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公开(公告)号：CN112707726B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202010112580.9
申请日：2020-02-24
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/626
摘要： 本发明提供一种钛酸钡纳米粉体及其制备方法和用途，具体公开了以下制备方法：1)液相反应：制备二氧化钛与第一钡源的混合水溶液，在70～120℃下常压反应，干燥后获得壳核结构的二氧化钛浆料；2)固相反应：混合壳核结构的二氧化钛浆料以及第二钡源，并通过煅烧获得钛酸钡纳米粉体；步骤1)中二氧化钛与第一钡源的摩尔比为1:x；步骤2)中第二钡源的物质的量为1‑x；所述第一钡源为氢氧化钡、硝酸钡、氯化钡中一种或多种的组合；所述第二钡源为碳酸钡、氧化钡、氢氧化钡中一种或多种的组合。该制备方法不产生废气液、安全性高、设备要求低、操作简单。
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公开(公告)号：CN115410832A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211111344.0
申请日：2022-09-13
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
摘要： 本申请涉及片式元器件复合材料技术领域，具体公开了一种铁酸铋陶瓷/玻璃复合材料及其制备方法与应用。铁酸铋陶瓷/玻璃复合材料包括15‑80wt.%的B2O3‑SiO2‑BaO‑Bi2O3玻璃和20‑85wt.%的(1‑x)BiFeO3‑xBaTiO3‑y wt.%MnO2（0.3≤x≤0.4；0.1≤y≤0.6）陶瓷；其制备方法为：将玻璃粉和陶瓷粉混合，添加粘结剂，通过造粒、压片、排胶并在高温低压气氛下烧结，即可得到所述的铁酸铋陶瓷/玻璃复合材料。本申请的复合材料的击穿场强和介电常数高，适用于高介电MLCC的电子产品。
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公开(公告)号：CN108281284B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201611263030.7
申请日：2016-12-30
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本发明公开了一种具有高电容密度的电容器及其制备方法，本发明的电容器包括由正介电材料和负介电材料串联组成的串联结构的电介质，所述正介电材料为介电常数为正值的材料，所述负介电材料为介电常数为负值的材料。本发明的电容器的制备方法可以是分别制备一面负载有正介电材料前驱体薄膜的电极和一面负载有负介电材料前驱体薄膜的电极，复合并固化得到电容器；还可以先制备一面负载有正(或负)介电材料前驱体薄膜的电极，然后负载负(或正)介电材料前驱体薄膜，再与另一个电极复合，固化，得到电容器。本发明的电介质厚度薄，在2μm～100μm，降低了生产工艺要求和生产成本，且电容密度高，在1.5nF/cm2～50nF/cm2。
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公开(公告)号：CN114400179A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111621293.1
申请日：2021-12-28
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/51 , H01L29/78
摘要： 本申请涉及铁电薄膜技术制备领域，具体公开了一种氧化铪基铁电薄膜、制备方法及应用。氧化铪基铁电薄膜的制备方法为：衬底预处理：采用有机溶剂对衬底进行清洗；底电极的沉积：采用物理气相沉积方式在衬底上沉积底电极；HZO薄膜沉积：采用脉冲激光沉积方式在底电极上沉积HZO薄膜；覆盖层沉积：采用脉冲激光沉积方式在HZO薄膜上沉积覆盖层；退火：在400‑800℃高温中通入20‑80mTorr氧气，保持3‑30min后使薄膜样品冷却至室温；顶电极沉积：采用物理气相沉积方式在覆盖层上沉积顶电极，形成氧化铪基铁电薄膜。本申请的氧化铪基铁电薄膜可用于制作负电容场效应晶体管，其具有铁电性性能优异的特点。
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公开(公告)号：CN111303567B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201811516279.3
申请日：2018-12-12
申请人： 深圳先进技术研究院
摘要： 本发明提供了一种聚合物基电介质材料，其包括聚合物基体及均匀填充在该聚合物基体中的电介质填料；其中，电介质填料是一种化学式为XmYn‑iZi的无机化合物，其是由具有稳定晶体结构的化学式为XmYn的无机化合物通过等化合价、异电负性取代形成等电子陷阱结构而获得的；其中，m与n的比值表示元素Y和元素X的化合价的最简比。根据本发明的聚合物基电介质材料中的电介质填料具有等电子缺陷，从而使该聚合物基电介质材料具有更高的电场击穿强度和储能密度、以及更低的介电损耗。本发明还公开了以上述聚合物基电介质材料作为电介质层材料的薄膜电容器。
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公开(公告)号：CN110698706B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201911153241.9
