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公开(公告)号：CN116121585A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211103029.3
申请日：2022-09-09
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
摘要： 本发明提供了一种锡磷青铜合金带材及其制备方法。以质量百分比计，该锡磷青铜合金带材包括：4.0～10wt％的Sn、0.01～0.3wt％的P，余量为Cu和不可避免的杂质元素，锡磷青铜合金带材的平均晶粒尺寸小于2μm，晶粒呈现正态分布，标准差为0.9μm以下；锡磷青铜合金带材中的总低ΣCSL晶界在整个晶界中的占比为10～45％，锡磷青铜合金带材中的大角度晶界的长度分数为40～85％，小角度晶界的长度分数为15～60％。上述锡磷青铜合金带材在BW方向上的折弯性能优异，在BW方向上较低的R/t值时仍未出现褶皱等缺陷，且使得锡磷青铜合金带材能够兼顾优良的抗拉强度和优异的折弯性能。
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公开(公告)号：CN115323216A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210901747.9
申请日：2022-07-28
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
摘要： 本发明公开了一种高性能铜合金带材，组分及其质量百分含量为：Cr 0.2％‑0.7％、Zr0.02％‑0.1％、Mg 0.05％‑0.2％、Fe 0.05％‑0.2％、P 0.02％‑0.06％、Ti 0.02％‑0.1％、余量为Cu及不可避免的杂质元素。铜合金带材的制备方法添加Cr、Zr、Mg、Fe、P、Ti等元素，采用两步熔体处理技术，通过固溶前≥85％的大变形量冷轧，结合在线固溶淬火处理，通过控制带坯在RD、TD和ND三个方向上的平均晶粒尺寸≤10μm，且三个维度晶粒尺寸最大偏差≤50％，获得晶粒尺寸小且均匀的内部组织，所制备铜合金带材产品具有优异的冲制、蚀刻性能。
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公开(公告)号：CN115028467A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210700221.4
申请日：2022-06-20
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
摘要： 本发明提供了一种低空洞率陶瓷覆铜板及其制备方法。该低空洞率陶瓷覆铜板包括铜板和陶瓷基板，且铜板和陶瓷基板之间通过活性金属焊料层复合，制备时先将活性金属焊料带材和铜板通过热加工复合，得到铜/活性金属焊料复合板，随后与陶瓷基板进行真空烧结，得到低空洞率陶瓷覆铜板，其中，活性金属焊料选自Au基活性金属焊料、Ag基活性金属焊料或Cu基活性金属焊料。本发明的技术方案避免了采用焊膏连接陶瓷与铜板时，由于载体挥发不完全导致焊接空洞较多的问题，而且本发明的活性焊料焊接温度范围较宽泛，可以将陶瓷与铜板的焊接温度降至450℃，明显减小高温烧结导致的应力缺陷，制得的陶瓷覆铜板空洞率低，可靠性高。
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公开(公告)号：CN114769585A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210417032.6
申请日：2022-04-20
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
摘要： 本发明公开了一种Cu‑Cr‑Nb系合金的冷喷涂成形方法，包括：将筛选的Cu‑Cr‑Nb粉末材料烘干；将Cu‑Cr‑Nb粉末利用冷喷涂设备喷涂至基底材料上，获得Cu‑Cr‑Nb喷涂层；进行真空退火处理，以消除喷涂层的界面缺陷；精密加工去除基底材料，得到Cu‑Cr‑Nb系合金成形件。本发明的方法实现了Cu‑Cr‑Nb合金的快速成形，结合后续低温真空退火处理，进行组织优化，消除喷涂层内部的界面缺陷。由于采用了低温处理工艺，Cr2Nb相未发生粗化，保证了合金的力学性能，经冷喷涂成形的Cu‑Cr‑Nb合金的硬度可达200‑300HV，Cr2Nb相尺寸保持2‑8μm。
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公开(公告)号：CN114293062A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111500789.3
申请日：2021-12-09
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
摘要： 本发明公开了一种弹性元器件用高强导电抗软化Cu‑Ti合金及其制备方法。通过复合微合金化成分设计、真空熔铸、均匀化热处理、低温热轧、多次循环超低温冷轧、短时固溶淬火、多次循环超低温冷轧、低温短时预时效处理、多次循环超低温冷轧以及等温时效多过程一体化调控，设计开发的Cu‑Ti合金经390℃等温时效时可表现出优异的抗高温软化特性，而电导率却可获得快速升高；此外，发明合金的峰时效抗拉强度均大于1020.6MPa，弹性模量大于115.3GPa。本发明公开的方法适用于电子工业、航空航天、仪器仪表及家用电器等众多高新技术领域典型部件用高强导电抗软化铜合金弹性材料的制造，特别是对强度、弹性、导电性以及抗软化能力等均有较好要求的复杂形状零部件的制造。
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公开(公告)号：CN116770124A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310679098.7
