的器件,使得器件对质子影响的计算更加准确,可靠性大大增强。

    一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法

    公开(公告)号:CN105866573A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610183676.8

    申请日:2016-03-28

    CPC classification number: G01R31/00

    Abstract: 本发明一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,涉及一种基于加速器试验数据的系统单粒子防护效果验证的重离子和质子等效试验验证领域;包括:(1)采用基于LET值确定的地面加速器重离子试验;(2)分析质子静态翻转截面;(3)分析系统在任意工作模式下的敏感位因子;(4)分析系统在重离子辐照下的动态翻转截面;(5)分析系统在质子辐照下的动态翻转截面;本发明提供一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法,该方法可用于单粒子防护效果验证,解决国内加速器时间紧张以及难以实现高能质子试验的问题。

    一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法

    公开(公告)号:CN104732031A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510145019.X

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法,步骤如下:确定质子能量;确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度;确定器件敏感区的材料和厚度;分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱;将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱;计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响,使得该方法更适合现代工艺条件下的器件,使得器件对质子影响的计算更加准确,可靠性大大增强。

    一种空间微小碎片MOS电容传感器信号采集电路

    公开(公告)号:CN116754845A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310329874.0

    申请日:2023-03-30

    Abstract: 一种空间微小碎片MOS电容传感器信号采集电路,利用空间碎片撞击到MOS电容传感器产生的电压脉冲信号,包括放大器、阈值比较器、事件记录电路、脉冲信号采集电路,MOS电容传感器输出的电压脉冲经放大后;一路信号在大于设置阈值时经比较器输出为数字(状态)信号,数字信号在寄存器中保持,并编码;另一路信号经成滤波后输入到ADC,进行实施采集。电路针对MOS电容传感器的开路和短路模式,设置测量电阻和阈值,消除MOS电容表面接受的空间等离子充电电流信号引起的干扰、对MOS电容传感器工作状态是否短路、开路进行测量。

    一种在轨微小空间碎片多参数测量探头及测量方法

    公开(公告)号:CN112304365B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202011026809.3

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种在轨微小空间碎片多参数测量探头及测量方法,本发明属于空间碎片监测测量领域,涉及一种在轨被动微小碎片尺寸、速度、质量多个参数测量方法,用于航天器在轨空间碎片测量载荷。本发明的包括前后薄膜传感器、前后电荷收集电极、电荷测量放大器以及高频脉冲计数器。前后薄膜上镀有金属膜,前薄膜后、后薄膜前装有等间距电荷收集丝,收集电极与薄膜间加负直流电压,用于收集微小碎片撞击到前后薄膜产生的电荷信号。前后薄膜产生的电荷被收集电极收集,并由电荷放大器放大为电压脉冲信号,由高频脉冲计数器测量前后薄膜上的撞击信号的时间差,获得速度和方向信息。由电荷量信号获得撞击碎片能量,结合速度可以得到空间碎片的质量。

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