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公开(公告)号：CN113823733A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111044419.3
申请日：2021-09-07
摘要： 本发明的一种自旋力矩振荡器三维串并联同步阵列、振荡器及制备方法，包括打造多个PERP‑STNO振荡器形成的二维并联矩形阵列作为一个基本单元，本发明的先并联数个PERP‑STNO形成的矩形阵列基本单元再将这些基本单元进行桥接式串联或者沿垂直方向堆栈等组合，可实现增大同步的PERP‑STNO数量致使振荡器输出功率有效提高至实用程度；可解决垂直阵列所需的最邻近PERP‑STNO的垂直距离过小不能容纳其他磁层的问题；并且串并联混合电路连接的PERP‑STNO可和输出阻抗相匹配使功率能有效放大；可有效解决水平串联阵列只能沿一维方向延伸并因此被制约了放大信号的能力；能有效解决水平串并联阵列中PERP‑STNO过小间距(小于10纳米)诱导的自由层内部非均匀振荡带来的频率下降的问题。
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公开(公告)号：CN113699493A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111003983.0
申请日：2021-08-30
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种实现宽幅纳米颗粒束流的团簇束流沉积设备，包括中心溅射靶枪和侧溅射靶枪，所述中心溅射靶枪连接有驱动其旋转的驱动机构；所述中心溅射靶枪上固定套设有中心齿轮，所述中心齿轮啮合有行星齿轮，所述行星齿轮啮合有内齿圆；所述行星齿轮的中部套设有套筒，所述套筒采用圆管型结构。本发明通过设置中心齿轮，中心齿轮啮合有行星齿轮，行星齿轮啮合有内齿圆，中心齿轮转动后会带动行星齿轮沿着内齿圆圆周运动，从而实现侧溅射靶枪圆周溅射与中心溅射靶枪的溅射外圈重合。本发明通过设置溅射靶调节机构，通过带动齿条与齿轮的啮合实现套筒内侧溅射靶枪的偏转，但不宜偏转较大，否则容易造成溅射局部不均匀。
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公开(公告)号：CN113584449A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110872823.3
申请日：2021-07-30
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明的一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极，包括靶材、磁体、磁轭及靶座，还包括运动机构；靶材安装在靶座上方，磁体安装在磁轭上，位于靶座下方，磁体与阴极中轴偏心安装，即磁体中心与阴极中轴不重合；运动机构设置在磁轭的下方，磁轭连接到运动机构上，运动机构牵引磁轭从而带动磁体绕阴极中轴螺旋式周期旋转运动，旋转半径逐渐增大。本发明的磁体及磁轭通过运动机构实现螺旋式周期运动，靶材表面磁场同步螺旋式周期运动，靶材被均匀刻蚀，利用率大幅提高。
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公开(公告)号：CN113488538A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110600728.8
申请日：2021-05-31
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/24 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法，该场效应管包括场效应管本体，其中，所述场效应管本体采用二氧化钒材料形成且其中掺杂有氢离子；栅极，所述栅极设于所述场效应管本体的上端面；源极以及漏极，所述源极设于所述场效应管本体的第一侧面，所述漏极设于所述场效应管本体的第二侧面，其中，所述第二侧面与所述第一侧面相对。本发明中的场效应管具有开关比更高、开关速度更快、功耗更低的优势，利于推动半导体器件的发展。
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公开(公告)号：CN113361223A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110643868.3
申请日：2021-06-09
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 本发明的一种面向SOT‑MRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统，通过计算机设备实现，所述设计系统包含三种文件SOT‑MTJ单元库、工艺文件和物理验证规则文件；所述SOT‑MTJ单元库包含以下四个文件：SPICE仿真模型veriloga，符号symbol模块，版图layout模块和auCdl模块；本发明的自旋电子工艺设计包囊括了SOT‑MRAM相关电路设计所必需的各种文件，可辅助完成SOT‑MRAM的电路设计和版图设计；设计规则检查和版图与原理图一致性检查文件是根据SOT‑MTJ器件的具体特性和大量的实验数据而编写，具有高精确度和可靠性；本发明的磁性工艺设计包具有很高的灵活性，所采用的编程语言具有通用性，可通过简单的参数修改与不同工艺节点的传统工艺设计包兼容，具有高度的可扩展性和延展性。