申请日：2023-06-08
申请人： 中铝科学技术研究院有限公司 , 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
摘要： 本发明提供了一种改性锡磷青铜合金及其制备方法。以质量百分比计，该改性锡磷青铜合金包括以下元素：4.0～10wt％的Sn、0.01～0.3wt％的P，余量为Cu和不可避免的杂质元素，所述改性锡磷青铜合金的平均晶粒尺寸为1～3μm，晶粒尺寸呈现正态分布，且晶粒尺寸标准差为0.8μm以下；所述改性锡磷青铜合金中的总低ΣCSL晶界在整个晶界中的占比为66～74％，且所述总低ΣCSL晶界中，(Σ9+Σ27)/Σ3的比值范围为0.12～0.23：1。本申请的改性锡磷青铜合金具有高长度分数的低ΣCSL晶界，从而使得成品合金具有更为优异的抗弯曲加工特性，进而使得成品合金能够兼顾抗拉强度和优异折弯性能。
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公开(公告)号：CN115124362B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210700229.0
申请日：2022-06-20
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
IPC分类号： C04B37/02 , H01L21/48 , H01L23/15 , H01L23/498
摘要： 本发明提供了一种陶瓷覆铜板及其制备方法。该陶瓷覆铜板包括陶瓷基板和低膨胀系数铜板，按体积百分比计，低膨胀系数铜板包含80.0～95.0％的铜基合金和5.0～20.0％的线膨胀系数调控体；铜基合金包含Cu和掺杂元素M，M为Ag、Cr、Ti、Zr的一种或多种；线膨胀系数调控体为表面镀铜的低线膨胀系数填料，低线膨胀系数填料为碳纳米管、金刚石C、SiC、BN、TiC、Al2O3、AlN、Mo、W的一种或多种。本发明通过加入线膨胀系数调控体和铜基合金，在保证铜材的导热和导电性能的同时，降低了铜合金板和陶瓷的线膨胀系数差异，焊接时残余应力小，陶瓷开裂或铜层剥离的风险低，有效提高了陶瓷覆铜板的热循环寿命。
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公开(公告)号：CN116219224A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211726787.0
申请日：2022-12-30
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
摘要： 本发明属于有色金属加工技术领域，具体涉及一种超薄均热板用高导耐热铜合金及其制备方法。本发明合金中，在CuNiP系合金基础上，通过适当增加Ni元素含量和添加Si、Sn等元素，形成Ni‑P和Ni‑Si两种复合强化相，结合添加的Sn和Mg、Cr、Zr、Ti等元素，显著提高合金的强度和耐热性能，使合金在保持65％IACS以上导电率的情况下，兼具有高强度、高导电导热、高耐热性能与一体。本发明合金的制备方法中，添加Si和其他微量元素，可有效抑制CuNiP系合金易于再结晶粗化问题，通过控制冷轧总变形量≥85％及再结晶处理工艺，控制纵截面(TD方向)的平均晶粒尺寸≤30μm，有助于提高合金的蚀刻性能及蚀刻后表面光滑性，以及后续对析出强化相的控制。
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公开(公告)号：CN116140564A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211105860.2
申请日：2022-09-09
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
IPC分类号： B22D11/049 , B22D11/14 , B22D11/115
摘要： 本发明提供了一种高锡宽幅锡磷青铜合金带坯电磁水平连铸装置及连铸方法，连铸装置包括水平连铸炉组保温炉、结晶器、搅拌部和交流电源，本方案可避免因引入磁场发生器而导致水平连铸结晶器出现大的改动，从而使磁场发生器与水平连铸结晶器一体性，更简便、更易于安装。将磁场发生器固定在框架挡板下方，并与捣打料一起进行捣打和烧结，增加结晶器的牢固性和磁场发生器的不可动性，确保磁场发生器与保温炉因有耐火材料而实现安全距离的隔绝，进一步降低安全隐患。磁场发生器置于石墨板上侧可极大减少磁场发生器因工作时冷却对结晶前沿熔体流场和温度场的影响。磁场发生器可确保整个横断面上搅拌力均匀分布，可获得均匀的强制搅拌。
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公开(公告)号：CN115961227A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211646940.9
申请日：2022-12-21
申请人： 昆明冶金研究院有限公司北京分公司
摘要： 本发明属于铜合金技术领域，具体涉及一种高强高塑导电铜合金材料及其制备方法，包括真空熔炼制备铜合金铸锭、均匀化热处理、热轧变形、多次循环超低温深冷轧、固溶淬火处理、水淬处理、预时效处理、多次循环超低温深冷轧变形、人工时效、多次循环超低温深冷轧变形、低温热处理调控沉淀相协同析出行为等步骤。不仅可以有效促进位错快速增殖，而且还可以进一步促进细小沉淀相的快速析出。同时可以有效促进沉淀相在较低时效温度的快速析出，从而不仅可以有效避免沉淀相的粗化，而且还可以对多种沉淀相的形态和分布进行合理调控。本发明改变了Cu‑Ni‑Si系合金的Ni、Si含量和Ni/Si比，最终基于Ni‑Si和Cr‑Si双相协同析出显著提高合金的强度和导电率。
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