公开(公告)号：CN113287368A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201980088682.7

申请日：2019-01-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  神崎庸辅 ,  山中雅贵 ,  孙屹

IPC: H05B33/06 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 包括；第一树脂层(8)，在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜(17)中，以将沿着弯曲部(B)的延伸方向形成的狭缝(S)填埋的方式设置；以及多个第一引绕配线(18h)，设置在第一树脂层(8)上，与弯曲部(B)的延伸方向正交的方向互相平行地延伸，在第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)之间，与第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)接触，并且以与各第一引绕配线(18h)的至少一部分重叠的方式设置有第一保护层(7a)。

公开(公告)号：CN112997236A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201880099376.9

申请日：2018-11-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  孙屹 ,  神崎庸辅 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

Abstract: 由于设置于边框区域的外缘附近的TEG设置于显示区域，且实际上配置于远离用于显示画面的TFT的位置，从而存在与显示区域内的TFT的特性的变化的方式不同的风险。因此，提供一种显示装置，所述显示装置的特征在于：TEG图案设置于显示区域与沟槽之间，虚设像素电路设置于显示区域与堰堤壁之间，TEG图案设置于显示区域的外侧，并且至少虚设电路相邻地设置。

公开(公告)号：CN108352138B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201680061839.3

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

Abstract: 阵列基板11b包括：多个输入端子部28；第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20，使第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a配设于多个输入端子部28与显示区域AA之间；多个端子布线部29，配设于第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20的上层侧而跨越第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a并且与多个输入端子部28连接；第二平坦化膜22，其配设于多个端子布线部29的上层侧且第二平坦化膜端部22a配设于比第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a靠输入端子部28侧；以及多个保护部30，配设于第二平坦化膜22的上层侧而分别覆盖多个端子布线部29中的与第二平坦化膜22非重叠的部分。

公开(公告)号：CN111133566A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201780095340.9

申请日：2017-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神崎庸辅 ,  齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  孙屹 ,  金子诚二

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 源极电极(76)覆盖形成于无机绝缘膜(73)及无机绝缘膜(75)的一个接触孔(81)，且分别电连接于在接触孔(81)内露出的栅极电极(72)及电容电极(74)。

公开(公告)号：CN106233196B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201580019855.1

申请日：2015-04-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  金子诚二 ,  齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  井手启介 ,  松木园广志

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

Abstract: 液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。

公开(公告)号：CN103545318B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。

公开(公告)号：CN105765729A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064634.1

申请日：2014-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  高丸泰 ,  井手启介 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN103477441B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280019248.1

申请日：2012-04-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极(11a)；覆盖栅极电极(11a)的栅极绝缘膜(12a)；设置在栅极绝缘膜(12a)上的包含氧化物半导体的半导体层(13a)；隔着还原性高的金属层(15aa、15ab)设置于半导体层(13a)且夹着沟道区域(C)地相互分离的源极电极(16aa)和漏极电极(16ab)；设置于半导体层(13a)的导电区域(E)；和设置于半导体层(13a)且抑制导电区域(E)对沟道区域(C)的扩散的扩散抑制部(13ca、13cb)。

公开(公告)号：CN104103668A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410144456.5

申请日：2014-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  片山雅博 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。

公开(公告)号：CN102986012B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201180034015.4

申请日：2011-07-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中谷喜纪 ,  齐藤裕一 ,  冈本哲也 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133397 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288

Abstract: 各TFT（5a）包括：栅极电极（11aa）；以覆盖栅极电极（11aa）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11aa）重叠的方式设置有沟道区域（C）的半导体层（13b）；在半导体层（13b）上以使得沟道区域（C）露出并且隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（14aa）和漏极电极（14ba），各辅助电容（6a）包括：电容线（11ba）；以覆盖电容线（11ba）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11ba）重叠的方式设置的半导体层（13b）；和在半导体层（13b）上设置、与各像素电极（16a）连接的漏极电极（14ba），包含氧化物半导体的半导体层（13b）与包含氧化物导电体的各像素电极（16a）相互接触。