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公开(公告)号：CN117735557A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311750938.0
申请日：2023-12-19
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子前驱体提纯领域，尤其涉及二碘硅烷的提纯方法，所述提纯方法包括以下步骤：（S.1）去除精馏纯化器中残留的空气；（S.2）将粗品二碘硅烷置于精馏纯化器中，逐渐降低精馏纯化器的温度至二碘硅烷的凝固临界温度，并在搅拌条件下向粗品二碘硅烷中持续通入携带气体；（S.3）进一步降低精馏纯化器的温度使得二碘硅烷凝固，同时对精馏纯化器内部进行减压处理，从而除去低沸点杂质；（S.4）对二碘硅烷进行精馏处理，收集馏分得到电子级二碘硅烷。本申请中通过在精馏过程中通过精准降低精馏纯化器中的温度至二碘硅烷的凝固临界温度以及凝固点以下的温度，从而能够有效降低粗品二碘硅烷中的低沸点杂质含量，最终制备得到电子级二碘硅烷。
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公开(公告)号：CN110127702B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910418607.4
申请日：2019-05-20
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C01B32/77
摘要： 本发明公开了一种制备氧硫化碳气体的方法及装置，该方法包括将硫氰酸铵溶液和浓硫酸同时滴加入装有一定浓度的硫酸溶液中进行反应，生成的氧硫化碳气体经过冷凝、干燥、压缩后充装；该装置，由反应釜、原料滴加罐A、原料滴加罐B、冷凝器、干燥器、压缩机、产品瓶通过管路相接而成。本发明提出的硫氰酸铵和浓硫酸同时滴加的反应方式可显著提高硫氰酸铵与硫酸反应的效率，减少杂质的生成，大幅提高氧硫化碳产品的收率，产品收率可达93%以上。
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公开(公告)号：CN115254163B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210777816.X
申请日：2022-07-04
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子特气领域，尤其涉及一种催化剂及其制备方法和在六氟丁二烯制备过程中的应用，所述催化剂包括由层状结构矿物构成的基材；所述基材表面包覆有一层碳层；所述碳层中掺杂有氮原子；所述碳层中还负载有金属卤化物。本发明中的催化剂能够有效降低1,4‑二卤全氟丁烷在转变成六氟丁二烯时所需要的能量，使得反应的选择性以及反应速度也迅速提升本发明采用淤浆法制备六氟丁二烯，整体反应温和可控，无需使用高活性易分解的原料，大大降低了反应时的难度以及后续处理的难度，使得反应能够在更温和的条件下高效率进行，并且本发明其制备方法简单，无需特别的保护处理，且成本低廉，能够有利于产业化使用。
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公开(公告)号：CN116216774A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310055574.8
申请日：2023-01-18
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C01G23/02
摘要： 本发明涉及四氯化钛精制领域，尤其涉及四氯化钛中含钒杂质的去除方法，包括以下步骤：(S.1)将粗品四氯化钛分散于非挥发性的稀释剂中，得到粗品四氯化钛溶液；(S.2)向粗品四氯化钛溶液中加入除钒试剂；(S.3)提升粗品四氯化钛溶液的温度，将粗品四氯化钛中的三氯氧钒杂质还原成的二氯氧钒；(S.4)过滤，将滤液进行精馏从而获得除钒后的四氯化钛。本发明通过改变除钒过程中的体系条件以及除钒试剂的物料种类，而能够有效去除粗品四氯化钛中三氯氧钒杂质，同时各个物料均可有效回收再利用，降低了提纯成本，同时提升了附加产值。
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公开(公告)号：CN115584482B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211324335.X
申请日：2022-10-27
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , B01J20/30 , B01J20/32
摘要： 本发明涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及钽源前驱体的纯化方法，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于不具有挥发性的惰性液体介质中，得到吸附浆料；（S.2）将粗品钽源前驱体溶于吸附浆料中，使得粗品钽源前驱体与吸附剂相接触，从而使得粗品钽源前驱体中的杂质被吸附剂所吸附；（S.3）提升吸附浆料的温度至钽源前驱体的蒸发温度，使得钽源前驱体蒸发，从而形成钽源前驱体蒸汽；（S.4）收集钽源前驱体蒸汽并将其冷凝，得到高纯钽源前驱体。本发明在钽源前驱体的纯化过程中通过改变对于钽源前驱体的纯化方式，简化了提纯步骤，有效提高了纯化效率以及纯化效，并且在提纯过程中还有效降低了钽源前驱体纯化过程中的能源消耗。
