公开(公告)号：CN102543689B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110442414.6

申请日：2011-12-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 白子贤治 ,  福田正直 ,  佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  原大介 ,  西堂周平 ,  栗林幸永

IPC: H01L21/04 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/325 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。

公开(公告)号：CN102655107A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210055696.9

申请日：2012-02-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 福田正直 ,  佐佐木隆史 ,  山口天和 ,  原大介

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67757 ,  H01L21/67309

Abstract: 本发明提供具有不对成膜精度带来不良影响且获得耐高温效果的晶片的层叠构造的衬底处理装置。具有将晶片(14)保持在内周侧的支架底座(110)、和具有保持支架底座(110)的外周侧的支架保持部(HS)的各舟皿柱(31a～31c)，支架底座(110)的外径尺寸比晶片(14)的外径尺寸大，并且支架底座(110)能够从支架保持部(HS)拆下。无需通过焊接等固定支架底座(110)和各舟皿柱(31a～31c)，能够由SiC等形成支架底座(110)及各舟皿柱(31a～31c)，能够容易地实现获得耐高温效果的晶片的层叠构造。另外，由于能够通过支架底座(110)使晶片(14)从各舟皿柱(31a～31c)远离，所以能够抑制对成膜精度带来不良影响。

公开(公告)号：CN304635968S

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201730488290.3

申请日：2017-10-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 吉田秀成 ,  佐佐木隆史 ,  西堂周平

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：衬底处理装置用气体供给喷嘴。
2．本外观设计产品的用途：用在衬底处理装置中，用于向衬底供给处理气体。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN304788881S

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201830002886.2

申请日：2018-01-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 冈岛优作 ,  吉田秀成 ,  西堂周平 ,  佐佐木隆史

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：密封盖外罩。
2．本外观设计产品的用途：本产品为一种密封盖，其用于覆盖在封闭半导体制造装置处理容器开口的密封盖（盖体）上，使其可以从处理气体中保护密封盖。
3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN304747512S

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201730653038.3

申请日：2017-12-19

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 冈嶋优作 ,  吉田秀成 ,  西堂周平 ,  佐佐木隆史 ,  三村英俊

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：反应管。
2．本外观设计产品的用途：使用于基板处理装置中，用于对基板进行处理。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
5．本外观设计产品整体以透明体形成。

公开(公告)号：CN302760831S

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201330351367.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 山崎惠信 ,  三宅正浩 ,  森田慎也 ,  高木康祐 ,  小前泰彰 ,  赤江尚德 ,  寺崎昌人 ,  山口天和 ,  佐佐木隆史

Abstract: 1.本外观设计产品的名称为反应管。2.本外观设计产品用于衬底处理装置，在内部收容处理衬底，使气体从气体喷嘴向处理衬底供给，之后，将气体从开口部排出，以此对处理衬底进行处理。3.本外观设计为针对同一产品的3项相似外观设计，其中指定设计1为基本设计。4.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状，尤其在于设计1立体图1所表示的形状。5.指定设计1立体图1为最能表明设计要点的视图。