公开(公告)号：CN109023525A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811190245.X

申请日：2018-10-12

申请人： 天通银厦新材料有限公司

发明人： 康森 ,  丁钰明 ,  常慧 ,  石天虎 ,  尚吉龙 ,  鲍磊 ,  韩斌 ,  王国强

IPC分类号： C30B29/20 ,  C30B11/00

CPC分类号： C30B29/20 ,  C30B11/007

摘要： 本发明公开了一种底座可移动的蓝宝石晶体生长炉，其包括炉体，炉体内上部分为主腔，下部分为移动腔；移动腔内设有坩埚升降装置，坩埚升降装置由支撑底座、丝杠机构及同步电机构成，支撑底座水平安装于丝杠机构之间，同步电机设置于移动腔的底部，且与丝杠机构相连接而驱动支撑底座上下运动；支撑底座上固定焊接有支撑柱，支撑柱上方固定安装坩埚托盘，坩埚托盘上设置坩埚；支撑底座上于坩埚托盘下方设置有底加热器，底加热器下端设有底保温板。本发明采用同步电机驱动丝杠机构旋转来控制坩埚升降装置的升降，不仅实现了坩埚在炉内上下运动，且坩埚的升降位置与速度为可调控的，更加有效地提高了装卸料的效率和装卸料过程中的安全性能。

公开(公告)号：CN108977883A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201811086478.5

申请日：2018-09-18

申请人： 武汉理工大学

发明人： 贺振华 ,  朱世飞

IPC分类号： C30B29/20 ,  C30B1/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00

CPC分类号： C30B29/20 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  C30B1/00

摘要： 本发明涉及一种多孔氧化铝单晶材料的制备方法。一种采用微波烧结制备多孔氧化铝单晶材料的方法，其特征是它包括如下步骤：(1)电脑三维建模；(2)3D打印：将步骤(1)得到的三维多孔堆垛结构模型进行3D打印制备，3D打印机选取为熔融沉积型3D打印机，3D打印材料为聚乳酸（PLA）；(3)填充氧化铝粉体，预压样品；(4)微波烧结：将步骤(3)得到的预压样品放入微波烧结炉中，在空气常压烧结气氛下，温度1200～1500摄氏度，微波烧结1～120分钟，得到多孔材料；(5)表面处理：将(4)获得的多孔材料进行表面处理，获得多孔氧化铝单晶材料。该方法烧结时间短、节能环保、多孔材料孔隙可调控，该方法制备的多孔氧化铝单晶材料是多孔催化剂的潜在应用材料。

公开(公告)号：CN108950676A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810781626.9

申请日：2018-07-16

申请人： 苏州四海常晶光电材料有限公司

发明人： 陈建玉

IPC分类号： C30B15/12 ,  C30B29/28 ,  C30B29/22 ,  C30B29/20 ,  C30B29/34

CPC分类号： C30B15/12 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22 ,  C30B29/28 ,  C30B29/34

摘要： 本发明公开了一种还原气氛双感应钼坩埚提拉法晶体生长方法，其特点是：将需要生长的晶体原料放入钼坩埚中，钼坩埚外放置一个比钼坩埚长约20％的钼桶，下保温采用氧化锆，上保温采用硬质碳毡保温，用扩散泵抽高真空，冲入Ar(N2)+H2的混合气体，铜线圈感应加热钼环和钼桶发热使钼坩埚中的原料融化采用提拉法生长晶体。采用全自动控制系统实现全自动无人值守晶体生长。

公开(公告)号：CN108884591A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780009775.7

申请日：2017-01-26

申请人： 普兰西股份有限公司

发明人： 迈克尔·马克 ,  汉尼斯·特拉克斯勒 ,  迈克尔·奥沙利文 ,  沃尔夫拉姆·克纳布尔 ,  亚力山大·洛里奇 ,  罗伯特·席夫特纳

IPC分类号： C30B29/20 ,  C30B35/00

CPC分类号： C30B35/002 ,  C30B29/20

摘要： 一种由钨或钼的基体材料或基于钨或钼的材料制造的具有壁(3)的坩埚(1)，其特征在于阻挡层(2)至少部分被配置在壁(3)的外侧(6)和/或壁(3)中，阻挡层(2)由具有对于碳和/或氧比基体材料更高的亲和度的金属材料制造。

公开(公告)号：CN108754615A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810823697.0

