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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110119067A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910409869.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·P·普罗科普维茨 , G·珀勒斯 , 刘骢 , C·吴 , C-B·徐
Abstract: 提供了新的光刻胶组合物，其包含一种组分，该组分包含热致酸生成剂和遏制剂。本发明优选的光刻胶可以包含：具有对光致酸不稳定的基团的树脂；光致酸生成剂化合物；以及至少一种热致酸生成剂和至少一种遏制剂，所述遏制剂用来改进线宽粗糙度和光刻速度。
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公开(公告)号：CN103823331A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310526492.3
申请日：2013-10-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 提供了一种新颖的光刻胶组合物，该组合物包含一种组分，所述组分包含对辐射不敏感的离子性化合物。本发明优选的光刻胶可以包含：具有对光致酸不稳定的基团的树脂；光致酸生成剂化合物；以及对辐射不敏感的离子性化合物，该化合物可以用来减少光致生成的酸扩散到光刻胶涂层的未曝光区域以外的不利现象。
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公开(公告)号：CN102201333B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201010625281.1
申请日：2010-12-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·珀勒斯
IPC: H01L21/266 , G03F7/00 , G03F7/039
CPC classification number: H01L21/266 , G03F7/0388 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L29/36
Abstract: 光刻胶及其使用方法。本发明提供新型光刻胶，其优选包含作为独立组分的树脂、光敏组分和酚类组分。本发明优选的光刻胶可用于离子注入光刻方案。提供了一种提供离子注入的半导体基片的方法，包括：提供其上涂敷有化学放大的正性作用光刻胶组合物浮雕像的半导体基片，其中光刻胶包含树脂、光敏组分和酚类组分；和施加离子到基片上。
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公开(公告)号：CN103513514A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310364299.4
申请日：2013-06-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 提供了一种新颖的光致抗蚀剂组合物，该组合物包含一种组分，所述组分含有酰胺基团和多个羟基。优选地，本发明的光致抗蚀剂可以包含：具有光生酸不稳定性基团的树脂；光致产酸剂化合物；以及酰胺组分，所述酰胺组分包含多个羟基，可以用来减少光致酸从光致抗蚀剂涂层未曝光的区域扩散到外部的不利现象。
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公开(公告)号：CN102592978A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110463160.6
申请日：2011-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/027 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/266 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/09 , G03F7/40
Abstract: 光致抗蚀剂及其使用方法。提供了一种新型的光致抗蚀剂，其包含多酮组分，且特别适用于离子注入光刻应用。本发明优选的光致抗蚀剂对位于其下的无机表面例如SiON、氧化硅、氮化硅、硅酸铪、硅酸锆和其它无机表面，能显示出优良的粘性。提供了一种提供离子注入的半导体基材的方法，所述方法包含：提供其上涂敷有化学增幅型的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体基材，其中光致抗蚀剂包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分；和施加离子到基材上。
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