-
公开(公告)号：CN116231314B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310464492.9
申请日：2023-04-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种结合二维材料的电磁环境测量天线，属于无线电测量技术领域。所述结合二维材料的电磁环境测量天线，所述电磁环境测量天线包括：介质基板、微带馈线和辐射单元；所述辐射单元包括四个菱形环辐射贴片，四个菱形环辐射贴片呈阵列布置在所述介质基板上表面，每个菱形环辐射贴片与相邻的两个菱形环辐射贴片顶点相连；所述微带馈线设于介质基板上表面，与任意两个菱形环辐射贴片的连接处相连。该天线工作于太赫兹频段，天线的结构简单，该结构能产生双谐振频率，具有双频特性。
-
公开(公告)号：CN115939197B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310061014.3
申请日：2023-01-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。
-
公开(公告)号：CN115863397B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310056857.4
申请日：2023-01-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。
-
公开(公告)号：CN114966294B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210894078.7
申请日：2022-07-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种电力设备的可靠性试验系统及控制方法、装置和介质，属于可靠性试验技术领域。高温老化箱，设置于试验室端，用于容纳预期进行可靠性试验的第一电力设备；控制装置，设置于试验室端并与所述高温老化箱连接，用于设置在高温老化箱内对所述第一电力设备进行可靠性试验的试验环境参数，并监测第一电力设备在基于试验环境参数的可靠性试验下的运行情况；采集装置，其设置于位于现场端的第二电力设备的箱体内，用于采集第二电力设备内部的参考环境参数，并将该参考环境参数提供给控制装置以使得控制装置基于参考环境参数设置试验环境参数。本发明对于第一电力设备的试验环境参数设置更贴近实际，试验结果更准确可靠。
-
公开(公告)号：CN115186503A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210892389.X
申请日：2022-07-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
摘要： 本发明实施例提供一种设备寿命预测方法、装置及恒温加速试验系统，属于设备可靠性预测技术领域。设备寿命预测方法包括：获取设备中的各个电路板卡上的每个元器件对应于初始恒定温度的初始工作温度以及对应于第一恒定温度的第一工作温度；基于每个元器件的激活能、初始工作温度和第一工作温度，分别确定每个元器件的加速比；根据每个元器件的加速比和失效率，确定设备的加速比；以及根据从在第一恒定温度下开始对设备进行恒温加速试验至该设备中的任一电路板卡出现故障的试验时长和所确定的设备的加速比，预测设备的寿命。本发明实施例对设备寿命的预测更为精准可靠，并且无需试验大量样本，成本低，且适用性更强。
-
公开(公告)号：CN114896929A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210405357.2
申请日：2022-04-18
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC分类号： G06F30/36
摘要： 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统，属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载，所述方法包括：获取终端负载的阻抗匹配值；基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱，获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数；基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建，对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法，实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。
-
公开(公告)号：CN116520137A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310762995.4
申请日：2023-06-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
摘要： 本申请提供一种低噪声芯片引脚干扰测量辅助装置及测量系统，属于芯片电磁兼容测量技术领域。所述低噪声芯片引脚干扰测量辅助装置包括：辅助测量支架和多个SMA转BNC接头；所述辅助测量支架上开设有多个安装孔，多个所述SMA转BNC接头一一对应安装在所述安装孔内，且与所述辅助测量支架形成导电接触，多个所述安装孔间隔预设间距设置；所述辅助测量支架与地形成导电接触。该干扰测量辅助装置采用辅助测量支架实现接地，减少接地电阻，设计SMA转BNC接头用于连接被测芯片和示波器，有利于减小寄生电感。
-
公开(公告)号：CN116231314A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310464492.9
申请日：2023-04-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种结合二维材料的电磁环境测量天线，属于无线电测量技术领域。所述结合二维材料的电磁环境测量天线，所述电磁环境测量天线包括：介质基板、微带馈线和辐射单元；所述辐射单元包括四个菱形环辐射贴片，四个菱形环辐射贴片呈阵列布置在所述介质基板上表面，每个菱形环辐射贴片与相邻的两个菱形环辐射贴片顶点相连；所述微带馈线设于介质基板上表面，与任意两个菱形环辐射贴片的连接处相连。该天线工作于太赫兹频段，天线的结构简单，该结构能产生双谐振频率，具有双频特性。
-
公开(公告)号：CN115878631B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310054937.6
申请日：2023-02-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G06F16/22
摘要： 本发明涉及芯片领域，尤其涉及生产过程数据信息化领域，公开了一种用于变更数据库表的表结构的方法和装置。该方法包括：根据变更操作和变更事项修改预设数据库字段表和/或预设数据内容表；基于待变更数据类型标识，从预设数据库字段表和预设数据内容表中获取表字段名称信息和表字段内容信息；以及基于所获取的表字段名称信息和表字段内容信息，生成数据库表，以得到变更后的数据库表。藉此，实现了变更数据库表的表结构。
-
公开(公告)号：CN115878631A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310054937.6
申请日：2023-02-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G06F16/22
摘要： 本发明涉及芯片领域，尤其涉及生产过程数据信息化领域，公开了一种用于变更数据库表的表结构的方法和装置。该方法包括：根据变更操作和变更事项修改预设数据库字段表和/或预设数据内容表；基于待变更数据类型标识，从预设数据库字段表和预设数据内容表中获取表字段名称信息和表字段内容信息；以及基于所获取的表字段名称信息和表字段内容信息，生成数据库表，以得到变更后的数据库表。藉此，实现了变更数据库表的表结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
68 条记录 (耗时 0.176 秒)
