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公开(公告)号：CN109896543A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910150099.6
申请日：2019-02-28
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C01G23/00
摘要： 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
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公开(公告)号：CN107677398A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710823130.9
申请日：2017-09-13
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种双光纤光栅振动/应力复合传感器，包括弹性夹层，光纤光栅一和光纤光栅二。光纤光栅一黏贴在弹性夹层的上表面，光纤光栅二黏贴在弹性夹层下表面。光纤光栅一和光纤光栅二的长度、布拉格波长、3dB带宽相同。该双光纤光栅振动/应力复合传感器工作时，弹性夹层底部黏贴在待测零部件的表面。本发明能够避免环境温度变化带来的干扰，同时测量振动信号和应力信号。
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公开(公告)号：CN106482862A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610866125.1
申请日：2016-09-29
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01K11/32
CPC分类号： G01K11/32
摘要： 本发明公开了一种光纤F-P温度传感器的解调方法及系统，首先光源发出的光经传输光纤和光纤耦合器进入F-P温度传感器，其反射信号经光纤耦合器进入F-P滤波器，此时数字信号处理器控制DA转换器产生周期性的电压信号驱动滤波器，实现对反射信号的扫描，之后反射信号进入光电探测器进行光电转换，再经过放大电路，AD转换器进入数字信号处理器进行处理，然后经无线收发器传输给计算机显示记录，获得温度参量，实现高速解调。同时计算机连接着警报装置，当温度高于或者低于某一阈值时，便会触发报警。本发明采用的各个模块相对光谱仪而言，体积小，价格低，便于移动，在大大降低成本的同时又增加了实际应用中的便捷性。
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公开(公告)号：CN105823569A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610272878.X
申请日：2016-04-27
申请人： 西安交通大学
CPC分类号： H01L35/14 , C04B35/50 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3279 , G01K7/02 , H01L35/32 , H01L35/34 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3281
摘要： 本发明公开了一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶及其制备方法，目的在于，能够用于极端环境下的高温测量需求，所采用的技术方案为：一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶，包括设置在陶瓷基片上的两个热电极，两个热电极相互搭接，两个热电极的材料均采用铬酸镧薄膜，铬酸镧薄膜中掺杂有Mg、Ca、Sr、Ba、Co、Cu、Sm、Fe、Ni和V中的一种或几种掺杂元素，所述两个热电极采用的铬酸镧薄膜中掺杂有不同种掺杂元素，或者掺杂有含量不同的同种掺杂元素。
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公开(公告)号：CN105675160A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610031404.6
申请日：2016-01-18
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器及制备方法，由高温保护薄膜组与并联钨铼薄膜热电偶共同构成传感器芯片。其中钨铼合金薄膜组、高温电极和氧化铝薄膜保护层这三部分均连接在碳化硅质基底上，覆盖非晶态碳化硅薄膜保护层。本发明能够能在高温下(1000-1700K)，长时间测量温度信号，具有耐高温、防氧化、高塞贝克系数的特性，并同时解决了现有技术中存在的问题——如高温下的热失配、氧化、1400K附近基本失效的问题。
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公开(公告)号：CN101717272B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910218944.5
申请日：2009-11-13
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法，步骤如下：a、首先以乙酸铅、四正丁酯锆和钛酸四丁酯为起始原料，乙二醇乙醚为溶剂，乙酰丙酮和甲酰胺为稳定剂，制备化学组成Pb(Zr0.52Ti0.48)TiO3、浓度为0.7～0.8mol/L的锆钛酸铅前驱体溶液；b、将锆钛酸铅前驱体溶液采用旋涂工艺直接沉积在单晶硅基片上，并在热处理炉中依次350℃快速干燥3～5分钟、650℃退火处理3～5分钟，得到单层四方钙钛矿结构的(100)取向锆钛酸铅薄膜；c、重复步骤b操作制备10～30层的(100)取向锆钛酸铅薄膜，得到厚度为1.3～3.9微米的的锆钛酸铅厚膜。
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公开(公告)号：CN112729580B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011547272.5
申请日：2020-12-23
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种柔性温度传感器及其制备方法，包括柔性绝缘基底以及设置于柔性绝缘基底上的正极热电偶薄膜及负极热电偶薄膜，其中，正极热电偶薄膜的一端与负极热电偶薄膜的一端重叠作为温度敏感区域，正极热电偶薄膜的另一端与负极热电偶薄膜的另一端作为冷端，该传感器结构及其制备工艺简单，且制备成本低。
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公开(公告)号：CN115855292A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211493643.5
申请日：2022-11-25
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种高熵氧化物作为热电极制备高温温度传感器的方法，能够大幅提高氧化物温度传感器的高温稳定性能，提高高温服役特性，实现极端环境下高温温度参数的测试需求。该温度传感器包括：设置在陶瓷基片上的两个热电极，两个热电极的一端搭接在一起形成温度传感器结构，两个热电极的材料采用导电高熵氧化物材料构成。本发明适用于磁控溅射、丝网印刷或者流延成型工艺制备热电极。对比于传统热电极导电材料，该方法制备的温度传感器能够提供更高的使用温度、更好的抗氧化性和灵敏度，更好的结构稳定性和结合力特性，具有测量精准度高，服役稳定性高的优势。
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公开(公告)号：CN113008400B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110212783.X
申请日：2021-02-25
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种三维阵列式多节点薄膜热电偶、其制备方法及封装结构，第一个纯铜薄膜区的一侧位于第一直槽内，第二个纯铜薄膜区的一侧位于第二直槽内，第三个纯铜薄膜区的一侧位于第三直槽内，康铜薄膜区的一侧位于第四直槽内，第一个纯铜薄膜区的另一侧、第二个纯铜薄膜区的另一侧、第三个纯铜薄膜区的另一侧及康铜薄膜区的另一侧均位于柱状基底的前端面上，且在柱状基底的前端面上，康铜薄膜区分别与第一个纯铜薄膜区、第二个纯铜薄膜区及第三个纯铜薄膜区重叠，以形成三个热节点，该热电偶能够实现变温流场下的瞬时温度测量，具有较高的空间分辨率及测量精度。
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公开(公告)号：CN112229533A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011057683.6
申请日：2020-09-29
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种用于温度检测的抗变形柔性温度传感器及其制备方法，包括柔性绝缘基底、柔性绝缘保护层、正极热电偶薄膜及负极热电偶薄膜，其中，正极热电偶薄膜及负极热电偶薄膜位于柔性绝缘基底上，柔性绝缘保护层覆盖于正极热电偶薄膜及负极热电偶薄膜上，负极热电偶薄膜的一端及正极热电偶薄膜的一端均连接有冷端，负极热电偶薄膜的另一端及正极热电偶薄膜的另一端重合形成温度敏感区域；柔性绝缘基底的上表面呈周期性波浪形结构；负极热电偶薄膜及正极热电偶薄膜均呈类蛇形弯曲结构，该传感器具有在拉伸扭转条件下输出稳定的特点。
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