公开(公告)号：CN114761629B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202180006615.3

申请日：2021-01-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC: C30B29/36 ,  C30B1/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/161

Abstract: 双轴取向SiC复合基板(10)具备：第一双轴取向SiC层(20)，其包含贯通螺旋位错以及基底面位错；以及第二双轴取向SiC层(30)，其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成，并含有1×1016atoms/cm3以上且1×1019atoms/cm3以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)的缺陷密度。

公开(公告)号：CN117940620A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202180102294.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫风里纱 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC: C30B29/36 ,  C04B35/577 ,  C30B1/02

Abstract: 本发明提供一种能够减少基板加工时的破裂和裂纹的包含稀土的SiC基板。该包含稀土的SiC基板具备B的浓度CB相对于稀土元素的浓度CRE的比CB/CRE为1.0×10‑2～1.0×105的双轴取向SiC层。

公开(公告)号：CN117425752A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202180099091.7

申请日：2021-10-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野崎史恭 ,  松岛洁 ,  吉川润

IPC: C30B29/36

Abstract: 提供一种基底面位错密度低且翘曲量小的SiC单晶基板的制造方法。该制造方法包括：将作为晶种的SiC单晶和SiC粉末层以相互接触的状态配置于容器内的工序；将容器配置于烧成炉内的被控制为设定温度±50℃以内的温度域的有效加热带来进行热处理，由此使SiC单晶在晶种上生长的工序。

公开(公告)号：CN115057711A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210702305.1

申请日：2018-10-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  佐藤圭 ,  松岛洁 ,  前田高宏 ,  吉川润 ,  七泷努

IPC: C04B35/645 ,  C04B35/111 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。

公开(公告)号：CN107531576B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201680025071.4

申请日：2016-05-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 松岛洁 ,  渡边守道 ,  佐藤圭 ,  七泷努

IPC: C04B35/115 ,  G01N23/207 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5％以上的面，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，所述氧化铝烧结体包含Mg、F，Mg/F的质量比为0.05～3500，Mg的含量为30～3500质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的气孔为250个以下，直径0.2～0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长450nm～1000nm处的直线透过率为60％以上。亦即，本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5％以上、直线透过率也较高，所以透明性优异。

公开(公告)号：CN108025981B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201680050865.6

申请日：2016-09-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 松岛洁 ,  渡边守道 ,  佐藤圭 ,  七泷努

IPC: C04B35/115 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为5％以上，且摇摆曲线测定中的XRC半值宽度为15.0°以下，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，用D－SIMS测定时的F含量低于0.99质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～1.0μm的气孔的数量为25个以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长300nm～1000nm处的直线透过率较高，透明性优异。

公开(公告)号：CN108137411B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201680050576.6

申请日：2016-09-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  佐藤圭 ,  松岛洁 ,  七泷努

IPC: C04B35/111

Abstract: 作为本发明的一种实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：在对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后，利用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。

公开(公告)号：CN108025979A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680050570.9

申请日：2016-09-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  佐藤圭 ,  松岛洁 ,  七泷努

IPC: C04B35/111

CPC classification number: C30B29/20 ,  C01F7/02 ,  C01P2002/54 ,  C04B35/111 ,  C30B1/12 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B28/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/6835 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/6835

Abstract: 作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。