申请日：2019-11-22
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本发明涉及一种纳米复合材料及其制备方法，具体公开了一种具有自修复性质的纳米复合材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将高聚物多元醇和多元异氰酸酯反应，制得以两端‑NCO封端的聚氨酯预聚体；(2)将自修复功能分子添加到两端‑NCO封端的聚氨酯预聚体中，加热反应得到具有修复性能的聚氨酯基体；(3)将填料添加到具有修复性能的聚氨酯基体中，制得纳米复合材料混合液；(4)去除溶液获得复合材料。本发明的纳米复合材料能够通过加热进行自修复，自修复后的介电性质和机械性能恢复良好。
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公开(公告)号：CN108102577B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201711368746.8
申请日：2017-12-18
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09J7/38 , C09J109/02 , C09J123/22 , C09J109/00 , C09J11/04
摘要： 本发明公开了一种高介电胶带及其制备方法，该高介电胶带包括胶带基材和胶层，所述胶层包括以下质量份数的成分：橡胶140份～190份、填料65份～90份、抗氧剂10份～15份、增粘剂10份～40份、偶联剂10份～15份，其中，所述填料表面包覆绝缘层，所述填料包括至少两种不同的粒径。本发明的高介电胶带具有较高的介电常数、较低的介电损耗以及较高击穿强度，表面光洁，具有高弹性、高抗撕、高强度的物理机械性、高介电常数与高电阻率等良好特性的配合，而且与绝缘硅橡胶的粘合性好，可以有效防护电路，疏散传输线路中电场应力。本高介电胶带生产原料来源广泛，成本低廉，生产效率高，工艺简单，并且生产过程中不产生污染。
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公开(公告)号：CN110684477A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910958733.9
申请日：2019-10-10
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09J7/25 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J11/04
摘要： 本发明公开一种应用于印刷线路板、基板、载板等半导体电子封装领域的绝缘胶膜材料及其制备方法。绝缘胶膜材料的特征在于其由三层结构组成，其绝缘聚合物复合物由薄膜材料支撑，绝缘聚合物复合物表面覆盖一层保护膜。支撑膜的离型力为25μN/mm～60μN/mm，保护膜的离型力为2μN//mm～60μN/mm。绝缘聚合物复合物的厚度为1μm～300μm。其制备过程为将由高分子聚合物、无机填料、高分子聚合物固化剂、成型助剂、溶剂等混合后，进行球磨、砂磨及超声等分散工艺制备绝缘聚合物复合物的电子浆料，然后将其涂覆与支撑膜材料表面，经过烘箱干燥后与保护膜进行贴合，形成该绝缘胶膜材料。
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公开(公告)号：CN110437808A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910813998.X
申请日：2019-08-30
申请人： 深圳先进技术研究院
IPC分类号： C09K5/14 , C04B35/468 , C04B35/622
摘要： 本发明公开一种具有电卡效应的制冷材料。其特征在于，该制冷材料由钙钛矿结构的填料与高分子聚合物基底组成，其中，填料所占的质量比为1％-50％，聚合物基体所占的质量比为50％-99％。在800KV/cm下等温熵变和绝热温变分别能达60KJ cm-3k-1和9℃以上，制冷剂容量高于0.7MJ m-3，实际工作温区高达60℃，相比纯陶瓷或聚合物材料电卡效应更高。
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公开(公告)号：CN109694537A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201711003203.6
申请日：2017-10-24
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC分类号： C08J5/18 , C08J2327/16 , C08J2333/12 , C08J2363/00 , C08K3/04 , C08K3/24 , C08K2201/003 , C08K2201/011
摘要： 本发明涉及储能薄膜材料技术领域，具体涉及一种含有量子点的储能复合薄膜材料以及一种制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法，该薄膜材料包括：复合纳米填料，包括钙钛矿颗粒和位于所述钙钛矿颗粒表面的量子点；聚合物基体；其中，复合纳米填料均匀分布在聚合物基体中。本发明的薄膜材料的复合纳米填料具有量子点，改善了填料和聚合物基体之间的界面相容性，增加了填料和聚合物基体的结合力，同时，能够增加击穿场强，提高了薄膜材料的储能密度；本发明的制备方法可以调节复合纳米填料在聚合物基体中的分散程度，进而调节薄膜的机械强度，本发明的制备方法反应温和，工艺流程简单。
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