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公开(公告)号：CN113233557B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110555193.7
申请日：2021-05-21
申请人： 清华大学 , 常州通用自来水有限公司
IPC分类号： C02F1/50
摘要： 本发明公开了一种精确控制的二次供水智能补加氯消毒控制系统，属于二次供水水箱消毒领域。本发明的二次供水智能补加氯消毒控制系统，包括二次供水水箱、余氯实时采样检测系统、分布式循环投药系统、补加氯系统和人工智能控制器，利用分布式循环投药系统使消毒剂均匀扩散至水箱各处，使消毒剂在水箱内快速混合均匀，保证余氯实时采样检测系统检测数据准确可靠，同时，通过微型采样泵和流通槽提供稳定的水流环境，配合高精度余氯传感器准确检测水箱内的余氯值，实现了无废水免维护的实时余氯检测，为后续补加氯提供了准确的数据支持，使补加氯系统的投药量更加安全准确，提高了二次供水水箱内余氯的控制精度，有效保障了二次供水水质安全。
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公开(公告)号：CN106057642B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201610366294.9
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/16 , H01L31/0392
摘要： 本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层；(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导稀土氧化物层形成晶体的择优取向，并且，具有晶体择优取向的稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列也具有择优取向性。
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公开(公告)号：CN106024584A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610365952.2
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02631 , H01L21/02609
摘要： 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面形成半导体层，所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的半导体层。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导半导体层形成晶体的择优取向，使得利用该半导体层制备的半导体器件具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN103840004A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410063193.5
申请日：2014-02-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/43 , H01L29/417 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/02532 , H01L29/0847 , H01L29/167 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： 本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；在Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Ge鳍形结构；向Ge鳍形结构注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的FinFET，其SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103839789A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410064527.0
申请日：2014-02-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/266
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02524 , H01L21/02631 , H01L21/26506 , H01L21/266
摘要： 本发明提出一种选区SiGeSn层及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在SiGe层表面形成掩膜，并在掩膜上形成开口；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGeSn层，具有简单易行、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103811304A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410063532.X
申请日：2014-02-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/203 , H01L29/161
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02631 , H01L21/2033 , H01L21/26506 , H01L29/161 , H01L29/7848
摘要： 本发明提出一种GeSn层及其形成方法。该GeSn层的形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；向Ge层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成GeSn层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的GeSn层，具有简单易行、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN107910265A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711143467.1
申请日：2017-11-17
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/66227 , H01L29/772
摘要： 本发明提出了制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管。该方法包括：提供半导体层；在所述半导体层的上表面设置界面层，所述界面层为含铝元素的氮化物；在所述半导体层上设置第一介质层，所述第一介质层是通过对所述界面层进行热氧化或热氮氧化而形成的，所述界面层至少部分转化为所述第一介质层；以及在所述第一介质层远离所述半导体层的表面设置金属层。由此，可以利用简单的生产工艺获得具有高质量、优异界面特性的介质层的半导体结构。
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公开(公告)号：CN106024972B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201610365955.6
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0264 , H01L21/02
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用。该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底的上表面具有单晶结构；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物类单晶层，以便获得所述半导体结构。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有类单晶结构的稀土氧化物结构。
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公开(公告)号：CN106057643A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610366371.0
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/16 , H01L31/0392
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L21/02425 , H01L21/02483 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L31/03921 , H01L31/1808 , H01L33/0054 , H01L33/16
摘要： 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底为金属；(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；以及(3)在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。并且，稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列具有择优取向性。
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公开(公告)号：CN106057640A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610366289.8
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02425 , H01L21/0254 , H01L21/02631
摘要： 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底是由金属形成的；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，所述第一氮化物半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并在金属衬底上获得具有晶体择优取向的氮化物半导体结构。具有晶体择优取向的氮化物半导体层有利于诱导后续在其上形成的其他氮化物结构，使其也具有晶体择优取向。
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