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公开(公告)号：CN111661842A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010415172.0
申请日：2020-05-15
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 本发明公开了一种转移石墨烯的操作方法，包括以下步骤：在生长基底/石墨烯的石墨烯一侧旋涂熔融的石蜡，在石蜡层上旋涂保护层材料，获得生长基底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；使用腐蚀性溶液将生长基底去除，获得石墨烯/石蜡/保护层复合结构；借助石蜡的高热膨胀系数减少石墨烯的褶皱，然后将将石墨烯/石蜡/保护层复合结构由水面转移到目标衬底，获得目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；溶解掉目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构中的保护层和石蜡层，获得目标衬底/石墨烯结合体，清洗干燥完成转移。本发明的操作方法在石蜡层上旋涂了保护层，能够实现石墨烯薄膜大面积清洁地转移到目标基底上。
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公开(公告)号：CN109896543B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910150099.6
申请日：2019-02-28
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： C01G23/00
摘要： 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
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公开(公告)号：CN115148595A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210769534.5
申请日：2022-07-01
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/20
摘要： 本发明公开了一种用于三五(III‑V)族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法，包括以下步骤：在预获取的硅衬底上制备掩膜层，获得制备有掩膜层的硅衬底；基于预设图案刻蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的掩膜层，形成第一沟槽；基于所述第一沟槽，腐蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的硅衬底，形成第二沟槽并露出硅的111面；清洗以去除第二沟槽内的氧化物，制备获得用于III‑V族半导体外延生长的图案化硅衬底。本发明的方法制备的图案化硅衬底，可用于进行外延生长单晶的III‑V族半导体薄膜，能够有效地抑制III‑V族半导体/Si界面的位错，III‑V族半导体薄膜的结晶情况较好，整体质量得到了极大的改善。
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公开(公告)号：CN109166790B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810849986.8
申请日：2018-07-28
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L21/033
摘要： 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
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公开(公告)号：CN109898138B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910150084.X
申请日：2019-02-28
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗，然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中，并将腔室抽至背底真空，将衬底加热至800℃，维持一定的气压和温度状态后，对衬底进行退火处理，使其表面重构以便后续薄膜生长过程中薄膜的结晶，调整气压和温度，控制温度在500‑800℃，打开激光器，进行薄膜生长，至一定程度后停止生长，使衬底自然降温，待样品降至室温后向腔室内通入空气，打开腔体取出样品，完成生长。可以简便地、低成本地实现Ge上钛酸钡薄膜的外延生长，得到的薄膜界面清晰、薄膜为单晶外延生长、薄膜表面平整。
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公开(公告)号：CN111455466A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010292130.2
申请日：2020-04-14
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于LB膜法的胶体晶体制备方法，包括：将胶体颗粒分散于水和有机溶剂的混合系统中；借助于斜坡式引导片将胶体颗粒分散在LB设备的液面上；通过滑杖压缩以及表面膜压的设置控制胶体颗粒在水面上的密度以及自组装；最后通过选用恰当的拉膜速度、滑杖速度以及表面膜压实现胶体颗粒阵列转移到衬底上。本发明的方法通过控制相关的制备参数实现制备胶体晶体的可控性、重复性与高质量，可以使得转移到衬底上的胶体晶体大范围内排列均匀、致密。
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公开(公告)号：CN109166790A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810849986.8
申请日：2018-07-28
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L21/033
摘要： 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
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公开(公告)号：CN112499581B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011266405.1
申请日：2020-11-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
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公开(公告)号：CN115010080A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210602889.5
申请日：2022-05-30
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种柔性针尖阵列干电极及其制备方法和应用，所述柔性针尖阵列干电极包括：柔性衬底、硅针尖阵列结构、石墨烯层、天线座和铜箔；柔性衬底设置有硅针尖阵列结构；柔性衬底设置有硅针尖阵列结构的一侧设置有石墨烯层，另一侧设置有天线座；柔性衬底的四周边缘设置有铜箔，石墨烯层通过铜箔与天线座电连接；硅针尖阵列结构的硅针尖上溅射有金属导电层；金属导电层与石墨烯层电连接。本发明提供的柔性针尖阵列干电极，具有良好生物兼容性和电刺激以及记录效果优秀的探测干电极。
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公开(公告)号：CN112499581A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011266405.1
申请日：2020-11-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
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