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公开(公告)号：CN107785483B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201610725957.1
申请日：2016-08-25
申请人： 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种磁性随机存储器的制作方法，首先在金属层上淀积生长下电极，MTJ层和阻挡层，紧接着继续淀积牺牲氧化层和上电极，紧接着进行MTJ的光刻，并且刻蚀，刻蚀之后淀积保护层侧墙以进行保护，再进行刻蚀留下一定厚度的侧墙，再以侧墙进行硬掩模最对准，对下电极进行刻蚀，之后进行SIN填充满，并进行化学机械平坦化CMP，平坦化之后用湿法腐蚀的方法，具有选择性刻蚀掉牺牲氧化层，也是自对准的过程，然后再进行金属通孔填充工艺，之后再进行CMP化学机械剖光，最后以金属通孔为掩模进行SIN刻蚀，刻蚀到MTJ层的时候停止，再进行氧化层的填充。本发明的方法节省了四层光刻，使成本大大降低，大大的提高了器件的质量和可靠性。
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公开(公告)号：CN112310274A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910704577.3
申请日：2019-07-31
申请人： 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种自旋轨道矩磁性存储单元及其制备方法。该自旋轨道矩磁性存储单元包括参考层、第一自由层、势垒层、磁化偏置层和自旋霍尔效应层，参考层具有固定的磁化方向；第一自由层设置于参考层的一侧，第一自由层具有可变的磁化方向，且第一自由层的磁化方向与参考层的磁化方向平行或反平行；势垒层设置于参考层与第一自由层之间；磁化偏置层设置于第一自由层远离势垒层的一侧，或设置于参考层远离势垒层的一侧，用于向第一自由层提供偏置磁场，磁化偏置层与第一自由层之间的磁各向异性方向垂直；自旋霍尔效应层接触设置于第一自由层远离势垒层的一侧表面上，用于诱导第一自由层的磁矩翻转，且自旋霍尔效应层包括拓扑绝缘材料。
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公开(公告)号：CN111640769A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910156435.8
申请日：2019-03-01
申请人： 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明提供一种自旋轨道矩磁性存储器单元，包括：第一自旋轨道矩提供层、第二自旋轨道矩提供层、第三自旋轨道矩提供层、两个磁性隧道结组、两个双向选通管以及一个晶体管，其中磁性隧道结组包括垂直堆叠的两个磁性隧道结，两个磁性隧道结之间具有隔离层，两个磁性隧道结的参考层靠近隔离层，两个磁性隧道结的自由层分别作为磁性隧道结组的底层和顶层；其中一个磁性隧道结组的底层与第一自旋轨道矩提供层顶面相邻，顶层与第二自旋轨道矩提供层底面相邻，另一个磁性隧道结组的底层与第二自旋轨道矩提供层顶面相邻，顶层与第三自旋轨道矩提供层底面相邻，第二自旋轨道矩提供层两侧的磁性隧道结具有不同的翻转电流阈值。本发明能够提高SOT-MRAM的存储密度。
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公开(公告)号：CN112993149B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202110173776.3
申请日：2021-02-06
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明涉及磁存储技术，公开了一种存储单元，包括：压电基片，压电基片上镀制有电极；第一磁铁层，其位于压电基片一侧并具有自由翻转的磁矩；第二磁铁层；反铁磁层，形成在第二磁铁层的与所述非磁性层相反的一侧，用于钉扎第二磁铁层的磁矩方向；非磁性层，其位于第一磁铁层和所述第二磁铁层之间，其中，压电基片为受到电压产生应变的绝缘材料，且其中，第一磁铁层以接收应变翻转所述第一磁铁层的磁矩。本发明可实现通过压电基片产生的应力向第一铁磁层传递逆磁电耦合效应，调制其磁矩，最终使使存储单元在施加应力和不施加应力的情况下整体实现对外正及负方向的磁矩，实现磁存储。
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公开(公告)号：CN115985362A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111196395.3
申请日：2021-10-14
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明提供一种差分存储单元和多阻态存储单元，均包括：自旋轨道矩产生层和两个磁性隧道结，两个磁性隧道结保持一定间隔地并列设置于自旋轨道矩产生层的同一侧表面，两个磁性隧道结的截面形状均为优弧弓形，且优弧弓形的弦的方向保持平行，其中每个磁性隧道结均包括自由层、势垒层和参考层，自由层靠近自旋轨道矩产生层，自由层和参考层均为垂直磁化。通过改变自旋轨道矩产生层中写电流的方向，可以分别实现差分存储和多阻态存储。
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公开(公告)号：CN115762592A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111029362.X
