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公开(公告)号：CN215053510U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202121347304.7
申请日：2021-06-17
申请人： 常州通用自来水有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种双路消毒循环混合式二次供水水箱，属于供水水箱领域。本实用新型的双路消毒循环混合式二次供水水箱，在水箱外部利用循环水泵泵出的高压水流推动水箱内的水循环流动，并利用管道混合器混合消毒剂，利用水箱顶部的进水管将加入消毒剂的水快流动到水箱各处，增强了水箱内水体的消毒效果，保证了消毒剂充分混合均匀，利于二次供水水质的数据检测和加药控制。并且，两组循环水泵能够代替推流器起到使水循环流动的作用，循环水泵的工作稳定性要大大高于水下推流器，弥补了水下推流器制造和安装困难的缺陷，使水箱结构更加简单，制造和安装成本更低，方便检查维护，运行安全稳，既降低了水箱的成本，又提高了运行可靠性。
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公开(公告)号：CN212293140U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021523611.1
申请日：2020-07-29
申请人： 常州通用自来水有限公司 , 上海中耀环保实业有限公司 , 上海中耀环保实业(启东)有限公司
IPC分类号： C02F9/06
摘要： 本实用新型公开了一种用于管道净水的管网循环杀菌抑菌系统，属于管道净水技术领域。本实用新型包括净水箱、微电解抑菌反应器、热源过滤器和臭氧发生器，微电解抑菌反应器和热源过滤器依次设于由用水点至净水箱的回水管路上，臭氧发生器与净水箱相连接。本实用新型中，微电解抑菌与臭氧杀菌协同作用，臭氧投加起到了瞬时灭菌的效果，同时增加了水中的溶解氧，通过微电解抑菌反应器的电解反应，水中的溶解氧得到活化，产生大量具有极强和广谱杀生能力的活性中间物质，如超氧离子自由基等活性氧，从而不仅具有很强的瞬间杀菌能力，还具有较长的持续杀菌能力，满足了较长的管网直饮水净水需要，且净化后的水质溶解氧含量高，水质口感得到大幅提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209370687U
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201821613811.9
申请日：2018-09-30
申请人： 常州通用自来水有限公司
IPC分类号： F16L53/30
摘要： 本实用新型公开了一种恒温保温管，包括管道，所述的管道外套设有聚乙烯保温管，聚乙烯保温管的内壁上设有发热线螺旋槽，发热线螺旋槽沿聚乙烯保温管的长度方向延伸而成；所述的发热线螺旋槽内铺设有碳纤维发热线，该碳纤维发热线通过接触器与温控器相连，温控器与电源模块相连；所述的温控器通过数据线与温度传感器相连，温度传感器贴于管道中20cm内无碳纤维发热线的部分处；所述的聚乙烯保温管外包覆有PVC保温管外壳；上述的温控器、接触器以及电源模块均设置于温控柜内。本实用新型结构简单，连接方便，能够保证管道在设定值范围内恒温，可以应对极端寒冷天气或温差大的环境也可以应对对热散失控制要求高的需求。
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公开(公告)号：CN220957971U
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202322591837.5
申请日：2023-09-25
申请人： 常州通用自来水有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种利用摄像水表在线监测小区二次供水管道漏损的系统，属于管道漏损监测技术领域。本实用新型包括摄像设备、服务器、云识别平台和漏损管理系统，利用摄像设备采集二次供水总表的表盘图片，并由云识别平台进行水表流量数据识别，由漏损管理系统进行夜间流量数据的对比，当二次供水总表的夜间流量异常增加时，由漏损管理系统判定为发生漏损，对二次供水管道派单查漏，漏损监测的干扰因素少，漏损判定更加准确；并且，与加装电子远程设备相比，采用摄像设备获取流量数据更加简单，成本更低，适用性更广，易于安装和拆卸，并且可以直接接入原有漏损管理平台中，实施过程简单易行，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN219671489U
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202320828114.X
申请日：2023-04-14
申请人： 常州通用自来水有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种节能型二次供水设备，包括进水管路系统、储水系统、增压系统、出水管路系统和PLC控制系统，进水管路系统的进水端与市政管网相连接，进水管路系统的出水端一路与储水系统相连接，进水管路系统的出水端另一路和储水系统的出水端均与增压系统相连接，增压系统的出水端与出水管路系统相连接。可实现水箱供水模式和管网叠压供水模式之间的无缝自动切换，在用水需求超大的情况下还可以两种模式同时启动，在用水高峰时段保证供水量满足使用需求，在非用水高峰时段自动切换为管网叠压供水模式，以节省电能损耗，达到有效节能的效果；水箱体积可以有效减小，节省建筑面积，增加水箱的换水比例，有效保障水箱内储水的水质。
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公开(公告)号：CN212801795U
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202020905852.6
申请日：2020-05-26
申请人： 常州通用自来水有限公司
摘要： 本实用新型公开一种高层楼小流量供水补偿机组，属于二次供水控制技术领域。高层楼小流量供水补偿机组包括低区出水管道和高区出水管道；所述高层楼小流量供水补偿机组还包括水箱、管道泵、压力传感器、止回阀和控制柜，其中，水箱与低区出水管道连通；管道泵一端与水箱连通，另一端与高区出水管道连通；压力传感器和止回阀依次连接在高区出水管道和管道泵之间；控制柜包括相互电连接的处理器和PLC控制器，处理器和PLC控制器分别与压力传感器以及管道泵电连接。本实用新型提供的一种高层楼小流量供水补偿机组借用低区供水，管道泵为高区进行小流量补偿式供水，保证了高区设备休眠状态的稳定，延长了高区设备休眠和保压状态，减少了噪音污染。
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公开(公告)号：CN106057642B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201610366294.9
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/16 , H01L31/0392
摘要： 本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层；(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导稀土氧化物层形成晶体的择优取向，并且，具有晶体择优取向的稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列也具有择优取向性。
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公开(公告)号：CN106024584A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610365952.2
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02631 , H01L21/02609
摘要： 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面形成半导体层，所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的半导体层。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导半导体层形成晶体的择优取向，使得利用该半导体层制备的半导体器件具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN103840004A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410063193.5
申请日：2014-02-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/43 , H01L29/417 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/02532 , H01L29/0847 , H01L29/167 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： 本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；在Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Ge鳍形结构；向Ge鳍形结构注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的FinFET，其SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103839789A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410064527.0
申请日：2014-02-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/266
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02524 , H01L21/02631 , H01L21/26506 , H01L21/266
摘要： 本发明提出一种选区SiGeSn层及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在SiGe层表面形成掩膜，并在掩膜上形成开口；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGeSn层，具有简单易行、成本低的优点。
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