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公开(公告)号:CN2752764Y
公开(公告)日:2006-01-18
申请号:CN200420009905.7
申请日:2004-11-26
申请人: 清华同方威视技术股份有限公司
IPC分类号: G01N23/04 , G01N23/10 , G01N23/083
摘要: 一种可CT断层扫描的集装箱检查装置,涉及海关所用大型集装箱检查系统。本实用新型中的置于扫描区内的铁轨是由两段组成并形成间断式结构,在其间断缝隙的纵向设置可使集装箱检测车通过的圆环形旋转架。圆环形旋转架的外侧固定辐射源及正对辐射源的校正器,圆环形旋转架的内侧固定前准直器、后准直器和探测器阵列并使辐射源射出的扇形X射线通过矫正器、前准直器、集装箱检测车后正对后准直器及探测器阵列。圆环形旋转架与地面固定的环行架体铰接并由驱动装置使圆环形旋转架绕一固定中心可做同步回转。同现有技术相比,本实用新型设计合理、使用方便、易于维修、减小了占地面积,是海关检查大型集装箱的必备设备。
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公开(公告)号:CN2745890Y
公开(公告)日:2005-12-14
申请号:CN200420009900.4
申请日:2004-11-26
申请人: 清华同方威视技术股份有限公司
摘要: 适用于大型集装箱检查系统的输送装置,涉及海关所用大型固定式集装箱检查系统中的被检集装箱的输送装置。本实用新型包括机架、板链和驱动与张紧动力头。所述机架是由横槽钢与纵槽钢焊接而成,横槽钢上布置双列板链并可由驱动与张紧动力头带动双列板链在横槽钢的上下平面做往复转动,各列板链的下方、横槽钢的上平面置有起支撑与滑动作用的直线轴承。其结构特点是,所述直线轴承是采用由带衬板相隔的上下叠层的多组圆柱滚子构成,各组圆柱滚子由与横槽钢上平面固定的托架支撑。同现有技术相比,本实用新型不仅土建工程占地面积小、便于维修,而且运动精度高、承载能力大、机械损耗小。
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公开(公告)号:CN117309331A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311304885.X
申请日:2023-10-10
申请人: 清华大学
IPC分类号: G01M11/02
摘要: 本申请涉及激光器性能测试技术领域,特别涉及一种激光器相对强度噪声的测试系统及方法,其中,系统包括:光电探测器用于接收待测激光器的光信号,并将光信号转换为电信号;信号处理电路用于对电信号进行信号处理,获得处理后的电信号;频谱分析仪用于对处理后的电信号进行谱密度分析,获得待测激光器的谱密度,并根据谱密度得到待测激光器的相对强度噪声。由此,解决了相关技术中针对低相对强度噪声、小输入光功率的情况,造成相对强度噪声项远小于散粒噪声项,增加了二次拟合系数的不确定性,导致测试的精度较低,降低测试系统的精确性,且测试步骤较为繁琐,降低了测试的简洁性的问题。
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公开(公告)号:CN105997342A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610537333.7
申请日:2016-07-08
申请人: 清华大学
CPC分类号: A61F9/08 , A61F2/14 , A61N1/36046
摘要: 本发明公开了一种视网膜内膜的视觉假体,包含体外控制器、体外连接电缆、体外发射天线、体内接收器、体内连接电缆和视觉刺激芯片,视觉刺激芯片为光敏芯片,放置在视网膜内膜,产生的电信号直接刺激视网膜内膜的视神经细胞。本发明具有直接并行刺激视神经细胞、无需额外电信号转换、可弯曲延展、与人眼原有的光学系统兼容性较好等优点。
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公开(公告)号:CN105742449A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201610199036.6
申请日:2016-04-01
申请人: 清华大学
CPC分类号: H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要: 本发明涉及一种发光二极管的电极制备方法,其包括以下步骤:提供一半导体外延片,该半导体外延片包括欧姆接触层;在所述欧姆接触层的表面沉积一层氧化后可透明导电的金属薄膜,其中,沉积该金属薄膜时,所述半导体外延片的温度为室温;以及在含氧环境中对所述金属薄膜进行退火形成一透明导电且表面粗糙的电极层。本发明提供的发光二极管的电极制备方法,在室温下沉积金属薄膜,不仅节约能源,而且沉积金属薄膜时设备的真空度容易维持,有利于图形电极的制备,从而降低了制备成本。
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公开(公告)号:CN105648523A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201610119138.2
申请日:2016-03-02
申请人: 清华大学
IPC分类号: C30B25/08 , C23C16/513
CPC分类号: C30B25/08 , C23C16/513
