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公开(公告)号:CN103059511A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210591884.3
申请日:2012-12-29
申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号: C08L63/00 , C08L63/02 , C08L71/00 , C08K5/1539 , C08K3/24
摘要: 本发明公开了一种环氧基复合电介质材料,包括(按重量组份):环氧树脂100份、酸酐固化剂40-120份、固化促进剂1-10份、聚醚多元醇接枝改性剂10-30份以及填充颗粒100-400份。本发明还公开了一种环氧基复合电介质材料制备方法,包括如下步骤:将含有聚醚多元醇接枝改性剂和固化促进剂的酸酐固化剂溶解于有机溶剂中;加入环氧树脂;加入填充颗粒,得到电介质浆料;使所述电介质浆料成型;加热使所述溶剂蒸发并固化。本发明提出的环氧基复合电介质材料及其制备方法通过加入聚醚多元醇接枝改性剂,增加了环氧基体的极性基团含量,提高了基体极化率,从而提高了所述环氧基复合电介质材料的介电性能。
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公开(公告)号:CN102775704A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201110122716.5
申请日:2011-05-12
申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号: C08L27/16 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L33/00 , C08L61/06 , C08K9/10 , C08K3/08 , H01G4/14 , H05K1/16
摘要: 本发明涉及一种含有金属粒子的聚合物基复合电介质材料及其制备方法,还涉及使用该复合电介质材料的平板型电容器和印刷电路板。该复合电介质材料包含至少一种聚合物和一种均匀分散于聚合物中的表面经氧化处理的金属铜粒子。其中,铜粒子所占体积百分比为:大于0小于等于55%。通过对金属铜粒子的表面氧化处理得到了随铜粒子含量增加、介电常数稳定增加的高介电常数的复合电介质材料。
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公开(公告)号:CN101880452A
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN200910107077.8
申请日:2009-05-08
申请人: 深圳先进技术研究院
摘要: 一种具有调温功能的新型高分子复合纳米材料及其制备方法属于新型纳米材料的技术领域。这种具有调温功能的新型高分子复合纳米材料,其特征在于:在聚氨酯高分子材料体相中引入特定的相变储能材料、复合纳米填料和稳定剂;其相变储能材料的添加量为10-30wt%,相变潜热值为115-175J·g-1;其纳米填料和稳定剂的添加量分别为1.5-7.5wt%和2-6wt%。该具有调温功能的新型高分子复合纳米材料的调温有效区间可以在5-50℃之间。本发明还提供了制备这种具有调温功能的新型高分子复合纳米材料的方法。这种具有调温功能的新型高分子复合纳米材料具有调温储能效果明显、性能稳定、成本低、制备方法简便易行等优点,是一种具有广阔应用前景的新型高分子复合纳米材料。
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公开(公告)号:CN115410832B
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202211111344.0
申请日:2022-09-13
申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
摘要: 本申请涉及片式元器件复合材料技术领域,具体公开了一种铁酸铋陶瓷/玻璃复合材料及其制备方法与应用。铁酸铋陶瓷/玻璃复合材料包括15‑80wt.%的B2O3‑SiO2‑BaO‑Bi2O3玻璃和20‑85wt.%的(1‑x)BiFeO3‑xBaTiO3‑y wt.%MnO2(0.3≤x≤0.4;0.1≤y≤0.6)陶瓷;其制备方法为:将玻璃粉和陶瓷粉混合,添加粘结剂,通过造粒、压片、排胶并在高温低压气氛下烧结,即可得到所述的铁酸铋陶瓷/玻璃复合材料。本申请的复合材料的击穿场强和介电常数高,适用于高介电MLCC的电子产品。
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公开(公告)号:CN115376824B
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202210968560.0
申请日:2022-08-12