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公开(公告)号：CN114849671B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210652998.8
申请日：2022-06-10
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子工业原料的提纯领域，尤其涉及杂质吸附剂、制备方法及利用该吸附剂提纯三甲基铝的方法，所述杂质吸附剂，包括硅胶粉主体；所述硅胶粉主体的外部包覆有聚多巴胺层；所述聚多巴胺层的外部接枝连接有聚合物链段；所述聚合物链段中存在含有氮原子杂环基团。本发明通过物理吸附以及化学配位吸附联用的手段，有效提升了对于三甲基铝中金属离子杂质的吸附效果，能够将三甲基铝中ppm级别的金属离子降低至ppb级别。同时，本发明中三甲基铝的提纯方法较为简单，其仅仅只需要将三甲基铝经过简单的精馏，即可将三甲基铝中的金属离子杂质除去。
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公开(公告)号：CN115254163A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210777816.X
申请日：2022-07-04
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子特气领域，尤其涉及一种催化剂及其制备方法和在六氟丁二烯制备过程中的应用，所述催化剂包括由层状结构矿物构成的基材；所述基材表面包覆有一层碳层；所述碳层中掺杂有氮原子；所述碳层中还负载有金属卤化物。本发明中的催化剂能够有效降低1,4‑二卤全氟丁烷在转变成六氟丁二烯时所需要的能量，使得反应的选择性以及反应速度也迅速提升本发明采用淤浆法制备六氟丁二烯，整体反应温和可控，无需使用高活性易分解的原料，大大降低了反应时的难度以及后续处理的难度，使得反应能够在更温和的条件下高效率进行，并且本发明其制备方法简单，无需特别的保护处理，且成本低廉，能够有利于产业化使用。
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公开(公告)号：CN114162830A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111681448.0
申请日：2021-12-31
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C01B35/06
摘要： 本发明涉及化工分离技术领域，具体涉及一种电子级三氯化硼的制备方法及其所获得的三氯化硼，在生成目标产物三氯化硼之前，先使金属杂质与氯气生成金属氯化物，由于金属与氯气反应温度通常在350℃至450℃，低于碳化硼与氯气生成三氯化硼的温度。因此在控制温度条件，可以将两种产物分开生成。生成的金属氯化物在400℃至450℃温度下已经气化，随着未反应的氯气排出。去除金属杂质后，再进行碳化硼与氯气的反应，生成目标产物三氯化硼。本发明可以深度去除三氯化硼中的金属氯化物杂质，去除率达到95%以上。结合吸附和精馏，对其它杂质进行有效去除，得到的三氯化硼纯度达到99.999%，满足5N标准。
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公开(公告)号：CN112678829A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110105858.4
申请日：2021-01-26
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C01B33/04
摘要： 本发明公开了一种高纯乙硅烷连续生产系统及制备工艺，属于化工反应分离技术领域。进料管路与预热器的一端连接，预热器的另一端通过管路与反应器的进料端连接，反应器的出料端通过管路与过滤器的一端连接，过滤器的另一端通过管路与精馏塔Ⅰ连接，精馏塔Ⅰ塔顶通过管路与反应器进料端连接，精馏塔Ⅰ塔底通过管路与精馏塔Ⅱ连接，精馏塔Ⅱ塔顶通过管路与反应罐连接，精馏塔Ⅱ塔底通过管路与收集器连接。本发明所述系统可以实现高纯乙硅烷的产品的连续化生产，本系统生产的乙硅烷纯度达到99.999％以上。
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公开(公告)号：CN118221718A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410320088.9
申请日：2024-03-20
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
IPC分类号： C07F7/10
摘要： 本发明涉及电子特气领域，尤其涉及一种氨基硅烷的提纯方法，所述方法包括以下步骤：(S.1)提供一个精馏塔，所述精馏塔包括塔釜以及精馏柱，所述塔釜内部装载有吸附剂，所述精馏柱内部填充有吸附填料；所述吸附剂中包含有金属氧化物以及包含有羰基的阴离子聚合物；(S.2)将粗品氨基硅烷加入到塔釜内部，使得粗品氨基硅烷与塔釜中的吸附剂接触；(S.3)提升塔釜温度，使得氨基硅烷回流与精馏柱中的吸附填料接触，收集从精馏柱中流出的馏分，得到电子级氨基硅烷。本发明中的提纯方法采用了吸附剂和精馏的组合方式，通过吸附剂去除粗品氨基硅烷中的杂质，然后通过精馏进一步提纯。这种组合方式可以有效去除氨基硅烷中的杂质，提高纯度。
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