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公开(公告)号：CN118368080A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311615606.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国网宁夏电力有限公司 , 北京科东电力控制系统有限责任公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司
Inventor： 尹亮 , 张宏杰 , 宁志言 , 王放 , 郑铁军 , 李勃 , 贺建伟 , 张志军 , 梁野 , 彭嘉宁 , 何纪成 , 马骁 , 高英建 , 施佳锋 , 多志林 , 王景 , 卢楷 , 王坤 , 王春艳 , 李航 , 王昊 , 赵兴文 , 于浩洋
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明涉及一种企业隐私分析与异常发现方法、装置、设备和存储介质，方法包括步骤：收集目标网络中的证书流量，并从证书流量中抓取握手数据包，将握手数据包作为目标文件；在目标时间段内的目标文件中依次提取证书、会话双方的IP地址和证书链，以及记录握手会话id与证书的关系、握手会话id与IP地址的关系；基于握手会话id与证书的关系、握手会话id与IP地址的关系对证书链中的证书数据进行分析；根据分析出现异常的证书数据对相应流量段进行验证，并根据验证结果确认相应流量段是否出现异常。该方法通过对企业之间的证书流量数据进行采集和监视获取证书信息，可以及时检测潜在危险的异常证书行为。
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公开(公告)号：CN116980175A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310597624.5
申请日：2023-05-25
Applicant: 北京科东电力控制系统有限责任公司 , 西安电子科技大学
Inventor： 尹亮 , 张宏杰 , 宁志言 , 王放 , 郑铁军 , 吴坡 , 李勃 , 贺建伟 , 张志军 , 梁野 , 彭嘉宁 , 何纪成 , 马骁 , 高英建 , 施佳锋 , 多志林 , 王景 , 卢楷 , 王坤 , 王春艳 , 李航 , 王昊 , 赵兴文 , 于浩洋
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明涉及一种企业隐私分析与异常发现方法、装置、设备和存储介质，方法包括步骤：收集目标网络中的证书流量，并从证书流量中抓取握手数据包，将握手数据包作为目标文件；在目标时间段内的目标文件中依次提取证书、会话双方的IP地址和证书链，以及记录握手会话id与证书的关系、握手会话id与IP地址的关系；基于握手会话id与证书的关系、握手会话id与IP地址的关系对证书链中的证书数据进行分析；根据分析出现异常的证书数据对相应流量段进行验证，并根据验证结果确认相应流量段是否出现异常。该方法通过对企业之间的证书流量数据进行采集和监视获取证书信息，可以及时检测潜在危险的异常证书行为。
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公开(公告)号：CN113220866B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110468866.5
申请日：2021-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F16/335 , G06F16/9536
Abstract: 本发明涉及一种基于用户社交网络和产品相似度的推荐方法，包括：初始化用户特征向量和产品特征向量；构建用户‑用户社交关系图、用户‑产品交互图和产品知识图谱；通过用户‑产品交互图和用户‑用户社交关系图分别得到两个用户特征向量，比较两个用户特征向量，通过预设的第一相似度阈值指导用户特征向量迭代更新，得到优化的用户特征向量；相似地，通过用户‑产品交互图和产品知识图谱指导产品特征向量迭代更新，得到优化的产品特征向量；根据优化的用户特征向量和优化的产品特征向量，进行用户的偏好预测，得到推荐结果。本发明的方法可以得到更完备、更能表征用户产品关系的用户特征向量和产品特征向量，以实现精准的推荐。
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公开(公告)号：CN108683620B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810223166.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种适合高阶调制方式的抗相位噪声盲载波恢复方法，本发明是在原有的适合低阶QAM调制的基于判决的扩展卡尔曼载波恢复算法的基础上，增加了用于选择不同的频偏步长和均方误差值计算长度参数的模式选择模块。通过计算不同长度的判决前后符号的均方误差值，自适应得选择扩展卡尔曼的频偏步长参数，使得扩展卡尔曼滤波算法在高阶调制系统下也能兼顾大频偏捕获性能和低稳态抖动性能。本发明的载波恢复算法是一种盲载波恢复算法，并经仿真验证可以抗相位噪声，是适合高阶调制方式的算法。
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公开(公告)号：CN110131253B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910285729.0
申请日：2019-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: F15B21/12
