公开(公告)号：CN102446937B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201110303506.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大塚洋一 ,  荻野明子 ,  田渕清隆 ,  谷国敬理

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14843 ,  H04N9/045

Abstract: 本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子装置。所述固体摄像器件包括：多个像素，各所述像素形成在半导体基板上并且包括光电转换单元和用于读出所述光电转换单元的信号电荷的单元；位于各所述像素上的滤色器；片上微透镜，所述片上微透镜由有机膜制成且位于与各所述像素对应的所述滤色器上；第一无机膜，所述第一无机膜形成在所述片上微透镜的表面上并具有比所述片上微透镜高的折射率；以及第二无机膜，所述第二无机膜形成在所述第一无机膜的表面上并具有比所述片上微透镜及所述第一无机膜低的折射率。至少所述第二无机膜在相邻的第二无机膜间的界面处不存在非透镜区域。本发明能够改善图像质量并且提高灵敏度特性。

公开(公告)号：CN102446937A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110303506.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大塚洋一 ,  荻野明子 ,  田渕清隆 ,  谷国敬理

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14843 ,  H04N9/045

Abstract: 本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子装置。所述固体摄像器件包括：多个像素，各所述像素形成在半导体基板上并且包括光电转换单元和用于读出所述光电转换单元的信号电荷的单元；位于各所述像素上的滤色器；片上微透镜，所述片上微透镜由有机膜制成且位于与各所述像素对应的所述滤色器上；第一无机膜，所述第一无机膜形成在所述片上微透镜的表面上并具有比所述片上微透镜高的折射率；以及第二无机膜，所述第二无机膜形成在所述第一无机膜的表面上并具有比所述片上微透镜及所述第一无机膜低的折射率。至少所述第二无机膜在相邻的第二无机膜间的界面处不存在非透镜区域。本发明能够改善图像质量并且提高灵敏度特性。

公开(公告)号：CN103579270A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310329302.9

申请日：2013-07-31

Applicant: 索尼公司

Inventor： 谷国敬理 ,  山口晋平 ,  万田周治

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及能够抑制硅基板中界面的界面状态劣化的使用互补金属氧化物半导体（CMOS）的背照射式图像传感器、包括所述图像传感器的成像装置以及用于制造所述图像传感器的装置及方法，所述背照射式图像传感器包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。

公开(公告)号：CN103579270B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201310329302.9

申请日：2013-07-31

Applicant: 索尼公司

Inventor： 谷国敬理 ,  山口晋平 ,  万田周治

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及能够抑制硅基板中界面的界面状态劣化的使用互补金属氧化物半导体（CMOS）的背照射式图像传感器、包括所述图像传感器的成像装置以及用于制造所述图像传感器的装置及方法，所述背照射式图像传感器包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。