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公开(公告)号：CN106915760B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201510999590.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C01F17/235 , C01F17/10 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种氧化铈的制备方法及其在STI抛光领域的应用，其中，所述的制备方法包括：首先对前驱体碳酸铈进行球磨分散，然后对所得碳酸铈前驱体进行水热晶化预处理，进一步高温焙烧所制备的晶态碳酸铈，得到氧化铈粉体。将该氧化铈粉体经机械力分散于液相，以该分散的氧化铈为磨料制备CMP抛光液，其在STI抛光应用中显示出优良的平坦化抛光效率。
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公开(公告)号：CN111378371A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811627089.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种焦性没食子酸在二氧化硅抛光中的用途，所述焦性没食子酸与化学机械抛光液混合使用，所述化学机械抛光液包括氧化铈研磨颗粒，所述焦性没食子酸的浓度为20-1000ppm，所述化学机械抛光液的pH为4.5。本发明通过向化学机械抛光液中添加焦性没食子酸，能够适当抑制二氧化硅的抛光速率，从而避免了抛光过程中在二氧化硅表面产生蝶形缺陷，提升了抛光产品的质量。
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公开(公告)号：CN109251677A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710570203.8
申请日：2017-07-13
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈研磨颗粒、苯甲酸类化合物及pH调节剂。采用上述组分的抛光液，可以显著提高其对二氧化硅介质层的抛光速率，抑制氮化硅的抛光速率，提高二氧化硅对氮化硅的选择比，同时克服现有技术中抛光速率不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN108249469A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611231305.9
申请日：2016-12-28
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
CPC classification number: C01F17/0043 , C09G1/02
Abstract: 本发明一方面涉及一种氧化铈颗粒制备方法，其特征在于，包括以下步骤：溶解可溶性铈源，向溶解后的铈源水溶液中加入有机酸溶液，加入沉淀剂进行沉淀反应，沉淀反应结束后，进行水热晶化反应，冷却，洗涤纯化，得到氧化铈产物。本发明另一方面提供一种化学机械抛光液，其中含有按上述方法制备的氧化铈颗粒。本发明所合成氧化铈无需其它特殊处理，具有良好的分散性和抛光活性，作为磨料应用于STI抛光，可以达到较高的TEOS抛光速率和TEOS/SiN抛光选择比。
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公开(公告)号：CN118270824A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211718840.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C01F17/235 , C09G1/02 , C01F17/10
Abstract: 本发明提供了一种氧化铈的合成方法，包括，S1：分别配置可溶性铈盐水溶液和沉淀剂水溶液，将所述可溶性铈盐水溶液加入至沉淀剂水溶液中，在室温下搅拌；S2：升温至反应温度，保持所述反应温度第一时间；S3：冷却至室温，过滤洗涤沉淀物，并进行干燥，得到球形碳酸铈粉末；S4：高温焙烧所述球形碳酸铈粉末，得到氧化铈产物。本发明的氧化铈合成方法能够合成球形氧化铈；并且，能够实现对球形氧化铈磨料形貌控制；通过本发明中的合成方法合成出的氧化铈磨料在抛光过程中对硅片的划伤率较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118270822A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211718694.3
申请日：2022-12-29
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C01F17/235 , C01F17/10 , B82Y40/00 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种氧化铈的合成方法，包括，S1：分别配置可溶性铈盐水溶液和沉淀剂水溶液，所述可溶性铈盐掺杂可溶性非稀土化合物，将所述可溶性铈盐水溶液加入至所述沉淀剂水溶液中，在密闭反应容器中混合，常温下进行剧烈搅拌；S2：升温至晶化温度，进行晶化合成反应；S3：分离固体，依次进行干燥和焙烧，得到氧化铈产物。相较于现有技术，本发明的氧化铈合成方法通过元素掺杂对颗粒形貌和抛光活性的调控，所合成氧化铈经分散处理后，显示出良好的CMP抛光性能。
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公开(公告)号：CN116413175A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111660264.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: G01N15/04
Abstract: 本发明提供一种纳米颗粒沉降检测装置，包括：沉降柱，用于所述纳米颗粒进行沉降，所述沉降柱的柱体上设有竖直方向上均匀分布的取样口；检测模块，包括压力传感器与控制装置，用于测量和记录和分析所述沉降柱内的压力；底座，包括底盘和支架，用于固定与支撑所述沉降柱。本发明提供的纳米颗粒沉降检测装置，能够检测纳米颗粒的沉降情况，借助沉降方法能够有效减小纳米颗粒的粒度分布宽度，并能评价批次间的稳定性；同时，便于取样，可以与其他检测装置联用，更加灵活、方便，具有广泛的使用前景。
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公开(公告)号：CN111378371B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201811627089.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种焦性没食子酸在二氧化硅抛光中的用途，所述焦性没食子酸与化学机械抛光液混合使用，所述化学机械抛光液包括氧化铈研磨颗粒，所述焦性没食子酸的浓度为20‑1000ppm，所述化学机械抛光液的pH为4.5。本发明通过向化学机械抛光液中添加焦性没食子酸，能够适当抑制二氧化硅的抛光速率，从而避免了抛光过程中在二氧化硅表面产生蝶形缺陷，提升了抛光产品的质量。
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