Abstract: 本发明公开了基于动压密封效应的电液激振装置及其装配与激振方法。现有激振装置中的活塞套密封环易磨损。本发明包括激振缸、平面轴承、旋转式活塞、径向轴承、驱动齿轮、挡板、螺栓和内置电机。本发明将旋转活塞与缸体间隙配合，并通过驱动旋转活塞高速旋转，实现旋转活塞与缸体的动压密封，保障旋转活塞直线移动时的密封性，从而避免采用密封环时密封环与缸体内表面的接触摩擦，很大程度上延长了激振装置的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108270715B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201711389604.X
申请日：2017-12-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适合高阶4096‑QAM的载波恢复系统和方法，解决了微波通信中高阶4096‑QAM信号载波恢复硬件实现复杂度高的技术问题，本发明的系统中包括有含有简化极性判决鉴相器的鉴相器、环路滤波器和数控振荡器模块；本发明方法包括开环和闭环工作模式，开环工作模式下初始频偏估计对码元信号相位进行补偿，闭环工作模式下设置有粗略和精确相位补偿过程，开环状态和闭环状态的粗略相位补偿过程均利用简化极性判决鉴相器进行相位误差估计，仅利用功率较大的码元信号对相位误差进行估计，用一常数对码元信号进行模值归一化。本发明硬件实现复杂度低，收敛速度略快，易于工程化实现。用于4096‑QAM微波通信中。
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公开(公告)号：CN111310478A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010193466.3
申请日：2020-03-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F40/30 , G06F40/216 , G06F40/205
Abstract: 本发明公开了一种基于TF-IDF和词向量的相似句子检测方法，属于属于自然语言处理技术领域。本发明利用TF-IDF，对每一个词语加入了权重，用于体现词语的重要程度及对整句相似度计算的影响，越重要的词语，其TF-IDF值越大，对相似度的影响也越大；同时针对基于共现词的Jaccard算法未涉及语义层面的相似度对比，不能处理同义词和近义词的问题，本发明利用词向量对其进行了改进，使其能够在语义层面进行相似度计算。同时，本发明所提出的相似句子的检测方法，使得对句子中的词语进行同义词替换后，也不会影响两个句子的相似度，因此可以将本发明所提出的句子相似度方法用于中文文章的查重，文献检索等。
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公开(公告)号：CN111262555A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010158940.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于卫星通信技术领域，公开了一种适合高通量卫星的级联调制滤波器组信道化器设计方法，通过级联调制滤波器组实现信号分离；通过信号交换模块完成信号交换；再通过级联调制滤波器组实现信号重构，信号采样率归一化频率为2π且信道化器的最小子信道带宽为2π/M，M为整数，一般为2的幂次方。本发明采用的级联调制滤波器组，是对调制滤波器组的一种改进，保证滤波器组重构性能满足卫星通信要求的前提下，略微增加复杂度，通过设计低阶的原型滤波器来实现滤波器组，以完成对信号分离和重构，降低高精度高重构性能滤波器组的设计难度。此外，在硬件实现时基于级联调制滤波器组的信道化器能够适用于更高频率的时钟。
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公开(公告)号：CN107247276B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710543992.6
申请日：2017-07-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S19/24
Abstract: 本发明公开了一种基于重叠多块补零算法的弱信号捕获方法，主要解决现有双块补零方法中相干积累长度和分块数固定不变的缺陷。其实现方案是：在接收端，将接收到的射频信号依次进行滤波、下变频和数字采样，得到原始基带复信号；将发送端采用的导航数据经过扩频调制和成形偏移正交相移键控调制，得到原始本地信号；引入相干积累扩展数据和步进因子，对原始基带复信号和本地信号进行分块组合，得到新的基带复信号数据块和新的本地信号数据块；对新的基带复信号数据块和新的本地信号数据块进行圆周相关，得到相关值数据；根据相关值数据中出现的峰值，判定捕获是否成功。本发明能在小频偏下获得更好的捕获性能，可用于数据传输、卫星定位导航。
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公开(公告)号：CN101901760B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010209567.1
申请日：2010-06-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的低温无应力AlInN层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的高温GaN层；(4)在所述高温GaN层之上生长1-10nm的TiN层；(5)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的TiN层；(7)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及高电子迁移率晶体管。
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