申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要: 本申请涉及电容器领域,具体公开了一种叠层结构介电储能电容器的制备方法。其包括镀铂硅片、涂覆于所述镀铂硅片上的插入层和铁电层和设置于插入层和铁电层上方的顶电极,插入层的原料为钛酸类陶瓷薄膜前驱体溶液,铁电层的原料为Aurivillius相化合物陶瓷薄膜前驱体溶液。其制备方法为先制备钛酸类陶瓷薄膜前驱体溶液,再制备Aurivillius相化合物陶瓷薄膜前驱体溶液,然后将两种溶液分别旋涂在镀铂硅片上制备插入层和铁电层,最后将金属电极沉积到插入层和铁电层上得到顶电极。本申请的叠层结构介电储能电容器具有优良的储能密度以及储能效率。
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公开(公告)号:CN117362725A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311222467.6
申请日:2023-09-21
申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号: C08J7/04 , C08L67/02 , C09D163/00 , C09D7/61 , C09D7/63
摘要: 本申请涉及聚合物基复合材料技术领域,更具体地说,它涉及一种低介电常数和介电损耗的聚合物基复合材料。所述聚合物基复合薄膜含有两种环氧树脂,所述两种环氧树脂的质量百分比为4‑6:4‑6,所述聚合物基复合薄膜还包括填料和固化剂,所述填料的含量10%‑60%,经过固化后制得。通过减少工序,减少填料含量,降低成本,降低环境污染来有效降低聚合物基复合材料的介电常数和介电损耗。
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公开(公告)号:CN116864534A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202210313909.7
申请日:2022-03-28
申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号: H01L29/78 , H01L21/336
摘要: 本申请涉及鳍式场效应晶体管结构及制造方法,制造方法包括:利用鳍式结构增强栅压对沟道的控制能力,同时采用氧化铪(无掺杂或掺杂镧元素等)或BTFMCTO等材料做栅极,利用铁电材料层极化产生的负电容效应,进一步增强栅极电压对沟道的控制能力。利用鳍式结构和负电容效应,可以有效抑制短沟道效应,并且使器件可以低供电电压下工作。同时在鳍式场效应晶体管采用三五族化合物半导体做衬底,三五族化合物半导体有更大的禁带宽度,可以使器件具备高温工作的稳定性。
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公开(公告)号:CN115872625A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202111126962.8
申请日:2021-09-26
申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要: 本发明公开了一种无铅硼硅玻璃材料、制备方法及其用途,无铅硼硅玻璃材料的原料组成为SiO2、B2O3和MFx,MFx为AlF3、CaF2、MgF2、ZnF2和BaF2中的任意一种或几种,并添加CaO、MgO、BaO、SrO、La2O3、Na2CO3和K2CO3等玻璃网络结构修饰剂,本发明选用氟化物取代硼硅酸铅玻璃中的PbO降低玻璃的软化点,实现无铅化。本发明还公开了包含上述无铅硼硅玻璃材料的低温共烧陶瓷材料、制备及用途。本发明提供的无铅硼硅玻璃材料对陶瓷具有优异的促烧结效果,该玻璃和陶瓷混合烧结后具有较高的致密化程度、优异的介电性能,可以应用于低温共烧陶瓷(LTCC)等封装领域。
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公开(公告)号:CN111171514B
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN201811330449.9
申请日:2018-11-09
申请人: 深圳先进技术研究院
摘要: 本发明涉及一种低介电复合材料,其制备方法、用途以及降低聚合物介电常数的方法,所述低介电复合材料包括共混有1~20wt%的陶瓷纳米粒子的聚合物,所述聚合物为热塑性树脂和/或热固性树脂;本发明通过克服传统的技术偏见,通过在热塑性和/或热固性聚合物中共混陶瓷纳米粒子,并且控制共混有陶瓷纳米粒子的聚合物中陶瓷纳米粒子的含量为1~20wt%,得到的复合材料的介电常数显著小于原聚合物,上述改性方法不失为一种简单便捷的降低聚合物介电常数的方法,具有较大的理论研究价值和工业化应用价值。
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公开(公告)号:CN115565717A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211070109.3
申请日:2022-09-02
申请人: 深圳先进技术研究院
摘要: 本发明公开一种应用于半导体系统级封装用的环氧树脂胶膜材料。绝缘胶膜材料由下层载体膜、中间层介质膜以及上层覆盖膜三层结构组成,其中介质膜位于载体膜和覆盖膜中间从而形成三明治结构,其特征在于,介质膜由乙烯树脂、交联剂、环氧树脂、填料等组成,固化物高频介电损耗低于0.003,玻璃化转变温度高于200℃。
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