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公开(公告)号：CN101593751A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810212849.X
申请日：2008-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/872
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/872
Abstract: 一种集成电路结构，包括：一半导体基底；具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内部，其中该含金属膜层与该第一阱区形成一肖特基势垒；一隔离区，环绕该含金属膜层；以及具有该第二导电特性的一第三阱区，环绕该第一阱区的至少一中央部，其中该第三阱区具有较该第二阱区为高的一掺杂浓度，而该第三阱区包括相邻于该含金属膜层的一顶面以及高于该第一阱区与该第二阱区的底面的一底面。本发明的优点包括击穿电压的增加、漏电流的降低以及单位面积的开启电流的增加。
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公开(公告)号：CN1817782A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510127725.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电透明基底与其制程，其具有微机电系统位于其第一侧上，包括：形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上，不透明层包括第一材料，第一材料可由微机电系统释放制程移除；以及形成第二层于不透明层上，第二层包括第二材料，以防止在前端制造线时前端机械线因第一材料所造成的污染。本发明所述的微机电透明基底与其制程，可使得不透明层与第二层在前段线处理时保护基底背面，且避免因不透明层的第一材料在制程设备中产生污染，增加在预防性的维护操作间的生产片数，再者，可减少在现有前段线处理中的额外的Ti/OX移除步骤，且可减少因Ti/OX移除对循环时间与生产力所造成的负面影响，从而减少成本。
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公开(公告)号：CN100334478C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510053699.9
申请日：2005-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 一种微镜及微镜制造方法。包括：一种微镜，包括一基板、一反射层以及一保护层。反射层成形于该基板上，并且包括有纯铝。保护层成形于反射层上，并且包括有氮化钛。
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公开(公告)号：CN1778663A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510115008.3
申请日：2005-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00253 , B81C2201/0178 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。
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公开(公告)号：CN100539001C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127725.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电透明基底与其制程，其具有微机电系统位于其第一侧上，包括：形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上，不透明层包括第一材料，第一材料可由微机电系统释放制程移除；以及形成第二层于不透明层上，第二层包括第二材料，以防止在前端制造线时前端机械线因第一材料所造成的污染。本发明所述的微机电透明基底与其制程，可使得不透明层与第二层在前段线处理时保护基底背面，且避免因不透明层的第一材料在制程设备中产生污染，增加在预防性的维护操作间的生产片数，再者，可减少在现有前段线处理中的额外的Ti/OX移除步骤，且可减少因Ti/OX移除对循环时间与生产力所造成的负面影响，从而减少成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026202A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610137928.X
申请日：2006-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/035272 , B05D1/36 , B81C1/0038
Abstract: 本发明提供一种避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，在该方法中，在形成一厚膜后、在后续的热处理程序之前，将其分割成多个分离的区块。通过上述分割的步骤，可减少膜应力对上述厚膜与其下层材料之间的界面的作用，而避免在上述厚膜形成之后的后续热处理过程中发生脱层。已分割的厚膜的图形密度至少为80％，且上述分离的区块不会个别地作为元件结构。本发明所述的避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，避免了沉积厚膜发生脱层，提升了整个半导体装置的品质。
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公开(公告)号：CN101593751B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810212849.X
申请日：2008-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/872
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/872
Abstract: 一种集成电路结构，包括：一半导体基底；具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内部，其中该含金属膜层与该第一阱区形成一肖特基势垒；一隔离区，环绕该含金属膜层；以及具有该第二导电特性的一第三阱区，环绕该第一阱区的至少一中央部，其中该第三阱区具有较该第二阱区为高的一掺杂浓度，而该第三阱区包括相邻于该含金属膜层的一顶面以及高于该第一阱区与该第二阱区的底面的一底面。本发明的优点包括击穿电压的增加、漏电流的降低以及单位面积的开启电流的增加。
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公开(公告)号：CN100461466C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610137928.X
申请日：2006-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/035272 , B05D1/36 , B81C1/0038
Abstract: 本发明提供一种避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，在该方法中，在形成一厚膜后、在后续的热处理程序之前，将其分割成多个分离的区块。通过上述分割的步骤，可减少膜应力对上述厚膜与其下层材料之间的界面的作用，而避免在上述厚膜形成之后的后续热处理过程中发生脱层。已分割的厚膜的图形密度至少为80%，且上述分离的区块不会各别地作为元件结构。本发明所述的避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，避免了沉积厚膜发生脱层，提升了整个半导体装置的品质。
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公开(公告)号：CN1700054A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510053699.9
申请日：2005-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 一种微镜及微镜制造方法。包括：一种微镜，包括一基板、一反射层以及一保护层。反射层成形于该基板上，并且包括有纯铝。保护层成形于反射层上，并且包括有氮化钛。
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公开(公告)号：CN2795888Y
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200520005839.0
申请日：2005-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 一种微镜，包括一基板、一反射层以及一保护层。反射层成形于基板上，并且包括有纯铝。保护层成形于反射层上，并且包括有氮化钛。
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