公开(公告)号：CN104520975A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380040677.1

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 立野秀人 ,  和田优一 ,  芦原洋司 ,  山崎惠信 ,  牛田卓朗 ,  中村岩 ,  泉学

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 抑制处理容器内的处理气体的液化。本发明具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。

公开(公告)号：CN107210218A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006272.X

申请日：2016-01-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山崎惠信 ,  村田慧 ,  森田慎也

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/318

Abstract: 课题在于抑制炉口部周围的副产物的附着。具有：反应管，其在内部具有处理衬底的衬底处理区域；以及炉口部，其配置于反应管的下部，反应管具有：突出部，其向反应管的下方的外周侧突出；以及延伸部，其从反应管的下端向下方延伸，比与衬底处理区域对应的位置处的反应管的厚度形成得更厚，覆盖炉口部的内周面。

公开(公告)号：CN104520975B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201380040677.1

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 立野秀人 ,  和田优一 ,  芦原洋司 ,  山崎惠信 ,  牛田卓朗 ,  中村岩 ,  泉学

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 抑制处理容器内的处理气体的液化。具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。

公开(公告)号：CN105247664A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480030170.2

申请日：2014-05-29

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山崎惠信 ,  泉学 ,  野上克明

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  F27B17/0025 ,  F27D1/1816 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/32105

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置，半导体制造装置的制造方法及炉口盖体。能抑制反应管内的处理气体的再液化。具有：反应管，对衬底进行处理；供给部，向所述衬底供给反应物；排气部，将所述反应管内的气体排出；第一加热部，对所述反应管内的所述衬底进行加热；第二加热部，在所述反应管内的下游侧，对从所述供给部朝向所述排气部在所述反应管内流动的气态的所述反应物进行加热；和炉口盖体，将所述反应管闭塞，具有设置于与所述反应管的外壁对应的位置、且通过所述第二加热部被加热的热吸收部。

公开(公告)号：CN102194661A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110048669.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山崎惠信 ,  林田晃 ,  上野正昭 ,  泉学 ,  野上克明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明提供能够实现高精度的工艺规程处理及高安全性的热处理装置及衬底的制造方法。热处理装置(10)具有：对衬底进行处理的反应管(42)；支承反应管(42)的歧管(44)；设置在反应管(42)的周围且对反应管(42)内进行加热的加热器(46)；以包围与加热器(46)相比位于下方的反应管(42)的侧方的方式设置的包围部(500)；对包围部(500)和反应管(42)之间的间隙(506)进行强制排气的排气装置(301)；设置在反应管(42)和歧管(44)之间的抵接部上的密闭部件(150)，在包围部(500)上设置有供排气装置将包围部(500)的外侧的环境气体向间隙(506)吸入的吸气口(501)。

公开(公告)号：CN105981140B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201580008398.6

申请日：2015-02-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高木康祐 ,  森田慎也 ,  赤江尚德 ,  山崎惠信

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126

Abstract: 提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。

公开(公告)号：CN105247664B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201480030170.2

申请日：2014-05-29

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山崎惠信 ,  泉学 ,  野上克明

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  F27B17/0025 ,  F27D1/1816 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/32105

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置，半导体制造装置的制造方法及炉口盖体。能抑制反应管内的处理气体的再液化。具有：反应管，对衬底进行处理；供给部，向所述衬底供给反应物；排气部，将所述反应管内的气体排出；第一加热部，对所述反应管内的所述衬底进行加热；第二加热部，在所述反应管内的下游侧，对从所述供给部朝向所述排气部在所述反应管内流动的气态的所述反应物进行加热；和炉口盖体，将所述反应管闭塞，具有设置于与所述反应管的外壁对应的位置、且通过所述第二加热部被加热的热吸收部。

公开(公告)号：CN105981140A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008398.6

申请日：2015-02-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高木康祐 ,  森田慎也 ,  赤江尚德 ,  山崎惠信

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126

Abstract: 提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。

公开(公告)号：CN102194661B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110048669.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山崎惠信 ,  林田晃 ,  上野正昭 ,  泉学 ,  野上克明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明提供能够实现高精度的工艺规程处理及高安全性的热处理装置及衬底的制造方法。热处理装置(10)具有：对衬底进行处理的反应管(42)；支承反应管(42)的歧管(44)；设置在反应管(42)的周围且对反应管(42)内进行加热的加热器(46)；以包围与加热器(46)相比位于下方的反应管(42)的侧方的方式设置的包围部(500)；对包围部(500)和反应管(42)之间的间隙(506)进行强制排气的排气装置(301)；设置在反应管(42)和歧管(44)之间的抵接部上的密闭部件(150)，在包围部(500)上设置有供排气装置将包围部(500)的外侧的环境气体向间隙(506)吸入的吸气口(501)。

公开(公告)号：CN303169595S

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201430294439.0

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 山崎惠信 ,  森田慎也 ,  高木康祐

Abstract: 1.本外观设计产品的名称为衬底处理装置用进气部。2.本外观设计产品在用于处理晶片的衬底处理装置中，设置在反应管的下端，用于使反应气体流入到反应管的反应室内。3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状，尤其在于C-C部放大图所示的产品的形状。4.指定主视图为最能表明设计要点的视图。