公开(公告)号：CN1778663A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510115008.3

申请日：2005-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张毓华 ,  陈斐筠 ,  曾健庭 ,  朱翁驹 ,  彭俊凯 ,  叶志杰 ,  柏竟衡 ,  何大椿

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81C1/00253 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。

公开(公告)号：CN2795888Y

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200520005839.0

申请日：2005-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王升平 ,  张毓华 ,  陈斐筠 ,  何大椿 ,  陈加强

IPC: G02B26/00

CPC classification number: G02B26/0841

Abstract: 一种微镜，包括一基板、一反射层以及一保护层。反射层成形于基板上，并且包括有纯铝。保护层成形于反射层上，并且包括有氮化钛。

公开(公告)号：CN222261056U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420611536.6

申请日：2024-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游耀鸿 ,  何大椿 ,  吴国铭 ,  陈盈德 ,  陈益民

IPC: H01L23/538

Abstract: 本实用新型实施例涉及互连结构。互连结构包括被邻接介电质包围并设置在衬底上的第一金属线和第二金属线。第一介电层设置在第一金属线上，具有贯孔延伸穿过第一介电层并上覆于第一金属线的第一接点区。第二介电层设置在第一介电层、第一金属线和第二金属线上，具有第一介层孔和第二介层孔延伸穿过第二介电层，第一介层孔连接贯孔并上覆于第一接点区，第二介层孔上覆于第二金属线的第二接点区。第一通孔设置在第一接点区上并沿贯孔、第一介层孔和第二介电层的第一上表面延伸。第二通孔设置在第二接点区上并沿第二介层孔、第二介电层的第二上表面延伸。第一通孔包括第一凸缘，第一凸缘加衬于第一介电层的上表面并连接第一介电层和第二介电层的侧壁。