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公开(公告)号：CN108767071A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810371709.0
申请日：2018-04-24
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
CPC分类号： H01L33/305 , H01L33/005 , H01L33/504
摘要： 本发明公开了一种白光发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。包括衬底，以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、第一MoS2、第二MoS2层和P型层，有源层包括交替生长的InxGa1‑xN阱层和GaN垒层，0.1≤x≤0.18，电子和空穴在有源层中复合发出蓝色可见光，第一MoS2层为本征MoS2层，电子和空穴在第一MoS2层中复合发出红色可见光，第二MoS2层为掺O的MoS2层，电子和空穴在第二MoS2层中复合发出绿色可见光，则LED最终可发出白光，无需使用荧光粉。
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公开(公告)号：CN108598236A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810400258.9
申请日：2018-04-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/24
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层铺设在衬底上，N型半导体层的第一表面铺设在缓冲层上，N型半导体层的第二表面包括凸起部和凹陷部，第二表面为与第一表面相反的表面；有源层铺设在凸起部和凹陷部上，P型半导体层铺设在有源层上，P型半导体层和有源层的厚度之和小于凸起部的高度。本发明通过将N型半导体层设置有源层的表面从平面改成凹凸不平，增大了有源层的发光面积，提高LED的发光亮度；同时改变有源层发出光线的出射方向，有利于提高LED出光效率，进而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN108550668A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810167278.6
申请日：2018-02-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层、低温P型半导体层、电子阻挡层、高温P型半导体层、接触层，所述低温P型半导体层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置，每个所述第一子层为P型掺杂的铝镓氮层，每个所述第二子层为P型掺杂的氮化镓层。本发明通过铝镓氮层的势能较高，防止电子溢流，同时铝镓氮层和氮化镓层之间有利于形成二维电子气，可以促进空穴的扩展，提高空穴的注入效率，最终提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN105023979B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510300089.8
申请日：2015-06-03
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底、和依次层叠在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层、以及p型欧姆接触层，缓冲层包括：依次生长的SiN子层、AlN子层、以及YxGa1‑xN子层，0＜X＜0.5，Y为Al、Si、以及Mg中一个或者多个。本发明制备的缓冲层中，AlN子层能缓解制备出的GaN基外延片中心下凹的翘曲程度，YxGa1‑xN子层可以在一定范围内调节AlN子层产生压应力，使得制备出的GaN基外延片翘曲在一定范围内可控，进而提高GaN基外延片中心与边缘的电性及波长均匀性。
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公开(公告)号：CN108417672A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810101229.2
申请日：2018-02-01
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
CPC分类号： H01L33/005 , H01L33/12
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述发光二极管外延片还包括导热薄膜，所述导热薄膜设置在所述衬底和所述缓冲层之间，所述导热薄膜的组成物质包括碳单质，所述碳单质的原子个数占所述导热薄膜的原子个数的90％以上。本发明通过在衬底上先形成碳单质的原子个数在90％以上的导热薄膜，再在导热薄膜上依次层叠缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，由于碳单质的导热性很好，有利于多量子阱中铟原子的均匀分布，最终改善外延片的光电性能的一致性。
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公开(公告)号：CN108346725A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201711479868.4
申请日：2017-12-29
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片还包括设置在AlN缓冲层和未掺杂的GaN层之间的插入层，插入层的生长温度为300～600℃；插入层为AlGaN/GaN结构，或者N个周期的AlGaN/GaN超晶格结构，2≤N≤20且N为整数。AlGaN子层的生长温度较低，所形成的晶粒越小且越密集，这些晶粒会拉伸形变使得间隙闭合，降低表面能，产生张应力，促使外延片向变凹的方向发展，从而改善外延片的翘曲。由于低温生长的AlGaN子层晶体质量不佳，故引入GaN子层可以湮灭大量的位错，提高外延片底层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN108336191A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711297315.7
申请日：2017-12-08
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
CPC分类号： H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/40
摘要： 本发明公开了一种发光二极管芯片及制备方法，属于光电子制造技术领域。芯片包括衬底、外延层、P型电极和N型电极，外延层形成在衬底上，P型电极设置在外延层的第一表面上，第一表面为外延层的远离衬底的表面，外延层上设置有电极凹槽，N型电极设置在电极凹槽内。通过在发光二极管芯片的外延层的第一表面的位于P型电极之外的区域设置有钴酸镍纳米线阵列，其中第一表面为外延层的远离衬底的表面，钴酸镍纳米线阵列包括多根钴酸镍纳米线，多根钴酸镍纳米线上分别设置有多个钼酸镍纳米片，能够增加外延层的第一表面的粗糙度，减少发光二极管发出的光线在第一表面处的全反射，从而提高发光二极管的光提取效率。
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公开(公告)号：CN105679893B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610133101.5
申请日：2016-03-09
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片制作方法及发光二极管外延片，属于发光二极管领域。所述方法包括：提供一衬底；依次在所述衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层；其特征在于，所述P型层采用如下方式生长：以第一生长温度、第一生长压力和第一生长速率在所述电子阻挡层上生长第一厚度、第一Mg掺杂浓度的第一GaN子层；以第二生长温度、第二生长压力和第二生长速率在所述第一GaN子层上生长第二厚度、第二Mg掺杂浓度的第二GaN子层；以第三生长温度、第三生长压力和第三生长速率在所述第二GaN子层上生长第三厚度、第三Mg掺杂浓度的第三GaN子层。
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公开(公告)号：CN104993027B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510372561.9
申请日：2015-06-30
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括衬底、依次形成在所述衬底上的非掺杂层、N型层、N型电流扩展层、多量子阱层和P型层，所述N型电流扩展层包括AlGaN/n‑GaN超晶格结构，所述AlGaN/n‑GaN超晶格结构中AlGaN子层的Al的含量沿所述外延片的生长方向逐层增加，所述AlGaN子层中Al的含量为10％—80％。
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公开(公告)号：CN107369749A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710471164.6
申请日：2017-06-20
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管的外延结构，属于半导体器件外延技术领域。方法包括：N型层、发光层及P型层；发光层位于N型层与P型层之间，发光层覆盖N型层，P型层覆盖发光层；发光层至P型层的方向为P型层的势垒的生长方向，P型层的势垒沿生长方向逐渐递减。通过让P型层的势垒沿外延生长方向逐渐递减，使得P型层至发光层方向上的势垒逐渐增加，从而有利于更多的空穴进入到发光层，降低了对空穴的阻挡作用，进而能够有效提高发光层中空穴的浓度。另外，通过让P型层的势垒沿外延生长方向逐渐递减，使得靠近发光层的势垒最高，从而能有效阻挡电子溢流，进而可提高发光二极管的内量子效率。
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