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公开(公告)号：CN114144723A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080051298.2
申请日：2020-05-26
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1337 , G02F1/13 , G02F1/1339
Abstract: 本实施方式的目的在于，提供能够生成具备具有高取向控制性能的部分以及具有高密接性的部分的光取向膜的液晶显示装置的制造方法。本实施方式的液晶显示装置的制造方法，是包含通过光取向处理而被赋予了取向控制性能的取向膜的液晶显示装置的制造方法，包括以下工序：第1工序，向基板涂覆光取向膜用漆；第2工序，加热在上述第1工序中涂覆的上述光取向膜用漆，形成上述取向膜；以及第3工序，向上述取向膜照射偏光紫外线，赋予取向控制性能。在上述第3工序中，在上述液晶显示装置的显示区域和包围上述显示区域的非显示区域中上述偏光紫外线的照射量不同。
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公开(公告)号：CN108690493B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810273607.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: C09D179/08 , C09D7/63 , G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及光取向膜用清漆及液晶显示装置。根据一个实施方式，光取向膜用清漆在有机溶剂中含有烷氧基硅烷和第1聚酰胺酸系化合物，所述第1聚酰胺酸系化合物为聚酰胺酸或聚酰胺酸酯。前述烷氧基硅烷不含有伯氨基和仲氨基。
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公开(公告)号：CN113025195A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011543092.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: C09D179/08 , C08G73/10 , G02F1/1337 , B05D7/26
Abstract: 本发明涉及光取向膜用清漆及光取向膜的制造方法，就本发明的光取向膜用清漆而言，在有机溶剂中含有第1及第2聚酰胺酸化合物的混合物。第1聚酰胺酸化合物含有：源自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的第1酸系骨架、和源自二胺化合物的第1胺系骨架。第2聚酰胺酸化合物含有：源自四羧酸化合物的第2酸系骨架、和源自二胺化合物的第2胺系骨架。第1胺系骨架相对于包含第1及第2胺系骨架的全部胺系骨架的合计摩尔量而言、以20～60摩尔％的比例含有源自不具有烷基侧链的二胺化合物的二胺骨架。第2胺系骨架相对于合计摩尔量而言、以3～30摩尔％的比例含有源自具有烷基侧链的二胺化合物的二胺骨架。
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公开(公告)号：CN105446012A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510585458.2
申请日：2015-09-15
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133788 , G02F1/133719 , G02F1/133723 , G02F2001/13712 , G02F1/133711
Abstract: 本发明的课题在于在具有经过光取向处理的取向膜的液晶显示装置中防止低频驱动时产生的闪变、亮度不均，为了解决上述课题，本发明提供了一种液晶显示装置和取向膜材料，所述液晶显示装置的特征在于，液晶的介电常数各向异性为负数，介电常数各向异性的绝对值为5以下，取向膜由存在于与液晶接触的一侧的第1膜和存在于第1膜下方的第2膜形成，所述第1膜通过光取向处理而具有取向能力，所述第2膜不具有由光取向处理产生的取向能力，此外，取向膜是通过将形成第1膜的第1材料和形成所述第2膜的第2材料的混合材料涂布在基板上而形成的，相对于第1材料和第2材料的总重量，第1取向膜材料的比例大于10wt％、且小于40wt％。
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公开(公告)号：CN103631062A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310370201.6
申请日：2013-08-22
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/1333 , G02F1/136 , G02F2001/133397 , G02F2001/134372 , G02F2001/136222
Abstract: 本发明提供一种使用COA方式的IPS液晶显示装置，其使DC残像尽快消失。在该液晶显示装置中，在TFT基板（100）侧形成有滤色器（102）、对置电极（103）、层间绝缘膜（104）、像素电极（106）、取向膜（107），隔着液晶层（150）配置有对置基板（200），在上述像素电极（106）和上述层间绝缘膜（104）之间形成有Si半导体层（105）。即使来自背光源的光被滤色器（102）吸收从而光无法充分地到达取向膜（107），通过在取向膜（107）之下形成的Si半导体层（105），也能够使积蓄在取向膜（107）上的电荷尽快逃逸至像素电极（106），由此，能够使残像尽快消失。
