-
公开(公告)号：CN115019855A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210642468.5
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种调控相变忆阻器人工电子突触权重的方法及系统，所述调控相变忆阻器人工电子突触权重的方法包括以下步骤：获取待调控的相变忆阻器的类型；基于获取的相变忆阻器的类型，确定脉冲序列类型；基于确定的脉冲序列类型，根据相变忆阻器的统计学开关特性，设计获得非线性电脉冲序列；基于所述非线性电脉冲序列，实现相变忆阻器人工电子突触权重的调控；其中，所述非线性电脉冲序列包括用于实现突触曾强的非线性电脉冲序列以及用于实现突触抑制的非线性电脉冲序列。本发明可解决现有技术存在的相变忆阻器难以用来模拟线性、连续可调的神经突触权重变化的技术问题。
-
公开(公告)号：CN113233891A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110634035.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电陶瓷材料及其制备方法，包括：分别称取氧化铋、碳酸钠、二氧化钛、碳酸钡及五氧化二铌，研磨混合后，得到一次球磨粉体；对一次球磨粉体进行预烧，得到预烧片；对预烧片进行二次研磨，得到二次球磨粉体；利用二次球磨粉体进行造粒，压制，得到素胚；对素胚进行等静压压片处理，得到二次压片成型素胚；本发明通过在BNT‑6BT基体中，引入具有反铁电特性的NN，重新构建了具有高活性的弛豫相与铁电相共存的相界，在电场作用下弛豫相能够更容易快速向铁电相发生翻转，获得较高的应变性能；组分稳定性及烧结条件较好，工艺条件易于控制，实用性较强，有利于工业化大规模生产。
-
公开(公告)号：CN112071940A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010760691.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开了一种基于透明电极的α‑硒化铟二维光电探测器，包括自上到下依次分布的α‑硒化铟二维铁电半导体层、二氧化铪电介质层及掺杂硅衬底，其中，α‑硒化铟二维铁电半导体层上设置有透明电极，该探测器的尺寸小，光电响应度较高。
-
公开(公告)号：CN112071939A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010760672.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，包括掺杂硅衬底、电介质层、二维材料薄膜层、α‑硒化铟二维铁电半导体层及两个金属电极，其中，掺杂硅衬底、电介质层、二维材料薄膜层及α‑硒化铟二维铁电半导体层自下到上依次分布，一个金属电极位于α‑硒化铟二维铁电半导体层上，另一个金属电极位于二氧化铪电介质层上，该探测器能够扩展响应光谱带宽，提高响应度。
-
公开(公告)号：CN109896543B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910150099.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110372381A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910614504.5
申请日：2019-07-09
Applicant: 西安交通大学 , 广东捷成科创电子股份有限公司
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种织构化稀土改性铌镁酸铅-钛酸铅基压电铁电陶瓷材料及其制备方法，其组成由以下通式表达，[Rx-Pb(1-1.5x)][(Mg1/3Nb2/3)(1-y)Tiy]O3–avol.％BaTiO3；其中，0
-
公开(公告)号：CN109023261A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810849978.3
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法，包括：1)选择石墨烯作为氧化物与衬底的中间层材料；2)选择使用脉冲激光沉积技术作为薄膜生长手段，控制生长温度500℃～800℃；控制氧气分压在10Pa～20Pa；控制激光能量在1.5J/cm2～3J/cm2，频率在1Hz～10Hz；本发明制备出的钙钛矿结构的薄膜经X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电力显微镜(PFM)分析，生长得到的薄膜具有良好的织构结晶特性，膜层厚度300nm以内可控；而且薄膜表面平整，均方根粗糙度在1nm之内；生长的薄膜具有压电性，具有转移至任意衬底的潜力。
-
公开(公告)号：CN105200404B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510556092.6
申请日：2015-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明提供一种外延生长的具有垂直相界的铌酸钾钠‑锆酸钡‑钛酸铋钠无铅压电薄膜的制备方法，采用化学溶液沉积工艺，以KNN‑BZ‑BNT先驱体溶液，通过乙酸锰、乙酸钴和氯化亚铁等掺杂降低薄膜中的漏电流密度，提高KNN‑BZ‑BNT薄膜的电学性能，采用旋转涂覆工艺沉积在(100)、(110)、(111)三种不同取向的单晶SrTiO3衬底、(100)取向的单晶LaAlO3和(100)取向的单晶SrRuO3衬底上，热处理后得到致密无裂纹且具有外延特性的单层单晶薄膜。多次重复旋涂‑热处理工艺后得到厚度为100～600nm的外延生长的具有垂直相界的KNN‑BZ‑BNT无铅压电薄膜。
-
公开(公告)号：CN105200405A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510556505.0
申请日：2015-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明提供一种具有垂直相界的铌酸钾钠-锆酸钡-钛酸铋钠无铅压电薄膜的制备方法，采用化学溶液沉积工艺，以KNN-BZ-BNT先驱体溶液旋涂沉积在基底上，并经过热处理得到致密无裂纹的单层结晶薄膜。多次重复旋涂-热处理工艺后得到厚度为0.4～2μm的KNN-BZ-BNT薄膜。通过高聚物聚乙烯吡咯烷酮和/或Mn2+、Co2+或Fe2+等改性，提高KNN-BZ-BNT薄膜的电性能，尤其是铁电和压电性能。
-
公开(公告)号：CN103708828B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310660896.1
申请日：2013-12-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜的制备方法，属于压电材料制备技术领域。包括以下步骤：1）按照（1-x）Bi0.5Na0.5TiO3-xBaTiO3的化学计量比，制备微纳米级钛酸铋钠-钛酸钡粉体；2）按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比，制备钛酸铋钠先驱体溶胶；3）将钛酸铋钠-钛酸钡粉体分散到钛酸铋钠先驱体溶胶中，制备混合浆料；4）旋涂沉积钛酸铋钠先驱体溶胶-热处理-旋涂沉积混合浆料-热处理，制得单层复合膜；5）重复步骤4）直至制得厚度为1～20微米的钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜。本发明对现有的溶胶凝胶技术做出了改进，工艺低成本、制膜厚度灵活、可重复性好，突破了普通溶胶凝胶工艺的临界厚度限制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.022 seconds)