申请日：2018-07-25

申请人： 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司

发明人： 左洪波 ,  杨鑫宏 ,  李铁 ,  周德印

IPC分类号： C30B35/00 ,  C30B29/20

CPC分类号： C30B35/00 ,  C30B29/20

摘要： 本发明提供了一种单晶炉用电极结构，它是由拼接在一起的两块电极板，可安装铜电极连接板的凹槽和安装在电极板上的铜柱结构组成。两块电极板安装在一起呈圆形或方形，内侧开有凹槽，电极板内部为中空结构，可安装铜电极连接板的凹槽上有内螺纹，方便两者之间连接固定；安装在电极板上的铜柱为中空结构，两端有外螺纹，分别与电极板和冷却水的接头连接，中间部分与电源连接。本发明电极结构可以增大与发热体上铜电极连接板的接触面积，提高稳定性，冷却水可以在电极板内部流通带走热量，减少因内部温度过高对电极的损坏，同时可以铜柱结构任意调节电极板与大炉盖之间的距离，使单晶炉内的温度梯度分布更合理，利于蓝宝石单晶的生长。

公开(公告)号：CN108088535A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711370801.7

申请日：2017-12-19

申请人： 南京晶升能源设备有限公司

发明人： 李辉 ,  王荣 ,  罗汉昌 ,  潘展 ,  姜宏伟

IPC分类号： G01G17/00 ,  G01G23/00 ,  G01G23/01 ,  C30B17/00 ,  C30B29/20

CPC分类号： G01G17/00 ,  C30B17/00 ,  C30B29/20 ,  G01G23/005 ,  G01G23/01

摘要： 本发明公开了一种蓝宝石单晶炉的晶体称重装置，包括提升部件、称重部件、籽晶旋转部件；所述称重部件包括小量程传感器、大量程传感器；小量程传感器、大量程传感器设置在真空腔外，且背对背安装，传感器之间的连接为点接触，这样就不存在称重过程中支撑点高度不一致的情况。彻底的避免了传统机构中称重支点与称重负载盘间的球面配合的摩擦，提高了称重的重复性和可靠性。也使结构较传统机构简化。本发明还提供了一种称重方法。

公开(公告)号：CN108025979A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680050570.9

申请日：2016-09-26

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 渡边守道 ,  佐藤圭 ,  松岛洁 ,  七泷努

IPC分类号： C04B35/111

CPC分类号： C30B29/20 ,  C01F7/02 ,  C01P2002/54 ,  C04B35/111 ,  C30B1/12 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B28/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/6835 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/6835

摘要： 作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。

公开(公告)号：CN107904656A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711237383.4

申请日：2017-11-30

申请人： 南京晶升能源设备有限公司

发明人： 李辉 ,  大卫·肯尼斯·李斯 ,  毛瑞川 ,  张小潞 ,  张熠

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/20

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B29/20

摘要： 本发明公开了一种蓝宝石单晶炉底部加热器，包括发热体，发热体包含外层段、自外层段弯折处向内弯折的中层段、自中层段弯折处向内弯折的内层段，自外向内的每一段加热器部分的长度逐渐缩短且横截面积逐渐增大，在加热器通电的电流恒定情况下，发热体由外向内的发热量逐层降低，梯度更符合单晶炉中的晶体生长需要，发热体发热稳定性好。本发明还提供了使用蓝宝石单晶炉底部加热器的单晶炉。

公开(公告)号：CN105565292B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410594881.4

申请日：2014-10-29

申请人： 北京大学

发明人： 张锦 ,  胡悦 ,  康黎星 ,  赵秋辰 ,  张树辰

IPC分类号： C01B32/159 ,  C01B32/162 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C30B29/02 ,  B05D1/005 ,  B05D1/60 ,  B05D3/007 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0233 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/22 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/186 ,  C30B29/20 ,  C30B31/04 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0566 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/938

摘要： 本发明公开了一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法，包括如下步骤：在单晶生长基底上加载催化剂，退火后，在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应，并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米，这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试，其开电流密度达到380μA/μm，跨导达到102.5μS/μm，均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。

公开(公告)号：CN107304483A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610245103.3

申请日：2016-04-19

申请人： 秦素芳

发明人： 唐斌 ,  秦素芳

IPC分类号： C30B29/20 ,  C30B33/02

CPC分类号： C30B29/20 ,  C30B33/02

摘要： 本发明公开了一种优质蓝宝石高效制备装置。为了克服现有人工蓝宝石制备装置难以制备加工性能优良的人工蓝宝石晶体材料，废品率高，效率低等不足，本发明在所述晶体容器的内腔设有加温机构，在所述腔盖设有连通内腔的盖气管，在所述腔底设有连通内腔的底气管，在所述腔壁设置了壁水腔，在所述腔盖设有盖水腔。本发明用于制造人工蓝宝石晶体材料，它能够制备优质人工蓝宝石晶体材料，内部热应力去除彻底，抗弯折强度高，不易崩裂，光学均匀性好，后续加工性能好，废品率低，成材性好，效率高，效益好。