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公开(公告)号：CN107359050B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201710569389.5
申请日：2017-07-13
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种荧光共振能量转移光阳极及其制备方法，属于光阳极技术领域。光阳极含导电基片、吸附于该基片的n型半导体膜及吸附于该半导体膜的光电传输层，光电传输层含连接于该半导体膜的方酸染料、连接于方酸染料的卤代硫醇及连接于卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点，该量子点的壳层导带位置高于方酸染料的LUMO能级。光谱响应范围宽、吸光效率高、荧光共振能量转移效率及光电转化效率高。方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于方酸染料醇溶液中敏化、于卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中回流卤代后水解，得连接有功能桥链分子的半导体光阳极；将含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点分散于甲苯浸泡该半导体光阳极2～12h。操作简单、可控性好、成本低。
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![一种4,7-二芳基噻吩并[2,3-d]哒嗪类铱配合物、其制备方法及应用](/CN/2024/1/390/images/202411950687.jpg)
公开(公告)号：CN119775321A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411950687.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明涉及发光材料的技术领域，具体涉及一种4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类铱配合物、其制备方法及应用，本发明结构上设计并合成以噻吩并哒嗪为基本骨架的4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类配体。在合成过程中，噻吩类双Weinreb酰胺的噻吩环上的S原子具有缺电子性，使得格式试剂只会定位取代在有S原子的一方(缺电子的一侧)，进而生成定位取代的4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类配体及其环金属铱配合物。用本发明的苯并噻吩并哒嗪类配体表现出强的共轭效应，其环金属铱配合物制成有机电致发光器件后，器件表现出优异的红光发射。
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公开(公告)号：CN114975656B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210629112.8
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液、制备方法和应用，本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液包括碳酰肼和CsPbI3，所述CsPbI3和所述碳酰肼的摩尔比为1：(0.01～0.02)。相较于现有技术，在本发明中，通过将CsPbI3中加入碳酰肼得到钙钛矿前驱体溶液，加快了中间相向黑相的转变，减少外界因素对薄膜表面造成的不利影响，从而制备出的形貌好、结晶度高、缺陷密度低的CsPbI3无机钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN114284372B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111447082.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法，涉及某技术领域。其中，所述三层纳米棒阵列异质结结构包括依次层叠设置的SnO2纳米棒阵列层、TiO2纳米棒阵列层和ZnO纳米棒阵列层。本发明通过构建三层纳米棒阵列、以及对每层纳米棒阵列中材料的合理选择，一方面使所述异质结结构具有梯度能带结构，从而能加速光生电子和空穴的分离，另一方面通过将每层设计为一维的纳米棒阵列结构，为光生载流子的传输提供了高速通道，两者协同作用，共同提高了电荷传输效率，使所述三层纳米棒阵列异质结结构的光电化学性能优异；此外，该三层纳米棒阵列异质结结构还具有比表面积大的特点，因此其对光的利用率高。
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公开(公告)号：CN114836194B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210199058.8
申请日：2022-03-02
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供了一种二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉的制备方法，包括以下步骤：首先按照一定比例准备铯源、锡源、铋源和碲源；其次，将锡源、铋源、碲源加入盐酸溶液中，混匀并加热至澄清，获得第一产物；再次，向第一产物中加入铯源，混匀并加热一定时间，得到第二产物；将第二产物冷却，移去上清液后干燥，获得第三产物；最后，将第三产物加入硅源和乙醇的混合溶液中混匀，加入盐酸引发聚合反应得到聚合产物，经干燥、研磨，即得到二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉。本发明提供的制备方法具有操作简单、反应时间短等特点，且制得的二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉具有发射光谱范围宽、热稳定性好等优势，适合在LED照明领域进行推广及应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114854399B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210233518.4
申请日：2022-03-10
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供了一种聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：首先，按照亚铜基金属卤化物的化学式称取铯源、铜源，混匀得到第一产物，然后，将所述第一产物于还原性气氛下焙烧、研磨得到第二产物；最后，将第二产物与双组份液体硅橡胶的主剂混合，再加入双组份液体硅橡胶的固化剂，混匀，加热成型，即得到一种聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料。本发明制得的聚硅氧烷包覆的金属卤化物发光材料，既保留了金属卤化物的发光性能，能够通过调节卤素原料的用量实现黄光或蓝光的发射，又具有较好的耐水性能和一定的柔性。该发光材料可以用于制作发光陶瓷，在柔性照明、柔性显示等领域具有良好的推广及应用前景。
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公开(公告)号：CN113135591B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110316509.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00 , C23C18/12
Abstract: 本发明公开一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法，所述二氧化钛纳米棒阵列的制备方法包括以下步骤：提供一衬底；将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1‑戊醇中，然后加入柠檬酸钠水溶液，混合形成透明的微乳液；将去离子水与浓盐酸混合搅拌后，向其中加入钛酸四丁酯，混合形成钛源前驱液；将所述微乳液和所述钛源前驱液混合，然后将所述衬底放入混合溶液中，然后在80～130℃的温度下反应5～30h，反应结束后取出所述衬底并清洗、烘干，得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。本发明提供了一种反应条件温和的制备方法，大幅降低了常规水热法制备二氧化钛纳米棒阵列的反应温度，在80～130℃的反应温度下即可制备出结晶良好的二氧化钛纳米棒阵列。
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公开(公告)号：CN115101681A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210619587.9
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开一种锡基钙钛矿电池的制备方法，包括以下制备步骤：在导电玻璃基板上设置空穴传输层；向FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼，获得钙钛矿前驱体溶液；在所述空穴传输层上设置钙钛矿前驱体层；在所述钙钛矿前驱体溶液层上由下至上依次设置电子传输层、缓冲层和背电极层。本制备方法通过在FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼从而抑制钙钛矿前驱体氧化，同时还能够调控结晶速率，从而制备出表面光滑且不易被氧化稳定性好的钙钛矿前驱体层。
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公开(公告)号：CN115000190A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210628860.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种全无机CsPbI3钙钛矿电池及其制备方法，包括以下步骤：在导电玻璃上层叠设置电子传输层；在所述电子传输层上层叠设置CsPbI3钙钛矿吸光层；在所述CsPbI3钙钛矿吸光层上层叠设置二茂铁保护层；在所述二茂铁保护层上层叠设置空穴传输层；在所述空穴传输层上层叠设置电极层，得到全无机CsPbI3钙钛矿电池。本发明提供的全无机CsPbI3钙钛矿电池的制备方法，在CsPbI3钙钛矿吸光层制备一层二茂铁保护层，减少空气中的水分和氧气对CsPbI3钙钛矿吸光层表面造成的不利影响。
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公开(公告)号：CN114464692A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210076369.5
申请日：2022-01-21
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿墨水以及其应用，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。其中，所述钙钛矿墨水包括以下组分：二甲胺氢碘酸盐、碘化铅、碘化铯和混合溶剂，其中，所述混合溶剂包括二甲基甲酰胺和二甲基亚砜，所述二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为6.8～7.2：2.8～3.2。本发明通过对原料的选择、混合溶剂比例的设计，使得到的钙钛矿墨水能在160℃制得CsPbI3薄膜，实现了CsPbI3成膜的低温退火，且得到的CsPbI3薄膜的形貌好、晶界稳定性高、缺陷密度低，从而使CsPbI3薄膜的温度和湿度稳定性优异；此外，低温退火的实现，使CsPbI3薄膜的制备更易操作，成本低廉，有利于大规模生产。
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