-
公开(公告)号：CN1914246A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003199.2
申请日：2005-02-22
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C08G59/50 , C08L63/00 , C08L79/08 , C09J163/00 , C09J179/08 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/0353 , B32B15/08 , B32B27/34 , B32B27/38 , C08L63/00 , C08L79/08 , Y10T428/31511 , Y10T428/31721 , C08L2666/20 , C08L2666/22
Abstract: 本发明提供可以适用于电路基板的制造等，粘接性、加工性、耐热性优异，并且树脂流动性以及在GHz频带的介电特性优异的热固性树脂组合物及其代表性的应用技术。本发明涉及的热固性树脂组合物除了含有(A)聚酰亚胺树脂成分、(B)胺成分、(C)环氧树脂成分以外，还含有(D)咪唑成分。由此，可以对热固性树脂组合物以及固化后的固化树脂平衡性良好地赋予粘接性、加工性、耐热性、树脂流动性以及在GHz频带的介电特性等各种特性。
-
公开(公告)号：CN1829828A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021662.1
申请日：2004-07-26
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明提供金属表面的氧化皮膜形成方法、氧化皮膜缺陷的修复方法、使用该方法的高性能电解电容器及其电解质。该方法是通过使用含有离子性液体的溶液进行阳极氧化，在金属或其合金表面容易地形成氧化皮膜的方法。作为该方法的应用，通过使用离子性液体、向离子性液体中添加盐得到的溶液、或向导电性高分子或TCNQ盐中添加离子性液体得到的溶液作为电解质、使用阀用金属或其合金作为金属等方法，使具有氧化皮膜缺陷的修复装置的电解电容器的构成成为可能。
-
公开(公告)号：CN109874345B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680021978.3
申请日：2016-04-14
Applicant: 株式会社钟化 , 国立研究开发法人理化学研究所
Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性、热导性高、对长时间的射束照射也能够耐受的高品质的离子束电荷转换膜装置的电荷转换膜。本发明为一种离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为通过高分子烧成法制造的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。本发明也包括如下的离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为25℃下的膜面方向的热导率为300W/mK以上的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。这些电荷转换膜优选的是：密度为0.90g/cm3以上且2.26g/cm3以下、每单位面积的重量为1.5mg/cm2以上且30mg/cm2以下、并且面积为4cm2以上等。
-
公开(公告)号：CN110249423B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880009945.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L23/36 , C01B32/205 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型TIM的耐热性的问题，提供使用了石墨的高性能且高耐热性的层间热接合材以及层间热接合方法，所述层间热接合材即使在进一步具有凹凸的构件之间使用也能够实现优异的热阻特性。通过使用厚度为1μm～50μm的范围、密度为1.4～2.26g/cm3的范围、薄膜面方向的热导率为500W/mK以上、表面的算术平均粗糙度Ra为0.1～10μm的范围的石墨膜层间热接合构件，从而可解决前述课题。
-
公开(公告)号：CN108780672B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201780013388.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 株式会社钟化
IPC: G21K5/08 , C01B32/205 , C01B32/21 , G21G1/10 , G21G4/08
Abstract: 本发明实现一种在放射性同位素制造上所用的具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的放射性同位素制造用靶板。放射性同位素制造用靶板(10)中，对靶(1)进行支撑的支撑基板(2)具有石墨膜，石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上，石墨膜的厚度为0.05μm以上且100μm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107001048B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201580065746.3
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明的目的在于提供即使在高真空条件下作为层间热接合材料也导热特性优异、且不用担心装置内部的污染、释气的材料。本发明的高真空用层间热接合性石墨片的主旨在于：其厚度为9.6μm以下且50nm以上，在25℃下的a‑b面方向的导热率为1000W/mK以上。在本发明中，优选密度为1.8g/cm3以上。本发明的前述石墨片优选为在2900℃以上的温度下对高分子薄膜进行热处理而得到的石墨片，该高分子薄膜优选为选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚喹喔啉、聚噁二唑、聚苯并咪唑等中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN110249423A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009945.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L23/36 , C01B32/205 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型TIM的耐热性的问题，提供使用了石墨的高性能且高耐热性的层间热接合材以及层间热接合方法，所述层间热接合材即使在进一步具有凹凸的构件之间使用也能够实现优异的热阻特性。通过使用厚度为1μm～50μm的范围、密度为1.4～2.26g/cm3的范围、薄膜面方向的热导率为500W/mK以上、表面的算术平均粗糙度Ra为0.1～10μm的范围的石墨膜层间热接合构件，从而可解决前述课题。
-
公开(公告)号：CN110249422A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009944.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L23/36 , C01B32/205 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明的目的在于解决以往的高分子/无机复合体型层间热接合构件材料的问题，提供使用了石墨膜的低热阻且高耐热性的层间热接合方法和层间热接合构件。本发明的层间热接合方法为夹持在2个构件之间而传递热的层间热接合构件，其具有石墨膜，石墨膜的厚度T为200nm～3μm，石墨膜表面的算术平均粗糙度Ra与厚度T之比(Ra/T)为0.1～30。
-
公开(公告)号：CN109874345A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201680021978.3
申请日：2016-04-14
Applicant: 株式会社钟化 , 国立研究开发法人理化学研究所
Abstract: 本发明目的在于，提供耐热性、热导性高、对长时间的射束照射也能够耐受的高品质的离子束电荷转换膜装置的电荷转换膜。本发明为一种离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为通过高分子烧成法制造的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。本发明也包括如下的离子束电荷转换装置的电荷转换膜，其为25℃下的膜面方向的热导率为300W/mK以上的碳膜，膜厚为10μm以上且150μm以下。这些电荷转换膜优选的是：密度为0.90g/cm3以上且2.26g/cm3以下、每单位面积的重量为1.5mg/cm2以上且30mg/cm2以下、并且面积为4cm2以上等。
-
公开(公告)号：CN108780672A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780013388.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 株式会社钟化
IPC: G21K5/08 , C01B32/205 , C01B32/21 , G21G1/10 , G21G4/08
CPC classification number: C01B32/205 , C01B32/21 , G21G1/10 , G21G4/08 , G21K5/08
Abstract: 本发明实现一种在放射性同位素制造上所用的具备充分的耐久性、耐热性且放射性活化程度能降低的放射性同位素制造用靶板。放射性同位素制造用靶板(10)中，对靶(1)进行支撑的支撑基板(2)具有石墨膜，石墨膜在膜面方向上的热导率为1200W/(m·K)以上，石墨膜的厚度为0.05μm以上且100μm以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.026 seconds)