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公开(公告)号：CN103529575A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310257745.1
申请日：2013-06-26
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133371 , G02F1/13378 , G02F1/13394 , G02F2001/13373 , G02F2001/133776 , G02F2001/134318 , G02F2001/134381 , G02F2001/13606 , G02F2201/124 , G02F2201/40
Abstract: 一种液晶显示装置，其为提高了像素开口率及透射率的横向电场方式。具有形成于透明的基板上的金属配线、形成于该金属配线上的无机绝缘膜及有机绝缘膜、在该无机绝缘膜及有机绝缘膜上经由层间绝缘膜以相互对置的方式形成的透明的第一电极及具有条纹状的狭缝构造的透明的第二电极，通过向第一电极和第二电极之间施加电场驱动液晶，自薄膜晶体管的输出经由贯通无机绝缘膜或有机绝缘膜的接触孔与透明的第一电极或第二电极电连接，通过将金属配线上的有机绝缘膜的膜厚设置为比包含接触孔的像素显示区域的有机绝缘膜的膜厚厚，在金属配线上形成有机绝缘膜的突起状部，在包含突起状部的倾斜部的图像显示区域形成由第一电极或第二电极构成的像素电极。
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公开(公告)号：CN112764274B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110198214.4
申请日：2017-07-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1337 , C08G73/10 , C09D179/08
Abstract: 本发明涉及光取向膜用清漆及液晶显示装置。根据一种实施方式，光取向膜用清漆在有机溶剂中含有酰亚胺化促进剂、和作为聚酰胺酸或聚酰胺酸酯的第1聚酰胺酸系化合物。前述酰亚胺化促进剂具有不含伯氨基及仲氨基的骨架。前述第1聚酰胺酸系化合物具有不含伯氨基的末端骨架。
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公开(公告)号：CN112764274A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110198214.4
申请日：2017-07-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1337 , C08G73/10 , C09D179/08
Abstract: 本发明涉及光取向膜用清漆及液晶显示装置。根据一种实施方式，光取向膜用清漆在有机溶剂中含有酰亚胺化促进剂、和作为聚酰胺酸或聚酰胺酸酯的第1聚酰胺酸系化合物。前述酰亚胺化促进剂具有不含伯氨基及仲氨基的骨架。前述第1聚酰胺酸系化合物具有不含伯氨基的末端骨架。
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公开(公告)号：CN111690321A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010173215.9
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: C09D179/08 , C08G73/10 , G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及光取向膜用清漆及液晶显示装置。根据实施方式，对于光取向膜用清漆而言，在有机溶剂中，含有：具有二胺化合物残基和四羧酸酯残基的第1聚酰胺酸系化合物；及具有高于第1聚酰胺酸系化合物的极性的、作为聚酰胺酸的第2聚酰胺酸系化合物。四羧酸酯残基具有环丁烷骨架。二胺化合物残基含有包含芳香环的第1二胺化合物残基，所述芳香环键合有2个仲氨基、并且直接或介由第1连接基团进一步键合有羧基或氨基。
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公开(公告)号：CN104698704B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410742976.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/1337 , G02F1/133707 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G02F2201/121 , G02F2201/123
Abstract: 一种液晶显示装置，应对在用于连接像素电极与源电极的贯通孔的直径变小时取向膜材料变得难以流入到贯通孔内的现象。TFT衬底(100)具有如下结构的像素：有机钝化膜(104)上形成有公共电极(105)，在其上形成有层间绝缘膜(106)，在其上形成有具有狭缝的像素电极(107)，经由贯通孔(109)将TFT的源电极(102)与像素电极导通，在TFT衬底中，贯通孔的深度为D/2的位置的锥角为50度以上，像素电极将贯通孔的侧壁的一部分覆盖，贯通孔的侧壁的其他部分不被像素电极覆盖。因此，取向膜材料(108)容易流入到贯通孔内，从而消除贯通孔附近的取向膜的膜厚不均。
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