瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法

    公开(公告)号:CN116298653B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310586457.4

    申请日:2023-05-24

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本发明提供一种瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法,属于电磁干扰技术领域。瞬态电磁干扰注入装置包括:控制设备、有界波模拟器以及干扰信号耦合线;所述控制设备与所述有界波模拟器连接,用于控制所述有界波模拟器产生模拟电磁场;所述干扰信号耦合线设置在所述有界波模拟器的两极板的平行板段之间,且平行于所述有界波模拟器的平行板段产生的电场,用于将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号。该瞬态电磁干扰注入装置采用有界波模拟器作为干扰源,采用干扰信号耦合线将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号,以传导的形式将瞬态电磁干扰注入到待测设备的端口,能更接近设备实际应用过程中面临的严酷电磁环境。

    低频电磁测量装置及系统

    公开(公告)号:CN116500348A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310792306.4

    申请日:2023-06-30

    IPC分类号: G01R29/08 G01R1/18

    摘要: 本发明提供一种低频电磁测量装置及系统,属于低频电磁测量领域,包括:屏蔽舱,为密封的舱体结构,舱壁上开设有出线孔;连接件,设置在屏蔽舱的内壁的出线孔处;连接件由一体成型的第一连接部和第二连接部构成,第一连接部为片状结构,第二连接部为柱状结构,开设于第一连接部的贯穿孔与开设于第二连接部的轴向通孔共同作为连接件的连接孔,连接孔与出线孔构型匹配;低频电磁测量设备的测量设备本体设置在屏蔽舱内,线缆通过连接孔和出线孔通出屏蔽舱;第一屏蔽层,包覆在线缆表面且填充线缆与连接孔和出线孔之间的缝隙,第一屏蔽层由带状屏蔽膜呈螺旋状缠绕而成。通过本发明提供的装置,有效将低频电磁干扰引入地下,提高低频电磁屏蔽效果。

    瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法

    公开(公告)号:CN116298653A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310586457.4

    申请日:2023-05-24

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本发明提供一种瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法,属于电磁干扰技术领域。瞬态电磁干扰注入装置包括:控制设备、有界波模拟器以及干扰信号耦合线;所述控制设备与所述有界波模拟器连接,用于控制所述有界波模拟器产生模拟电磁场;所述干扰信号耦合线设置在所述有界波模拟器的两极板的平行板段之间,且平行于所述有界波模拟器的平行板段产生的电场,用于将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号。该瞬态电磁干扰注入装置采用有界波模拟器作为干扰源,采用干扰信号耦合线将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号,以传导的形式将瞬态电磁干扰注入到待测设备的端口,能更接近设备实际应用过程中面临的严酷电磁环境。

    芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置

    公开(公告)号:CN116930670A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311205204.4

    申请日:2023-09-19

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置,属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括:构建测试装置;根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征;将当前被测芯片连接到测试装置上;采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片;记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段,在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征,然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试,最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征,为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础,该方法适用范围广。