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公开(公告)号：CN101740512A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810179204.0
申请日：2008-11-27
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/8234
摘要： 本发明提供了一种改善的氮氧化硅去除的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一半导体衬底；步骤2，在半导体衬底上设置浅沟槽隔离结构，区分半导体衬底中的有源区；步骤3，在半导体衬底上沉积介电层并去除部分介电层，使介电层仅位于有源区上方；步骤4，沉积多晶硅和氮氧化硅并去除其中的一部分，蚀刻后的多晶硅至少位于介电层上；步骤5，再沉积一层氧化物，而后蚀刻去除平坦部位的氧化物，保留多晶硅侧壁的氧化物；步骤6，去除氮氧化硅。本发明的有益效果为，可以仅多加一道步骤，可以在多晶体的两侧形成类似侧间隙壁的结构，从而有效的保护多晶体的外围不受SiON的蚀刻的影响，提高元件的性能。
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公开(公告)号：CN101414556B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710182024.3
申请日：2007-10-17
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/311
摘要： 本发明提出了一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法，包括以下步骤：步骤1，在基底上沉积底层多晶介电质，步骤2，再沉积氧化物-氮化物-氧化物层，步骤3，对氧化物-氮化物-氧化物层进行蚀刻，去除部分氧化物-氮化物-氧化物层，步骤4，再沉积顶层多晶介电质，对顶层多晶介电质和底层多晶介电质进行蚀刻。利用本发明的方法蚀刻，可以有效地清除ONO，避免ONO Fence的形成，提高产品合格率，使后续制造变得容易。
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公开(公告)号：CN101630691A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810133222.5
申请日：2008-07-14
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1362
摘要： 本发明涉及一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，包括玻璃基板内的嵌入式沟槽，其中依次排列金属栅极、栅介电质、非晶硅层，以及非晶硅层两侧的有源区，该薄膜晶体管的上部与玻璃基板的上部共面。采用本发明的结构，可以克服阻容迟滞所造成的“重影”问题，同时可以缩小薄膜晶体管的尺寸，提高开口率。
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公开(公告)号：CN100552965C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610119532.2
申请日：2006-12-13
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/822
摘要： 本发明提供一种图像传感器，其包含上面具有多个半导体器件的基板、设置在所述基板上的互连层以及嵌入所述互连层中的多个彼此隔离的光电二极管。所述彼此隔离的光电二极管位于所述半导体器件上方，且通过所述互连层电连接到所述半导体器件。在上述图像传感器中，所述互连层的厚度和层数不受限制，以便有助于制造SOC CMOS图像传感器。另外，所述图像传感器的优势在于相对较高的填充因数、节约布局面积和易于导入产业。此外，本发明还提供一种用于制造上述图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN101393886A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200710140645.5
申请日：2007-09-21
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/71 , H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/311 , H01L27/146 , G02B3/00 , G03F7/00
摘要： 本发明提出了一种图像传感器的微透镜的制造方法。现有的微透镜是采用对微透镜的材料进行热处理以使材料受到本身应力的作用形成一定曲率，这样在当图像传感器工作在温度较高的环境时就会造成微透镜变形而引起图像质量变差。本发明提出的图像传感器的微透镜的制造方法，采用制造集成电路常用的电介质材料来制造图像传感器的微透镜，可以使微透镜的耐热温度提高到不低于400℃，这将扩大图像传感器的适用范围。
