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公开(公告)号：CN102332573B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110172936.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子电池的微纳石墨烯修饰的锡碳/TiO2-B一维壳核结构材料及其制备方法。这种是由微纳结构的石墨烯片修饰的锡碳/TiO2-B一维壳核结构材料，由内向外分别是由支撑体（1）、连接层（2）、充放电结构层（3）、保护层（4）构成的纳米线结构。本发明采用特殊的“剪切”工艺制备尺寸小于100纳米的高分散性微纳石墨烯片。通过多次葡萄糖水热及还原气氛热处理工艺实现材料的层层包覆，最终制备出一种基于微纳石墨烯片修饰的锡碳/TiO2-B一维壳核结构复合纳米材料具有较高电化学性能，较低的不可逆容量，经过上百次充放电循环后，仍具有较高的充放电容量。
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公开(公告)号：CN103633304A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310650049.7
申请日：2013-12-06
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种以碳纳米管为核制备同轴复合纳米材料的方法，以碳纳米管为核生长由内到外依次为碳纳米管、氧化锰、无定形碳的纳米复合材料，即无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管（C/MnOx/CNTs）同轴复合纳米材料，其中锰的氧化物为MnO2、Mn3O4和MnO，简写为MnOx。本发明运用以碳纳米管为核制备出一维无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管（C/MnOx/CNTs）同轴复合纳米材料，其制备工艺简单，设备要求低、并且所制备的材料具有大比表面积、高稳定性、高容量、高导电率，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102262989B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110174169.5
申请日：2011-06-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阳极氧化铝模板的制作方法及利用氧化铝模板制作场发射阴极阵列材料的方法，通过采取一系列表面保护措施，制得形貌规则、表面洁净的阳极氧化铝模板再利用水热等方法向氧化铝模板纳米孔洞中灌注有机物质、金属有机溶液或溶胶，再经过凝胶化、高温碳化、去氧化铝模板等工艺得到场发射垂直纳米线或纳米管阵列阴极材料。由这种方法制得的场发射阴极材料形貌规则、场发射性能测试中开启电压较小，且种方法工艺较简单、易于实现大面积场发射材料的制作。
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公开(公告)号：CN111952469B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010828284.9
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/155 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115996586A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211580440.X
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于球型核壳CdS/Cu2S/CdS量子阱发光层的QLED制备方法，其是由硫化镉为核、硫化亚铜为中间层、再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，通过热注入法、一锅法、旋涂镀膜、退火结晶、热蒸镀等工艺，制备出含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件。本发明所得核壳量子阱结构新颖，具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，且所得器件结构稳定高效，具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115734634A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211580087.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法，由以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳的立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、发光层的LED器件。本发明运用热注入法制备具有立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料，其结构新颖，发光层形貌优异规整，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、立方形貌、良好的结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN115651638A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580432.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长，在量子点的照明、光电探测、显示技术等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112820844A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110106846.3
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种薄膜封装结构及其制备方法，所述薄膜封装结构包括从下至上依次设置的有机聚合物衬底、柔性有机光电器件和具有周期起伏纳米结构的无机与有机交叠的薄膜封装层，所述薄膜封装层由无机阻隔层与有机阻隔层交替层叠形成，所述有机阻隔层通过具有周期起伏纳米结构的模板压印形成周期起伏纳米结构，再在其上制备无机阻隔层，交叠形成薄膜封装层。所述薄膜封装结构具有高水氧阻隔性能和弯曲性能。
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公开(公告)号：CN111952474A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010829285.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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