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公开(公告)号：CN112885964A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110120943.8
申请日：2021-01-28
摘要： 本发明的一种多场调控忆阻器及其制备方法，多场调控忆阻器，为三层结构的RRAM，包括顶部电极、介电材料、底部电极、基底；顶部电极与底部电极具有不对称性，以金属作顶部电极，以MXene‑ZnO异质结材料作为介电材料，以氧化铟锡作底部电极，以玻璃片或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷作为基底。本发明用MXene‑ZnO为RRAM单元中的存储介质层材料，以旋涂的方式制备MXene‑ZnO层。通过用ZnO纳米颗粒原位修饰MXene纳米片，合成的异质结材料具有良好的绝缘性能、亲水性能和光学性能。本发明可实现基于电场、光场和湿度场调控电导态，同时具有制作工艺简单、大开关比、高存储密度、高稳定性等性能优点，因此具有良好的应用前景，能广泛应用于生活中多个领域。
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公开(公告)号：CN109902822A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910173095.X
申请日：2019-03-07
申请人： 北京航空航天大学合肥创新研究院 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明的一种基于斯格明子赛道存储器的内存计算系统及方法，可解决二进制卷积神经网络稀疏性问题，并且降低计算功耗。包括SRM-CIM的电路架构，SRM-CIM的电路架构包括行译码器Row Decoder、列译码器Column Decoder、电压驱动Voltage Supplier、存储阵列、感应电路MSC、计数器Bit-counter和模式控制器MC；所述电压驱动Voltage Supplier包括两个NMOS，所述两个NMOS分别和一个选择器MUX连接；所述感应电路MSC利用预充电读出放大器PCSA比较节点ab和节点cd之间的电阻大小；所述存储阵列采用斯格明子赛道存储器构成。本发明利用斯格明子赛道存储器设计内存计算架构，不仅在内存中实现存储，而且可以在内存进行计算操作。本发明有效支持二进制卷积计算，充分利用SRM的移位特性，减少数据内存访问冗余，减少了计算负担，大大降低功耗。
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公开(公告)号：CN108921291A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810727703.2
申请日：2018-07-05
申请人： 北京航空航天大学合肥创新研究院 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种面向脑电信号处理的低功耗计算架构，包括在FPGA处理器中构建的卷积计算模块、迭代计算模块和全连接模块，其中卷积计算模块有两层分别利用卷积进行并行计算；迭代计算模块在每次迭代过程中利用门间进行并行计算。本发明构建多模态处理系统，即利用脑电信号与其他信号共同作为系统的输入，共同进行识别、运算与控制，可以提高脑电信号识别的准确性。
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公开(公告)号：CN113515913B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202110295434.9
申请日：2021-03-19
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/398
摘要： 本发明的一种STT‑MRAM相关电路的磁性工艺设计方法，用于STT‑MRAM相关电路的设计，包括通过计算机工具配置设计系统，所述设计系统包括STT‑MTJ单元库、标准单元库、工艺文件及物理验证规则文件，所述STT‑MTJ单元库包含以下文件：SPICE仿真模型veriloga，符号symbol，版图layout和auCdl；所述标准单元库中包含基于MTJ设计的1T1R基本存储单元、与非门、或非门、读写电路基本单元的电路图、符号和版图，可用于设计过程中直接调用。本发明的磁性工艺设计包囊括了STT‑MRAM相关电路设计所必需的各种文件，可辅助完成STT‑MRAM的全流程设计；本发明的设计规则可根据工艺厂商流片的数据灵活地进行配置，具有高可靠性和实用性；本发明的磁性工艺设计包具有很高的灵活性，可通过简单的修改与不同工艺节点的传统工艺设计包兼容。
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公开(公告)号：CN114324083B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210011693.9
申请日：2022-01-06
摘要： 本发明涉及在线测试装置，具体涉及一种纳米团簇束流综合沉积在线测试系统，包括测试腔和第一取样腔，第一取样腔上设有沉积腔接口，第一取样腔内部转动连接有衬底座，第一取样腔上连通有纵向取样座、横向取样座，纵向取样座上设有第二取样腔，测试腔内部设有测试机构，纵向取样座、横向取样座内部均设有传样机构，测试机构包括固定于测试腔内部的第一安装座、第二安装座、第三安装座和反射镜，固定于第一安装座上的激光发射器、第一透镜组，固定于第二安装座上的第二透镜组，以及固定于第三安装座上的CCD传感器；本发明提供的技术方案能够有效克服无法有效将样品送入处于真空状态测试腔中的缺陷。
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