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公开(公告)号：CN101667540B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810186310.1
申请日：2008-12-11
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L27/11526 , H01L27/11534
摘要： 本发明揭示一种半导体制程。首先，提供一基底，基底上已形成一堆叠结构及位于堆叠结构上的罩幕层。然后，形成氧化物层在罩幕层及至少部份堆叠结构的表面。接着，在堆叠结构的侧壁形成第一间隙壁。之后，在第一间隙壁的侧壁形成第二间隙壁。继而，进行第一蚀刻制程，以移除罩幕层的表面的氧化物层。然后，进行第二蚀刻制程，以同时移除罩幕层及第二间隙壁。本发明的半导体制程，利用双层间隙壁保护堆叠结构，可以大幅提升元件的可靠性及效能。
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公开(公告)号：CN101645435B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810131289.5
申请日：2008-08-04
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/00 , H01L21/02
摘要： 本发明揭示一种探测垫结构及其制造方法，此探测垫结构适于配置在晶圆的切割道区，具有凹槽及较小截面积，并提供探针较长的滑行距离。探测垫结构包括基底、至少一层导电层以及保护层。基底具有凹槽。导电层配置于基底上，且导电层包括第一金属层与第二金属层。第一金属层配置于凹槽上。第二金属层配置于第一金属层上，并延伸至凹槽以外的基底上。保护层配置于导电层上，保护层具有开口，且开口对应凹槽的位置而配置。
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公开(公告)号：CN101501835B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200680055457.6
申请日：2006-08-18
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3086
摘要： 一种用自对准氮化硅掩模形成浅沟槽隔离的方法，包括进行衬垫氧化层与氮化硅层的刻蚀；在衬垫氧化层与氮化硅层的侧壁生成氧化物隔离层，图案化氧化物隔离层；在氧化物隔离层空隙间注入自对准氮；通过表面快速热氮化形成自对准氮化硅硬掩模；剥离氧化物隔离层；刻蚀被剥离的氧化物隔离层下方的硅基片；在所述氮化硅硬掩模的下方进行氧注入；进行快速热氧化，形成沟槽氧化物；去除所述的氮化硅硬掩模。本发明的方法不需要传统意义的浅沟槽隔离刻蚀，填充以及平坦化等工艺过程，利用自对准氮化硅掩模就可以实现的完全平坦化的隔离氧化物，因此本方法操作简便，成本低。
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公开(公告)号：CN100595908C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200710106099.3
申请日：2007-05-31
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L21/8247
摘要： 本发明提供一种解决非易失性存储器(NVM)SiO2/SiN/SiO2叠层残留的制造方法，针对现有制造方法不能清除侧壁上的SiO2/SiN/SiO2叠层残留而发明，包含下列步骤：提供半导体衬底，在衬底上进行第一次多晶硅刻蚀，并在衬底上设置浅槽隔离区域；沉积氧化物填充薄膜于间隙中；大面积回蚀填充于多晶硅间隙中的氧化物，用于平坦化第一层多晶硅阵列中的间隙，从而在高压器件上形成间隔层；沉积SiO2/SiN/SiO2叠层薄膜；移除逻辑器件上的SiO2/SiN/SiO2叠层薄膜；沉积第二层多晶硅薄膜，用于形成浮置栅结构；刻蚀第二层多晶硅；刻蚀SiO2/SiN/SiO2三明治叠层薄膜层；刻蚀第一层多晶硅；刻蚀空隙填充薄膜层和间隔层氧化物。本发明实现了对遗留于侧壁的SiO2/SiN/SiO2三明治叠层的完全移除，提高产品的存储性能。
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公开(公告)号：CN101667540A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810186310.1
申请日：2008-12-11
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L27/11526 , H01L27/11534
摘要： 本发明揭示一种半导体制程。首先，提供一基底，基底上已形成一堆叠结构及位于堆叠结构上的罩幕层。然后，形成氧化物层在罩幕层及至少部份堆叠结构的表面。接着，在堆叠结构的侧壁形成第一间隙壁。之后，在第一间隙壁的侧壁形成第二间隙壁。继而，进行第一蚀刻制程，以移除罩幕层的表面的氧化物层。然后，进行第二蚀刻制程，以同时移除罩幕层及第二间隙壁。本发明的半导体制程，利用双层间隙壁保护堆叠结构，可以大幅提升元件的可靠性及效能。
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