公开(公告)号：CN103579270A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310329302.9

申请日：2013-07-31

Applicant: 索尼公司

Inventor： 谷国敬理 ,  山口晋平 ,  万田周治

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及能够抑制硅基板中界面的界面状态劣化的使用互补金属氧化物半导体（CMOS）的背照射式图像传感器、包括所述图像传感器的成像装置以及用于制造所述图像传感器的装置及方法，所述背照射式图像传感器包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。