摘要: 本发明提出一种等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置,包括:真空反应腔;样品台,可旋转,位于真空反应腔的底部;等离子体激发单元,位于真空反应腔的顶部;隔板,将真空室沿垂直方向分成两个腔室;第一气路和第二气路,用于向两个腔室分别通入第一类气态反应源和第二类气态反应源;其中,等离子体激发单元用于激发第一气态类反应源和第二类气态反应源电离分解,隔板防止两类气态反应源在衬底以外的表面发生预反应,旋转样品台形成外延生长所需要的层流,并让样品表面交替吸附第一类、第二类气态反应源分解形成的原子。本发明的外延生长装置具有生长温度不受限于气态反应源分解温度、适合于大面积廉价衬底的优点。
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公开(公告)号:CN101430072A
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200810180054.5
申请日:2006-01-19
申请人: 清华大学
IPC分类号: F21V13/00 , F21V5/00 , F21V7/00 , F21Y101/02 , F21Y105/00
摘要: 一种拼装而成的均匀面光源属于发光二极管封装和应用技术领域。其特征在于,它是由多块基于发光二极管的面光源模块水平拼装而成的面光源,所述每一块面光源模块含有,发光二极管光源,和使所述发光二极管光源发出的光经过折射和/或反射后,在出射平面上产生近似均匀的照度,并且出射的方向与光的中轴平行的匀光—准直光学机构。准直机构是一块准直面板,其中心为一凸透镜,四周为一组截面为全等三角形的棱镜,该棱镜在中轴线正交的平面上的投影为一组同心圆。本发明可以在兼顾高效率的前提下获得良好的出光均匀性,在个人计算机、车辆导航系统、手持电话等设备中安装的液晶显示装置的背光源,以及普通的室内照明用灯具等应用方面具有广阔的前景。
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公开(公告)号:CN1272835C
公开(公告)日:2006-08-30
申请号:CN03157390.8
申请日:2003-09-19
申请人: 清华大学
IPC分类号: H01L21/3065 , C23F1/12
摘要: 本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法,其特征是通过含有氯气,氮气,氧气Cl2/N2/O2这三种气体混合而形成的反应气体生成的等离子体而进行刻蚀,可获得高的刻蚀选择比和高的GaN的刻蚀速率。混合气体也可为Cl2/He/O2或Cl2/Ne/O2或Cl2/N2O/O2。由于本发明在干法刻蚀氮化镓材料系中利用了三种气体组合做为反应气体,既可获得高的刻蚀选择比,又可获得高的GaN的刻蚀速率。同时可获得无残渣,无刻痕光滑的刻蚀表面。通过调节氧气在这三种混合气体中的相对含量,即可调节选择性刻蚀比和刻蚀速率,实验结果表明,对GaN和Al0.28Ga0.72N的选择性刻蚀比为60∶1,对GaN的刻蚀速率达到320nm/min。
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公开(公告)号:CN1595670A
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN200410009267.3
申请日:2004-06-25
申请人: 清华大学
IPC分类号: H01L33/00
摘要: 本发明涉及一种宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法,基于氮化镓III/V族化合物半导体功率型发光二极管、应用全固态照明光源的有源区内含铟镓氮-镓氮或铟镓氮-铟镓氮量子点结构的白光功率型宽谱发光二极管LED材料的金属有机化学气相沉积外延生长方法和相关的有源区结构设计。提供了几种基于InGaN量子点有源区的新型器件结构设计,并给出了外延条件的核心生长参数如反应源流量大小、V/III比、衬底温度等。本发明能实现不含荧光转换、高显色指数、高亮度的GaN基白光LED照明需求。同时,本发明技术也适用于(CdSe)ZnS/ZnSe、(Zn,Cd)Se/ZnSe、(Zn,Cd,Hg)(Se,Te)/ZnSe、(Zn,Cd,Hg)(Se,Te)/ZnS等II/VI族化合物半导体内含量子点的宽谱功率型发光二极管材料外延生长,其外延生长的主要优化方法与III/V族InGaN量子点外延生长的相同。
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公开(公告)号:CN111220965A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN202010067982.1
申请日:2020-01-20
申请人: 清华大学
IPC分类号: G01S7/481
摘要: 本公开提供一种多光束表面发射波导相控阵,包括:输入波导、分束器、一维相位调制器阵列、分束器阵列、波导阵列以及光栅辐射天线阵列,其中一维相位调制器阵列中的各相位调制器分别与所述分束器各出光路相连,对由分束器输出的光进行相位调制;分束器阵列将经过相位调制器后的每路光分成具有一系列具有设定幅度和相位的波导模式;波导阵列用于传输具有设定分束比的二级分束器产生的一系列具有设定幅度和相位的波导模式;光栅辐射天线阵列将波导阵列中的光耦合到自由空间中,输出二维分布光束阵列。本公开通过多光束表面发射波导相控阵,通过波导单元和光栅辐射天线,将片上波导中的激光耦合为空间的宽覆盖二维光束出射。
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