太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法

    公开(公告)号:CN111740014B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202010548250.4

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法,首先在导电基底上沉积二维SnO2晶种层薄膜,接着在二维SnO2晶种层薄膜表面水热生长一维有序SnO2纳米棒阵列,之后在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部蒸镀沉积零维SnO2纳米颗粒,制备得到二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层。本发明的制备方法,制备的电子传输层在厚度方向上高度取向,并具有较少的晶界,这能够加速电荷的传输;通过在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部沉积零维的SnO2纳米晶,能够有效减少因导电基底裸露而产生的漏电流,制备的电池的电荷收集效率高。

    一种锡基钙钛矿电池的制备方法

    公开(公告)号:CN115101681A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210619587.9

    申请日:2022-06-01

    Abstract: 本发明公开一种锡基钙钛矿电池的制备方法,包括以下制备步骤:在导电玻璃基板上设置空穴传输层;向FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼,获得钙钛矿前驱体溶液;在所述空穴传输层上设置钙钛矿前驱体层;在所述钙钛矿前驱体溶液层上由下至上依次设置电子传输层、缓冲层和背电极层。本制备方法通过在FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼从而抑制钙钛矿前驱体氧化,同时还能够调控结晶速率,从而制备出表面光滑且不易被氧化稳定性好的钙钛矿前驱体层。

    一种钙钛矿墨水以及其应用
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114464692A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210076369.5

    申请日:2022-01-21

    Abstract: 本发明公开一种钙钛矿墨水以及其应用,涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。其中,所述钙钛矿墨水包括以下组分:二甲胺氢碘酸盐、碘化铅、碘化铯和混合溶剂,其中,所述混合溶剂包括二甲基甲酰胺和二甲基亚砜,所述二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为6.8~7.2:2.8~3.2。本发明通过对原料的选择、混合溶剂比例的设计,使得到的钙钛矿墨水能在160℃制得CsPbI3薄膜,实现了CsPbI3成膜的低温退火,且得到的CsPbI3薄膜的形貌好、晶界稳定性高、缺陷密度低,从而使CsPbI3薄膜的温度和湿度稳定性优异;此外,低温退火的实现,使CsPbI3薄膜的制备更易操作,成本低廉,有利于大规模生产。

    一种用于检测肼的比率型荧光探针体系、以及检测肼浓度的方法

    公开(公告)号:CN113624728A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110754558.9

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明公开一种用于检测肼的比率型荧光探针体系、以及检测肼浓度的方法,涉及荧光探针技术领域。其中,所述比率型荧光探针包括二苯基蒽和含酯基的荧光素化合物。可根据所述比率型荧光探针在540nm和440nm处特征发射强度的比率值的变化,从而实现对待测溶液中肼的检测,且比率荧光值的变化与肼的浓度呈现出良好的线性关系,可实现对肼的准确定量分析;该比率型荧光探针的制备方法简单,成本较低,且检测灵敏度高,检出限低达100nM;该比率型荧光探针对肼具有超高的选择性,其他常见金属离子、阴离子及胺类化合物对其检测几乎无干扰;此外,两个特征发射峰的波长相差100nm,可有效地避免背景误差,从而得到更加准确的检测结果。

    基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN111739961A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010547524.8

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域,具体而言,涉及一种基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法,包括导电基底、沉积于导电基底表面的SnO2晶种层、生长在SnO2晶种层表面的SnO2纳米棒阵列、沉积于SnO2纳米棒的间隙中和SnO2纳米棒表面的无机钙钛矿层、沉积于无机钙钛矿层表面的空穴传输层、以及沉积于空穴传输层表面的Au电极层。本发明的无机钙钛矿太阳能电池,其具备电荷传输快、电荷提取效率高、光电转化效率高和器件稳定性好等优点。本发明的制备方法,其操作简便、成本低、适用范围广,制得的太阳能电池稳定且高效。

    基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN108806990B

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201810601667.5

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层,n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广,制得的光阳极光电转化效率高。

    基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN108806990A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810601667.5

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层,n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广,制得的光阳极光电转化效率高。

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