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公开(公告)号：CN106324649A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610797815.6
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
CPC分类号： H01L31/118 , G01T1/026 , G01T1/241 , H01L27/1446 , H01L31/022408 , H01L31/022416 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/0304 , H01L31/032
摘要： 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面，其中，第一侧面和第二侧面之一是接收入射射线的射线入射面；设置于第一侧面上的多个像素阴极；设置于第二侧面上的多个像素阳极，其中，像素阳极与像素阴极彼此一一对应；以及设置于射线入射面上各像素阴极或像素阳极外周的阻挡电极。根据本公开的实施例，可以有效避免像素之间的电荷共享，提高探测器的成像分辨率。
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公开(公告)号：CN105448945B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201511010038.8
申请日：2015-12-29
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 公开了一种同面电极光电二极管阵列及其制作方法。在低电阻率衬底，高电阻率外延类型的外延硅片的顶侧，形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型掺杂区域，分别为光电二极管的阴极和阳极。该结构包括在阳极和阴极之间形成的沟槽结构，该沟槽结构可由空隙、绝缘材料、传导结构、反射材料和离子注入构成；也可以包括在阳极和阴极下方形成第一导电类型重掺杂区域、绝缘隔离层或带绝缘层的传导结构等。
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公开(公告)号：CN106784071B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201611121395.6
申请日：2016-12-07
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 公开了光电二极管器件、光电二极管探测器及其制造方法。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：在衬底的第一表面上生长外延层，其中，该外延层被第一类型轻掺杂，且在衬底中形成与该第一类型轻掺杂的外延层相接触的第一类型重掺杂区；从衬底的与第一表面相对的第二表面一侧，减薄衬底，并露出第一类型重掺杂区；从衬底的第二表面一侧，对第一类型重掺杂区进行构图，以在其中形成沟槽，该沟槽穿透第一类型重掺杂区而进入外延层中，其中，构图后的第一类型重掺杂区充当光电二极管器件的第一电极区域；以及在沟槽底部形成第二类型重掺杂的区域，该区域充当光电二极管器件的第二电极区域。
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公开(公告)号：CN106324648A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610797744.X
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
CPC分类号： G01T1/247 , G01T1/241 , G01T1/2928 , H01L31/0296 , H01L31/085 , H01L31/1832
摘要： 本发明提出了一种半导体探测器及其封装方法。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
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公开(公告)号：CN106249270A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610798761.5
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
CPC分类号： G01T1/24 , G01T1/241 , H01L31/022408 , H01L31/0324
摘要： 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。
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公开(公告)号：CN106124539A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610797192.2
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/04
CPC分类号： G01T1/241 , G06T7/11 , G06T7/70 , G06T2207/10116
摘要： 本发明提供一种探测器以及用于智能划分能区的探测系统和方法，其中所述探测方法可以包括：由探测器采集从探测对象透射的射线，产生探测信号，所述探测器的每一像素列包括一个A类电极和多个B类电极，且沿探测对象的移动方向依次布置所述A类电极和所述B类电极，使得从探测对象透射的射线先进入A类电极，随后进入B类电极；基于与A类电极对应的探测信号，得到探测对象的图像数据，并基于图像数据估计探测对象的物质成分；根据所估计的物质成分，调整用于能区划分的一个或多个阈值；以及根据所调整后的阈值来确定与B类电极对应的探测信号的能区，并计算在每个能区中的信号数目，得到探测器对象的图像数据，从而得到探测对象的准确成分。
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公开(公告)号：CN106249270B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201610798761.5
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
摘要： 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。
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公开(公告)号：CN106847958B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201611143007.4
申请日：2016-12-07
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/109
摘要： 公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，第一表面为光入射面。
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公开(公告)号：CN105448945A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511010038.8
申请日：2015-12-29
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 公开了一种同面电极光电二极管阵列及其制作方法。在低电阻率衬底，高电阻率外延类型的外延硅片的顶侧，形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型掺杂区域，分别为光电二极管的阴极和阳极。该结构包括在阳极和阴极之间形成的沟槽结构，该沟槽结构可由空隙、绝缘材料、传导结构、反射材料和离子注入构成；也可以包括在阳极和阴极下方形成第一导电类型重掺杂区域、绝缘隔离层或带绝缘层的传导结构等。
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公开(公告)号：CN106124539B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201610797192.2
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/16 , G01N23/046 , G01V5/00
摘要： 本发明提供一种探测器以及用于智能划分能区的探测系统和方法，其中所述探测方法可以包括：由探测器采集从探测对象透射的射线，产生探测信号，所述探测器的每一像素列包括一个A类电极和多个B类电极，且沿探测对象的移动方向依次布置所述A类电极和所述B类电极，使得从探测对象透射的射线先进入A类电极，随后进入B类电极；基于与A类电极对应的探测信号，得到探测对象的图像数据，并基于图像数据估计探测对象的物质成分；根据所估计的物质成分，调整用于能区划分的一个或多个阈值；以及根据所调整后的阈值来确定与B类电极对应的探测信号的能区，并计算在每个能区中的信号数目，得到探测器对象的图像数据，从而得到探测对象的准确成分。
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