公开(公告)号：CN102763193A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009955.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  栗林幸永 ,  中嶋定夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。

公开(公告)号：CN107190248A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710090562.3

申请日：2017-02-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 永户雅也 ,  栗林幸永 ,  龟田贤治

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高进行了形成膜的处理后的处理室内的清洁效率。对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方法，包括：向加热至第一温度的处理室内供给包含氢和氟的气体的工序；使处理室内的温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；和向加热至第二温度的处理室内供给包含氟的气体的工序，其中，第一温度设为包含氟的气体不发生活化的温度，第二温度设为包含氟的气体发生活化的温度。

公开(公告)号：CN102543689B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110442414.6

申请日：2011-12-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 白子贤治 ,  福田正直 ,  佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  原大介 ,  西堂周平 ,  栗林幸永

IPC: H01L21/04 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/325 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。

公开(公告)号：CN107731656A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710657423.4

申请日：2017-08-03

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山口天和 ,  佐佐木隆史 ,  栗林幸永

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的工序具有：第1工序，在该第1工序中，在将对处理容器内进行排气的排气管和处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向处理容器内供给清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当连接部的温度达到第1温度时，一边使清洁气体的流量从第1流量向比第1流量小的第2流量逐渐减少一边向处理容器内供给清洁气体。

公开(公告)号：CN102763193B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201180009955.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  栗林幸永 ,  中嶋定夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。

公开(公告)号：CN102543689A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110442414.6

申请日：2011-12-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 白子贤治 ,  福田正直 ,  佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  原大介 ,  西堂周平 ,  栗林幸永

IPC: H01L21/04 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/325 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。