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公开(公告)号：CN115799286A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211561880.0
申请日：2017-02-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/0216 , H10K30/30 , H01L31/109
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，包括：多个光电转换部；多个彩色滤光器，它们布置在所述多个光电转换部的光入射侧上方，其中各个所述彩色滤光器和所述多个光电转换部中的相应一者构成第一光电转换元件；以及第二光电转换元件。所述第二光电转换元件包括：第一化合物半导体层，其设置于所述多个光电转换部下方；第二化合物半导体层，其设置于所述第一化合物半导体层下方；和光电转换层，其设置于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间。
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公开(公告)号：CN108701706B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201780015473.0
申请日：2017-02-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/369
Abstract: 根据本发明的光电转换元件包括：由具有第一导电类型的第一化合物半导体材料制成的第一化合物半导体层31；形成在第一化合物半导体层31上的光电转换层34；覆盖光电转换层34并且由具有第一导电类型的第二化合物半导体材料制成的第二化合物半导体层32；至少形成在第二半导体层32的一部分中的具有不同于第一导电类型的第二导电类型并且到达光电转换层的第二导电类型区域35；围绕光电转换层的侧表面的元件隔离层34；形成在第二导电类型区域上的第一电极51；和电连接至第一化合物半导体层31的第二电极52。第二电极形成在第一化合物半导体层的光入射侧表面上。根据本发明的摄像装置包括上述光电转换元件。本发明还提供了用于制造上述光电转换元件的方法。
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公开(公告)号：CN108701706A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780015473.0
申请日：2017-02-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/369
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L27/14694 , H01L31/02164 , H01L31/022408 , H01L31/022466 , H01L31/03046 , H01L31/109 , H01L31/1844 , H01L31/1884 , H01L51/4253 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 根据本发明的光电转换元件包括：由具有第一导电类型的第一化合物半导体材料制成的第一化合物半导体层31；形成在第一化合物半导体层31上的光电转换层34；覆盖光电转换层34并且由具有第一导电类型的第二化合物半导体材料制成的第二化合物半导体层32；至少形成在第二半导体层32的一部分中的具有不同于第一导电类型的第二导电类型并且到达光电转换层的第二导电类型区域35；围绕光电转换层的侧表面的元件隔离层34；形成在第二导电类型区域上的第一电极51；和电连接至第一化合物半导体层31的第二电极52。
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公开(公告)号：CN106206635B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610624836.8
申请日：2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种摄像装置和电子设备。其中，摄像装置可包括：半导体基板，其具有第一侧和第二侧；光电转换部，其设置在所述半导体基板中；像素分隔凹槽，其设置在所述半导体基板中并且邻近于所述光电转换部；多个绝缘膜，其设置为邻近于所述半导体基板的所述第一侧；以及氧化硅膜，其中，所述多个绝缘膜中的每个绝缘膜包括选自由氧化铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛和氧化钽组成的组中的至少一种成分，所述氧化硅膜接触第一绝缘膜的表面以及第二绝缘膜的表面，第一绝缘膜设置在所述像素分隔凹槽的内部，第二绝缘膜的至少一部分的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm，并且第一绝缘膜和第二绝缘膜由相同材料制成。
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公开(公告)号：CN101908542A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010190492.7
申请日：2010-05-27
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L21/823885 , H01L27/092 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法以及固态摄像元件。这里公开了一种半导体器件，其包括具有第一导电类型的沟道并且通过将栅电极埋入半导体衬底中而形成的竖直型MOS晶体管、具有所述第一导电类型的沟道并且具有形成在所述半导体衬底上的栅电极的平面型MOS晶体管以及具有第二导电类型的沟道并且具有形成在所述半导体衬底上的栅电极的平面型MOS晶体管，所述半导体器件包括形成在具有所述第一导电类型的沟道的所述竖直MOS晶体管的下方或上方的除晶体管之外的其他电路元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110797359A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910948015.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及摄像装置和电子设备。其中，所述摄像装置包括：第一光电转换区，位于基板中；第二光电转换区，在所述基板中邻近于所述第一光电转换区；沟槽，位于所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；第一膜，包括位于所述沟槽中的氧化硅且直接接触所述沟槽的壁表面；第二膜，包括位于所述沟槽中的氧化铝且在所述第一膜上方；第三膜，包括位于所述沟槽中的氧化铪且在所述第二膜上方；第四膜，包括位于所述沟槽中的氧化钽且在所述第三膜上方。
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公开(公告)号：CN108735767A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810330102.8
申请日：2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种摄像装置和电子设备。其中，摄像装置可包括：基板；第一光电转换区，其设置在所述基板中；第二光电转换区，其设置在所述基板中；凹槽，其设置在所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；第一氧化铪膜，其设置在所述沟槽中；第一氧化钽膜或第二氧化铪膜，其设置在所述沟槽中且位于所述第一氧化铪膜的内侧；第二氧化钽膜或第三氧化铪膜，其设置在所述沟槽中且位于所述第一氧化钽膜或所述第二氧化铪膜的内侧；以及第一氧化硅膜，其在所述沟槽中位于所述第二氧化钽膜或所述第三氧化铪膜的内侧。
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公开(公告)号：CN110797359B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201910948015.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及摄像装置和电子设备。其中，所述摄像装置包括：第一光电转换区，位于基板中；第二光电转换区，在所述基板中邻近于所述第一光电转换区；沟槽，位于所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；第一膜，包括位于所述沟槽中的氧化硅且直接接触所述沟槽的壁表面；第二膜，包括位于所述沟槽中的氧化铝且在所述第一膜上方；第三膜，包括位于所述沟槽中的氧化铪且在所述第二膜上方；第四膜，包括位于所述沟槽中的氧化钽且在所述第三膜上方。
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公开(公告)号：CN103579270B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201310329302.9
申请日：2013-07-31
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/146 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及能够抑制硅基板中界面的界面状态劣化的使用互补金属氧化物半导体（CMOS）的背照射式图像传感器、包括所述图像传感器的成像装置以及用于制造所述图像传感器的装置及方法，所述背照射式图像传感器包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。
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公开(公告)号：CN101924135A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010198980.2
申请日：2010-06-04
Applicant: 索尼公司
Inventor： 万田周治
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件、其制作方法以及固态图像传感器件。这里公开的半导体器件包括：半导体衬底；栅极绝缘膜，其形成在所述半导体衬底的、包括形成在所述半导体衬底中的孔的内表面的表面上，并且通过游离基氧化或等离子体氧化而形成；以及形成为埋入所述孔中的栅电极。栅极绝缘膜和栅电极形成垂直型MOS晶体管。
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