申请日：2021-09-02
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
IPC分类号： G11C11/15
摘要： 本发明提供一种电压调控的磁性存储单元及磁性存储器。该磁性存储单元包括：底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的磁性隧道结，磁性隧道结包括：位于底电极上方的参考层，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上方的势垒层；位于势垒层上方的自由层，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上方的磁性偏置层，磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化，与自由层具有层间交换耦合；位于自由层和磁性偏置层之间的调节层，用于根据底电极和顶电极之间的电压调节自由层和磁性偏置层之间的层间交换耦合。
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公开(公告)号：CN111864060B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010749395.0
申请日：2020-07-30
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明提供一种基于自旋轨道矩的存储单元，包括：合成的自旋轨道矩效应层和两个磁性隧道结，其中，合成的自旋轨道矩效应层包括第一自旋轨道矩效应层和第二自旋轨道矩效应层，第二自旋轨道矩效应层位于第一自旋轨道矩效应层上方，且第二自旋轨道矩效应层包括不同厚度的两个区域，第二自旋轨道矩效应层的自旋霍尔角与第一自旋轨道矩效应层的自旋霍尔角正负相反，当合成的自旋轨道矩效应层中通入电流时，在第二自旋轨道矩效应层的两个区域所产生的总体自旋霍尔角方向相反；两个磁性隧道结各自包括从下至上层叠设置的自由层、势垒层和参考层，两个磁性隧道结各自的自由层分别与两个区域中的一个区域的表面接触。应用本发明提供的存储单元能够实现差分存储。
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公开(公告)号：CN115691596A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110854299.7
申请日：2021-07-27
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明提供一种磁性存储单元，包括：磁性隧道结、有磁性的自旋轨道矩效应层及连接层，磁性隧道结自由层垂直磁化，自旋轨道矩效应层靠近自由层设置，并具有形状各向异性，通过形状各向异性与自由层形成静磁耦合，自旋轨道矩效应层与自由层磁化方向相同，当自旋轨道矩效应层中通过电流时，自旋轨道矩效应层与自由层磁化方向同步翻转；连接层设置于自由层和自旋轨道矩效应层之间。
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公开(公告)号：CN115411179A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210433929.8
申请日：2022-04-24
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明公开了巨自旋霍尔角金属‑氧化铪复合薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子新材料领域，为解决现有材料无法满足获得更强自旋霍尔效应的材料的问题。复合薄膜材料为生长于基片表面的金属‑氧化铪复合薄膜，金属‑氧化铪复合薄膜的组分为R(100‑x)‑(HfO2)(x)，R为金属元素Pt、W、Ta、Bi或其合金中任一种，x的取值范围为1~10，制备方法为：S1、选择R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合靶材作为溅射靶材；S2、将步骤S1中的R(100‑x)‑(HfO2)(x)靶材装在磁控溅射设备腔体靶位；S3、采用基片作为基底，清洗基片，用氮气吹干，保证基片表面洁净；S4、将步骤S3清洗后的基片放入磁控溅射设备中生长R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合薄膜，本方法操作简单、成本低，可广泛应用。
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公开(公告)号：CN114497353A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011257364.X
申请日：2020-11-11
申请人： 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明提供一种自旋轨道矩磁性存储单元，包括：重金属层、位于重金属层一侧的磁性隧道结以及位于重金属层另一侧的分流电极，重金属层的材料具有自旋轨道矩效应，且重金属层沿着第一方向或者第二方向为非中心对称结构，其中第一方向为重金属层中从一端流向相对的另一端的电流方向，第二方向为第一方向的反方向；磁性隧道结的自由层和参考层均具有垂直于重金属层表面的磁各向异性；分流电极与磁性隧道结存在正对的重叠区域。本发明的自旋轨道矩磁性存储单元，可实现磁性隧道结自由层的确定性翻转。
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